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1.台積電共同CEO魏哲家:大陸半導體已是台灣對手;
聯發科副董事長謝清江 (左) 與台灣半導體產業協會理事長暨台積電共同執行長魏哲家 (右) 昨天一起出席「台灣半導體產業協會TSIA年會」. 記者蘇健忠/ 攝影
台灣半導體產業協會 (T S I A ) 理事長, 台積電共同執行長魏哲家昨天主持台灣半導體產業協會年會, 他表示, 人工智慧 (A I ) 時代來臨, 讓半導體新商機浮現, 但中國大陸積極發展半導體, 也帶來挑戰.
魏哲家說, 中國大陸不論是中央或地方政府, 都全力扶植半導體產業, 台灣業者應努力提升競爭力. 這是魏哲家在接掌台灣半導體產業協會理事長後, 首度在公開場合, 針對中國大陸發展半導體帶來的影響, 向台灣及全球半導體廠商說明未來半導體產業的機會與挑戰.
魏哲家表示, 人工智慧是半導體產業的機會, 人工智慧會慢慢進入人類生活, 讓生活更安全, 更方便, 人工智慧需要半導體, 是千載難逢的機會.
他在T S I A 年會的年刊中, 特別針對人工智慧時代來臨提出說明. 他表示, 人類生活將隨人工智慧, 虛擬現實/ 擴增實境, 自駕車, 雲端運算和物聯網的問市, 產生不可逆的轉變. 這些應用與產品的發展, 均需要以半導體為基礎, 發展愈蓬勃, 半導體的商機就愈顯無可限量, 台灣半導體廠必須把握此一成長契機.
魏哲家指出, 大陸半導體市場壯大與快速發展, 則是所有業者未來面臨的挑戰. 他分析, 大陸半導體需求佔全球比重達三成, 已是全球最大的半導體市場, 吸引全球到大陸設廠; 加上大陸政府自中央到地方, 無不傾國家之力, 在人才, 技術及資金大幅投資, 首當其衝是兩岸半導體產業的競合與消長.
面對大陸的挑戰, 魏哲家說, 台灣半導體廠應更專註於技術和業務拓展, 提升競爭力. 他接任T S I A 理事長, 就是要以整個半導體產業的福祉為重, 盡全力協助所有廠商, 在環境變遷之際, 未雨綢繆, 尤其扮演業者和政府溝通的橋樑. 首要工作就是建議政府穩定土地, 水及電力供應. 開放人才與更彈性的工時, 以及對智慧財產權的保護.
T S I A 年會昨天也邀請有「國際半導體學術界教父」之稱, 同時也是中央研究院院士施敏進行專題演講並舉辦製造, 封測與設計三大論壇, 可說產學研菁英齊聚. 經濟日報
2.重慶萬國半導體項目主體建築順利封頂;
重慶晨報訊 (記者 唐國利 見習記者 梁長炯) 隨著最後一方混凝土灌注完成, 重慶萬國半導體12英寸功率半導體晶片製造及封裝測試生產基地項目順利完成主體建築封頂. 昨 (14) 日, 重慶萬國半導體科技有限公司主體建築的封頂儀式在兩江新區水土高新園舉行. 該項目預計於明年上半年正式投產.
萬國半導體科技有限公司在渝項目位於兩江新區水土高新園區, 佔地342餘畝, 總投資10億美元. 其中, 一期投資約5億美元, 建築面積93111平方米, 預計達到月產2萬片及封裝測試月產500KK產能; 二期投資約5億美元, 預計達到月產5萬片及封裝測試月產1250KK的產能.
據了解, 萬國半導體科技有限公司 (A0S) 成立於2000年9月, 總部位於美國加利福尼亞州矽谷, 是一家外商獨資上市公司 (美資) . 該公司集半導體設計, 晶片製造, 封裝測試為一體, 主要從事功率半導體器件產品設計和生產製造, 產品市場涉及筆記型電腦, 液晶電視, 智能手機, 家電, 通訊設備, 工業控制, 照明應用, 汽車電子等領域.
截至目前, 重慶兩江新區已構建起覆蓋全產業鏈的電子產業集群. 除筆電之外, 重慶兩江新區圍繞 '芯, 屏, 器, 核' , 在整合電路, 顯示面板, 智能終端, 核心配套等多領域布局.
3.微電子蝕刻材料項目落戶武義;
集微網消息, 11月14日, 日本森田化學工業株式會社與浙江武義縣舉行微電子蝕刻材料項目簽約儀式. 據悉, 微電子蝕刻材料項目總投資8億元人民幣, 項目總用地面積約8萬平方米, 分為兩期建設, 項目全部建成投產, 預計年銷售20億元人民幣.
4.福建南安促進半導體產業發展 項目落戶最高可補5000萬元;
南安日前正式出台《南安市人民政府關於促進半導體產業發展的實施意見》,市政府設立專項扶持基金, 重點支援和鼓勵化合物半導體設計, 製造, 封測, 裝備, 材料以及應用終端, 創新服務平台等業態的企業, 項目, 機構和人才入駐.
該《意見》適用於工商註冊地, 稅務征管關係及統計關係在南安範圍內, 有健全的財務制度, 具有獨立法人資格, 實行獨立核算且承諾10年內不遷離本市, 不改變在本市的納稅義務, 不減少註冊資本的半導體研發, 生產和產業鏈配套, 合作企業, 項目, 機構以及相關優秀人才.
《意見》設立項目落戶獎, 經營貢獻獎, 科研鼓勵獎, 高層次人才獎, 轉型升級獎, 產業聯動發展獎, 金融支援獎等7大補助政策共24條補助措施. 其中, 項目落戶獎方面, 對總投資5億—10億元的新建生產性項目, 按其生產設備購置金額的5%給予補助, 最高限額5000萬元; 對總投資超5000萬元的半導體設計企業, 按總投資的5%予以補助, 最高限額5000萬元; 對總投資超10億元的項目 (化合物半導體生產項目總投資超5億元) 以及首家入駐園區的不同類別化合物半導體項目採取 '一企一議' 方式, 從資金, 金融, 土地, 研發等方面予以重點支援. 轉型升級獎方面, 對獲國家智能製造試點示範項目和智能製造試點專項項目, 一次性給予實施單位100萬元獎勵; 對獲得省級智能製造企業試點示範的企業, 給予一次性最高25萬元獎勵. (陳珊煌黃志興) 泉州晚報
5.我國新型存儲器材料研發取得重大突破
新華網上海11月15日電 (記者王琳琳) 中國科學院上海微系統與資訊技術研究所宋志棠團隊近期在國產新型存儲器材料上取得重大突破, 創新提出一種高速相變材料的設計思路, 打破了國外技術壁壘. 該成果近日線上發表於《科學》雜誌.
存儲器是整合電路最重要的技術之一, 能否開發自主智慧財產權的存儲器晶片事關國家資訊安全.
目前, 國際上通用的存儲器材料是 '鍺銻碲' . 近年來, 消費電子產品的普及對存儲器晶片的功耗, 壽命, 尺寸, 持久力等各項性能指標均提出了更高要求, 世界各國科學家都在加緊攻關存儲器晶片的製造材料.
宋志棠團隊通過第一性理論計算與分子動力學類比, 從眾多 '候選' 元素中, 優選出 '鈧' 作為摻雜元素, 設計發明了低功耗, 長壽命, 高穩定性的 '鈧銻碲' 材料.
'鈧元素與碲元素可以形成穩定的八面體, 這對實現高速, 低功耗存儲至關重要. ' 宋志棠介紹, 基於 '鈧銻碲' 材料的新型存儲器可實現700皮秒的高速存儲操作, 迴圈使用壽命大於1000萬次.
進一步測試表明, 相比傳統 '鍺銻碲' 器件, '鈧銻碲' 新材料的操作功耗降低了90%, 且十年的數據保持力相當; 通過進一步優化材料與微縮器件尺寸, 基於 '鈧銻碲' 新材料的國產新型存儲器綜合性能將會進一步提升.
業內人士認為, '鈧銻碲' 國產新型存儲材料的發現及其在高密度, 高速存儲器上的應用驗證, 對於我國突破國外技術壁壘, 開發自主智慧財產權的存儲器晶片具有重要價值, 有助於維護我國存儲器晶片的資訊安全.