集微網消息, 2017年11月16-17日, '中國整合電路設計業2017年會暨北京整合電路產業創新發展高峰論壇' ( '2017年ICCAD年會' ) 在北京稻香湖景酒店舉辦. 全球領先的200mm純晶圓代工廠──華虹半導體有限公司(股份代號: 1347.HK)之全資子公司上海華虹宏力半導體製造有限公司 ( '華虹宏力' ) 精彩亮相. 在這場多方矚目的行業盛會上, 華虹宏力積極響應 '創新驅動, 引領發展' 的大會主題, 向客戶及合作夥伴展示了其差異化特色工藝及最新技術解決方案.
11月的北京, 氣溫已然低迷. 原本清冽的稻香湖畔, 卻因 '2017年ICCAD年會' 的召開而頗顯熾熱. 本屆大會深入探討了整合電路產業面臨的機遇和挑戰. 當下, 我國整合電路產業正蓬勃發展, 華虹宏力作為半導體製造企業的代表, 將持續發展特色工藝, 助力中國 '芯' 騰飛.
華虹宏力以特色引領創新, 在嵌入式非易失性存儲器, 功率器件, 類比及混合訊號, 電源管理IC, 射頻和微機電系統 (MEMS) 等晶圓代工領域享有領先地位. 全系列的嵌入式存儲器工藝平台組合中, 專為物聯網打造的0.11微米超低漏電 (ULL) 嵌入式快閃記憶體平台, N/P管靜態漏電<1pA/μm, 并支持RF-CMOS设计; 95纳米单绝缘栅非易失性嵌入式存储器, 包括eFlash, eEEPROM, OTP工艺平台, 助力客户在MCU应用市场提高竞争力, 95纳米的低本高效MTP (Multiple-Time Programming) 工艺平台也在加速研发中; 90纳米eFlash/eEEPROM工艺平台则将加固公司在智能卡领域的优势. 聚焦功率器件市场, 华虹宏力的深沟槽超级结 (Deep Trench Super Junction, DT-SJ) 及场截止型IGBT (Field Stop, FS IGBT) 工艺平台在业界广受认可, 其中, 第三代DT-SJ实现了超低导通电阻, 超高开关速度的特性; 1700V IGBT技术已开发完成, 适用于高端工业及新能源汽车的IGBT技术也指日可待.
華虹宏力還可提供全套的電源管理晶片代工方案, 擁有全系列的BCD/CDMOS和CMOS類比工藝平台, 涵蓋1微米到0.13微米, 1.8V到700V. 正處於戰略準備階段的第二代BCD700V工藝平台, 將在原先基礎上減少2層光罩, 並優化DMOS性能. 針對射頻技術, 華虹宏力提供矽襯底全系列工藝解決方案, 包括RF SOI, 與邏輯工藝相容的RF CMOS, SiGe BiCMOS以及IPD等. 0.2微米射頻SOI工藝設計套件 (PDK) 頗受好評, 能有效幫助客戶提高設計效率. 研發團隊還在持續研發0.13微米射頻SOI等射頻相關技術, 以響應智能手機出貨量的增長及未來5G移動通信的發展.
大會期間, 華虹宏力戰略, 市場與發展部門部長鬍湘俊以 '智能時代, 暢想芯機遇' 為題發表演講: 5G, 人工智慧等新興領域已開始發酵, 面對 '芯' 時代, 華虹宏力如何走好特色創新之路? 演講現場, 高潮迭起, 精彩不斷.
華虹宏力執行副總裁孔蔚然博士在展會現場接受了《半導體製造》專訪. 此次, 華虹宏力展台還特別設置了互動遊戲, 吸引了大量圍觀. 除了有趣的大轉盤遊戲讓參與者叫好外, '拍照集贊' 的創意遊戲也刷爆朋友圈, 收穫滿滿人氣.
