SK海力士在美申請存儲器專利數位居第一, Q4導入量產72層3D-NAND

集微網消息, 據韓媒報道, 韓國專利廳的統計結果顯示, 2011——2015年, 在美國申請的存儲器設計, 製造, 封裝技術專利總計有 5.8838 萬件, 其中SK海力士以 2,594 件, 三星電子以 2,566 件分居前兩名, 兩者合計比例達8.8%. 其次依次是東芝 ( 2,289 件) , 美光 ( 2,120 件) , IBM ( 1,977 件) , 威騰 ( 1,289 件) , 英特爾 ( 1,008 件) .

韓國專利廳表示, 韓國廠商搶先申請堆疊結構的 3D DRAM 與 3D NAND Flash 專利, 因此帶動全球存儲器市場變化.

據悉, 2011 年, 上述 7 家廠商在美國申請的存儲器專利件數為 417 件, 之後每年穩定成長, 2015 年達到 4,151 件. 主要原因在於隨著固態硬碟(SSD)逐步取代一般硬碟(HDD), 業界廠商開始集中在 NAND Flash 領域申請大量專利. 據集邦諮詢半導體研究中心( DRAMeXchange )最新報告指出, 第三季受惠於傳統旺季效應, iPhone 8/X 新機以及中國品牌手機需求等主要動能帶領, 第三季SK海力士營收達到 15 億美元, 相較前一季成長高達 15.4%. 觀察未來產能規劃, SK海力士繼續專註在 48/72 層 3D-NAND 產能的擴張當中, 並在第四季將 72 層 3D-NAND 導入量產, 成為 2018 年的成長主力.

此外, 三星在第三季得益於伺服器端及智能手機廠商發表新旗艦機, 營收更較前季成長 19.5%, 來到 56.2 億美元. 從製程及產能分析, 三星 64 層 NAND Flash 自第三季開始量產以來, 已經開始應用在移動終端需求及 SSD 上, 並將逐漸擴大應用產品, 預期整體 3D-NAND 的投片比重在年底將突破 50%.

值得觀察的是, 三星內部正在檢討 NAND Flash 持續擴張與DRAM產能分配的必要性, 並考慮將部分平澤廠二樓的空間挪作生產 DRAM 用, 這將可能使得 NAND Flash 未來更容易回歸到供不應求的市場狀況, 有利於三星未來的市場策略.

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