韩国专利厅表示, 韩国厂商抢先申请堆叠结构的 3D DRAM 与 3D NAND Flash 专利, 因此带动全球存储器市场变化.
据悉, 2011 年, 上述 7 家厂商在美国申请的存储器专利件数为 417 件, 之后每年稳定成长, 2015 年达到 4,151 件. 主要原因在于随着固态硬盘(SSD)逐步取代一般硬盘(HDD), 业界厂商开始集中在 NAND Flash 领域申请大量专利. 据集邦咨询半导体研究中心( DRAMeXchange )最新报告指出, 第三季受惠于传统旺季效应, iPhone 8/X 新机以及中国品牌手机需求等主要动能带领, 第三季SK海力士营收达到 15 亿美元, 相较前一季成长高达 15.4%. 观察未来产能规划, SK海力士继续专注在 48/72 层 3D-NAND 产能的扩张当中, 并在第四季将 72 层 3D-NAND 导入量产, 成为 2018 年的成长主力.
此外, 三星在第三季得益于服务器端及智能手机厂商发表新旗舰机, 营收更较前季成长 19.5%, 来到 56.2 亿美元. 从制程及产能分析, 三星 64 层 NAND Flash 自第三季开始量产以来, 已经开始应用在移动终端需求及 SSD 上, 并将逐渐扩大应用产品, 预期整体 3D-NAND 的投片比重在年底将突破 50%.
值得观察的是, 三星内部正在检讨 NAND Flash 持续扩张与DRAM产能分配的必要性, 并考虑将部分平泽厂二楼的空间挪作生产 DRAM 用, 这将可能使得 NAND Flash 未来更容易回归到供不应求的市场状况, 有利于三星未来的市场策略.