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1.台积电共同CEO魏哲家:大陆半导体已是台湾对手;
联发科副董事长谢清江 (左) 与台湾半导体产业协会理事长暨台积电共同执行长魏哲家 (右) 昨天一起出席「台湾半导体产业协会TSIA年会」. 记者苏健忠/ 摄影
台湾半导体产业协会 (T S I A ) 理事长, 台积电共同执行长魏哲家昨天主持台湾半导体产业协会年会, 他表示, 人工智能 (A I ) 时代来临, 让半导体新商机浮现, 但中国大陆积极发展半导体, 也带来挑战.
魏哲家说, 中国大陆不论是中央或地方政府, 都全力扶植半导体产业, 台湾业者应努力提升竞争力. 这是魏哲家在接掌台湾半导体产业协会理事长后, 首度在公开场合, 针对中国大陆发展半导体带来的影响, 向台湾及全球半导体厂商说明未来半导体产业的机会与挑战.
魏哲家表示, 人工智能是半导体产业的机会, 人工智能会慢慢进入人类生活, 让生活更安全, 更方便, 人工智能需要半导体, 是千载难逢的机会.
他在T S I A 年会的年刊中, 特别针对人工智能时代来临提出说明. 他表示, 人类生活将随人工智能, 虚拟现实/ 扩增实境, 自驾车, 云端运算和物联网的问市, 产生不可逆的转变. 这些应用与产品的发展, 均需要以半导体为基础, 发展愈蓬勃, 半导体的商机就愈显无可限量, 台湾半导体厂必须把握此一成长契机.
魏哲家指出, 大陆半导体市场壮大与快速发展, 则是所有业者未来面临的挑战. 他分析, 大陆半导体需求占全球比重达三成, 已是全球最大的半导体市场, 吸引全球到大陆设厂; 加上大陆政府自中央到地方, 无不倾国家之力, 在人才, 技术及资金大幅投资, 首当其冲是两岸半导体产业的竞合与消长.
面对大陆的挑战, 魏哲家说, 台湾半导体厂应更专注于技术和业务拓展, 提升竞争力. 他接任T S I A 理事长, 就是要以整个半导体产业的福祉为重, 尽全力协助所有厂商, 在环境变迁之际, 未雨绸缪, 尤其扮演业者和政府沟通的桥梁. 首要工作就是建议政府稳定土地, 水及电力供应. 开放人才与更弹性的工时, 以及对知识产权的保护.
T S I A 年会昨天也邀请有「国际半导体学术界教父」之称, 同时也是中央研究院院士施敏进行专题演讲并举办制造, 封测与设计三大论坛, 可说产学研菁英齐聚. 经济日报
2.重庆万国半导体项目主体建筑顺利封顶;
重庆晨报讯 (记者 唐国利 见习记者 梁长炯) 随着最后一方混凝土灌注完成, 重庆万国半导体12英寸功率半导体芯片制造及封装测试生产基地项目顺利完成主体建筑封顶. 昨 (14) 日, 重庆万国半导体科技有限公司主体建筑的封顶仪式在两江新区水土高新园举行. 该项目预计于明年上半年正式投产.
万国半导体科技有限公司在渝项目位于两江新区水土高新园区, 占地342余亩, 总投资10亿美元. 其中, 一期投资约5亿美元, 建筑面积93111平方米, 预计达到月产2万片及封装测试月产500KK产能; 二期投资约5亿美元, 预计达到月产5万片及封装测试月产1250KK的产能.
据了解, 万国半导体科技有限公司 (A0S) 成立于2000年9月, 总部位于美国加利福尼亚州硅谷, 是一家外商独资上市公司 (美资) . 该公司集半导体设计, 芯片制造, 封装测试为一体, 主要从事功率半导体器件产品设计和生产制造, 产品市场涉及笔记本电脑, 液晶电视, 智能手机, 家电, 通讯设备, 工业控制, 照明应用, 汽车电子等领域.
截至目前, 重庆两江新区已构建起覆盖全产业链的电子产业集群. 除笔电之外, 重庆两江新区围绕 '芯, 屏, 器, 核' , 在集成电路, 显示面板, 智能终端, 核心配套等多领域布局.
3.微电子蚀刻材料项目落户武义;
集微网消息, 11月14日, 日本森田化学工业株式会社与浙江武义县举行微电子蚀刻材料项目签约仪式. 据悉, 微电子蚀刻材料项目总投资8亿元人民币, 项目总用地面积约8万平方米, 分为两期建设, 项目全部建成投产, 预计年销售20亿元人民币.
4.福建南安促进半导体产业发展 项目落户最高可补5000万元;
南安日前正式出台《南安市人民政府关于促进半导体产业发展的实施意见》,市政府设立专项扶持基金, 重点支持和鼓励化合物半导体设计, 制造, 封测, 装备, 材料以及应用终端, 创新服务平台等业态的企业, 项目, 机构和人才入驻.
该《意见》适用于工商注册地, 税务征管关系及统计关系在南安范围内, 有健全的财务制度, 具有独立法人资格, 实行独立核算且承诺10年内不迁离本市, 不改变在本市的纳税义务, 不减少注册资本的半导体研发, 生产和产业链配套, 合作企业, 项目, 机构以及相关优秀人才.
《意见》设立项目落户奖, 经营贡献奖, 科研鼓励奖, 高层次人才奖, 转型升级奖, 产业联动发展奖, 金融支持奖等7大补助政策共24条补助措施. 其中, 项目落户奖方面, 对总投资5亿—10亿元的新建生产性项目, 按其生产设备购置金额的5%给予补助, 最高限额5000万元; 对总投资超5000万元的半导体设计企业, 按总投资的5%予以补助, 最高限额5000万元; 对总投资超10亿元的项目 (化合物半导体生产项目总投资超5亿元) 以及首家入驻园区的不同类别化合物半导体项目采取 '一企一议' 方式, 从资金, 金融, 土地, 研发等方面予以重点支持. 转型升级奖方面, 对获国家智能制造试点示范项目和智能制造试点专项项目, 一次性给予实施单位100万元奖励; 对获得省级智能制造企业试点示范的企业, 给予一次性最高25万元奖励. (陈珊煌黄志兴) 泉州晚报
5.我国新型存储器材料研发取得重大突破
新华网上海11月15日电 (记者王琳琳) 中国科学院上海微系统与信息技术研究所宋志棠团队近期在国产新型存储器材料上取得重大突破, 创新提出一种高速相变材料的设计思路, 打破了国外技术壁垒. 该成果近日在线发表于《科学》杂志.
存储器是集成电路最重要的技术之一, 能否开发自主知识产权的存储器芯片事关国家信息安全.
目前, 国际上通用的存储器材料是 '锗锑碲' . 近年来, 消费电子产品的普及对存储器芯片的功耗, 寿命, 尺寸, 持久力等各项性能指标均提出了更高要求, 世界各国科学家都在加紧攻关存储器芯片的制造材料.
宋志棠团队通过第一性理论计算与分子动力学模拟, 从众多 '候选' 元素中, 优选出 '钪' 作为掺杂元素, 设计发明了低功耗, 长寿命, 高稳定性的 '钪锑碲' 材料.
'钪元素与碲元素可以形成稳定的八面体, 这对实现高速, 低功耗存储至关重要. ' 宋志棠介绍, 基于 '钪锑碲' 材料的新型存储器可实现700皮秒的高速存储操作, 循环使用寿命大于1000万次.
进一步测试表明, 相比传统 '锗锑碲' 器件, '钪锑碲' 新材料的操作功耗降低了90%, 且十年的数据保持力相当; 通过进一步优化材料与微缩器件尺寸, 基于 '钪锑碲' 新材料的国产新型存储器综合性能将会进一步提升.
业内人士认为, '钪锑碲' 国产新型存储材料的发现及其在高密度, 高速存储器上的应用验证, 对于我国突破国外技术壁垒, 开发自主知识产权的存储器芯片具有重要价值, 有助于维护我国存储器芯片的信息安全.