集微网消息, 2017年11月16-17日, '中国集成电路设计业2017年会暨北京集成电路产业创新发展高峰论坛' ( '2017年ICCAD年会' ) 在北京稻香湖景酒店举办. 全球领先的200mm纯晶圆代工厂──华虹半导体有限公司(股份代号: 1347.HK)之全资子公司上海华虹宏力半导体制造有限公司 ( '华虹宏力' ) 精彩亮相. 在这场多方瞩目的行业盛会上, 华虹宏力积极响应 '创新驱动, 引领发展' 的大会主题, 向客户及合作伙伴展示了其差异化特色工艺及最新技术解决方案.
11月的北京, 气温已然低迷. 原本清冽的稻香湖畔, 却因 '2017年ICCAD年会' 的召开而颇显炽热. 本届大会深入探讨了集成电路产业面临的机遇和挑战. 当下, 我国集成电路产业正蓬勃发展, 华虹宏力作为半导体制造企业的代表, 将持续发展特色工艺, 助力中国 '芯' 腾飞.
华虹宏力以特色引领创新, 在嵌入式非易失性存储器, 功率器件, 模拟及混合信号, 电源管理IC, 射频和微机电系统 (MEMS) 等晶圆代工领域享有领先地位. 全系列的嵌入式存储器工艺平台组合中, 专为物联网打造的0.11微米超低漏电 (ULL) 嵌入式闪存平台, N/P管静态漏电<1pA/μm, 并支持RF-CMOS设计; 95纳米单绝缘栅非易失性嵌入式存储器, 包括eFlash, eEEPROM, OTP工艺平台, 助力客户在MCU应用市场提高竞争力, 95纳米的低本高效MTP (Multiple-Time Programming) 工艺平台也在加速研发中; 90纳米eFlash/eEEPROM工艺平台则将加固公司在智能卡领域的优势. 聚焦功率器件市场, 华虹宏力的深沟槽超级结 (Deep Trench Super Junction, DT-SJ) 及场截止型IGBT (Field Stop, FS IGBT) 工艺平台在业界广受认可, 其中, 第三代DT-SJ实现了超低导通电阻, 超高开关速度的特性; 1700V IGBT技术已开发完成, 适用于高端工业及新能源汽车的IGBT技术也指日可待.
华虹宏力还可提供全套的电源管理芯片代工方案, 拥有全系列的BCD/CDMOS和CMOS模拟工艺平台, 涵盖1微米到0.13微米, 1.8V到700V. 正处于战略准备阶段的第二代BCD700V工艺平台, 将在原先基础上减少2层光罩, 并优化DMOS性能. 针对射频技术, 华虹宏力提供硅衬底全系列工艺解决方案, 包括RF SOI, 与逻辑工艺兼容的RF CMOS, SiGe BiCMOS以及IPD等. 0.2微米射频SOI工艺设计套件 (PDK) 颇受好评, 能有效帮助客户提高设计效率. 研发团队还在持续研发0.13微米射频SOI等射频相关技术, 以响应智能手机出货量的增长及未来5G移动通信的发展.
大会期间, 华虹宏力战略, 市场与发展部门部长胡湘俊以 '智能时代, 畅想芯机遇' 为题发表演讲: 5G, 人工智能等新兴领域已开始发酵, 面对 '芯' 时代, 华虹宏力如何走好特色创新之路? 演讲现场, 高潮迭起, 精彩不断.
华虹宏力执行副总裁孔蔚然博士在展会现场接受了《半导体制造》专访. 此次, 华虹宏力展台还特别设置了互动游戏, 吸引了大量围观. 除了有趣的大转盘游戏让参与者叫好外, '拍照集赞' 的创意游戏也刷爆朋友圈, 收获满满人气.
