報告中表示, 三星在 2017 年的資本支出達到 260 億美元, 不但金額是史無前例的紀錄, 其年成長幅度也是從未見過的新高. IC Insights 進一步預計, 三星在 2017 年第 4 季將有 86 億美元的資本支出, 約佔全體半導體產業當季資本支出 262 億美元的 33%. 而三星在 2017 年第 4 季的銷售金額, 則約等於全球半導體產業銷售金額的 16%.
至於, 三星的 260 億美元資本支出將會如何分配? IC Insights 表示, 其中在 3D NAND Flash 的方面, 將花費 140 億美元在平澤 (Pyeongtaek) 工廠的產能擴大計划上. 另外, 70 億美元將用在 DRAM 的製程轉移, 以及填補因為製程轉移而損失的容量消耗上. 至於, 在晶圓代工的部分, 將花費 50 億美元用於提升 10 納米製程的製造能力.
對於三星的擴大資本支出, IC Insights 表示, 將對於全球半導體產業造成影響. 而首當其衝的, 就是在 3D NAND Flash 產業上. IC Insights 解釋到, 未來 3D NAND Flash 將可能因為三星的擴大產能而造成產量過剩的情況. 不過, 這個產量過程並非是三星一家公司所造成, 而是三星帶給其他廠商, 包括 SK 海力士, 美光, 東芝, 英特爾等公司的壓力, 在某些特別領域的資本支出增加, 以提升產能所造成.
另外, IC Insights 也指出, 三星這樣的資本支出規模, 將足以阻止任何中國在 DRAM 及 3D NAND Flash 等產品新創公司進入市場的希望. 尤其, 在中國的相關新創公司於技術上無法與三星, SK 海力士, 美光等公司競爭的情況之下, 如果沒有一家大型的相關合資企業在中國出現, 則中國的廠商將難以與這些領先者相互競爭.