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1.台灣封測廠: 兩岸競爭不可避免;
談到中國大陸半導體產業崛起, 日月光營運長吳田玉, 力成總經理洪嘉金俞 , 長華集團總裁黃嘉能及恒勁董事長兼執行長鬍竹青等四巨頭, 昨 (15) 日在台灣半導體產業協會 (TSIA) 年會上一致認為, 兩岸未來激烈競爭不可避免 , 但也不要忽視兩岸合作帶來龐大的商機.
吳田玉指出, 未來十年電子終端產品將滿地開花, 可望是未來半導體業的新機會, 台灣半導體產業鏈要有信心, 只是大陸本質上商業模式將大幅改變, 台灣產業要更能掌握大陸的改變.
洪嘉金俞認為, 台灣封測業應合并整合, 要打群架並透過差異化, 才有機會與大陸廠商競爭.
黃嘉能呼籲, 台灣要重視材料廠扮演的重要角色, 建構完整生態供應鏈, 否則一旦被擊破, 肯定會面臨嚴重衝擊.
胡竹青則認為, 兩岸半導體業應朝提升對方附加價值著手, 不要忽視大陸發展一帶一路及核電. 經濟日報
2.MLCC下月喊漲三成;
市場進入產業淡季, 但被動組件積層陶瓷電容 (MLCC) 缺貨態勢不變, 因此台系龍頭廠國巨昨 (15) 日由旗下通路商國益向客戶端發出今年第四度漲價 通知, 特定MLCC產品將於12月1日起漲價二到三成.
法人認為, 從國巨第四度喊漲的動作來看, 代表MLCC缺貨到明年的態勢相當確立, 對於MLCC的產品售價穩定上揚, 帶動相關供應鏈營收成長; 但對下遊客戶而言, 成本壓力鍋續熱.
國巨旗下國益向客戶發出通知指出, 因多項原物料和人工成本持續上升, 加上NPO MLCC需求持續旺盛, 供需缺口日益擴大, 因此將於12月1日起針對佔全體需求15%的全系列NPMLCC 延長交期, 並調整售價.
從國益發出的漲價通知來看, 交期將由原來的一到三個月拉長為六個月, 價格則會調漲二到三成, 甚至更高, 視實際品項而定. 這是國宏團今年發出的第四度漲價通知.
據了解, NPO MLCC價格一直較差, 導致日, 韓退出多數市場, 主力供貨商為台廠和陸廠.
但因NPO MLCC今年以來成本持續上揚, 目前已是今年初的十倍, 且因MLCC持續缺貨, 製造廠紛紛將產能轉到單價高, 毛利好的產品, 導致NPO MLCC缺貨更嚴重.
國巨是在今年4月宣布調高0603以上尺寸MLCC和晶片電阻產品售價, MLCC調幅約8%至10%, 晶片電阻漲幅約5%; 6月底二度宣布調漲; 9月則是第三度針對手機用量較多的MLCC喊漲.
3.因韓國地震影響, LGD部分產線停機三星SK海力士暫未受破壞;
集微網消息, 據彭博, 法新社與韓聯社報導, 韓國在當地時間今天下午2時29分於東部海岸發生規模5.5地震, 震央位於韓國浦項市西北西方約 9.3 公裡處, 震源深度約 10 公裡, 首爾等多地均感受到震撼, 連日本長崎也都有感, 隨後又傳出 5.4, 3.6 餘震, 民眾驚慌逃出戶外, 有部分建築受損, 還有坍方狀況出現; 報導指出, 韓國水利原子能公社表示, 國內核電站在正常運轉.
這場地震在全韓國都感受得到, 不論是距離300多公裡外的首爾, 第2大城釜山, 或是最大離島的濟州島.
綜合韓媒報導, 受地震影響, 樂金集團旗下的樂金顯示器 (LG Display) 在地震後有部分產線暫時關閉, 並立即重新啟動. LG Display計劃監測情況, 為未來可能發生的餘震做準備.
三星電子和SK海力士表示, 由於慶尚南道浦項地區5.4級的地震, 半導體生產線沒有中斷或損壞. 三星電子錶示, 在地震發生後立即意識到京畿道聚興和華城半導體工廠的狀況, 並表明目前沒有受到損害. 但是, 即使發生相對較小的地震, 已知通過向晶片施加光來列印半導體電路的照相設備也可以被自動暫時停止.
SK Hynix還表示, 京畿道, 忠北州的半導體工廠沒有造成損壞或生產線中斷. 一名公司負責人說: '如果有損壞, 員工應立即向中央防災辦公室報告.
去年9月在慶北發生的最大地震中, 三星電子和SK海力士半導體生產線的部分設備暫時關閉.
4.UltraSoC弱化SoC設計挑戰, 加速支援中國本土化晶片開發;
(集微網/文 鄧文標) '今天SoC設計的挑戰越來越大, 上市周期要短, 系統級複雜性更強, 第三對於安全的防範也越大, 一顆晶片推向市場的成本也隨之變高, 之所以產生這個現象的原因, 主要是因為晶片設計的方式還沒有改變. ' UltraSoC首席執行官Rupert Baines在深圳媒體溝通會上表示, 目前晶片設計還是採用傳統的設計方法很難解決這樣的挑戰.
UltraSoC首席執行官Rupert Baines
UltraSoC通過嵌入式分析IP, 簡化了SoC的開發, 提供嵌入式的分析功能, 可以降低晶片設計成本, 工藝和整合等壁壘來加速新晶片設計的開發過程, 併兼容所有基礎架構, 為不同量級的IC公司, 創客等都提供了駕馭客制化晶片的能力, 其競爭對手直指行業霸主Arm.
支援開源RISC-V架構, 改變SoC設計挑戰
作為一家IP廠商, 成立於2011年的UltraSoC並不算資深, 但客戶群已然不小. Rupert Baines表示, 我們的IP就是去幫助客戶解決最難解決的問題, 去發現晶片設計中存在的各種問題.
目前, 已經結合UltraSoC的IP產品的客戶有海思 (華為) , inter, Microsemi, Imagination, Movidius和PMC-Sierra等等, 並已經在40nm, 28nm, 16nm和7nm工藝節點上實現晶片成功流片.
UltraSoC的客戶群快速成形與其開源的理念密不可分. '開源動向背後的理念是工程師不必去設計草圖中的每一個部分, UltraSoC通過DesignShare來提供其IP, 將從根本上改變晶片設計面對的挑戰. '
9月份, UltraSoC宣布將為基於RISC-V開源處理器架構規範的SiFive Freedom平台提供調試與追蹤技術, 此前UltraSoC已經開發出處理器跟蹤技術, 並被英特爾廠商採用. UltraSoC的調試與追蹤功能將支援Freedom平台的用戶去廣泛對接其設計中所用到的各種工具與介面, 同時強化開源的RISC-V架構生態.
11月14日, Rupert Baines宣布, 美高森美公司 (Microsemi Corporation) 已購買了UltraSoC的通用分析與嵌入式智能平台授權, 用於RISC-V開源處理器架構的Microsemi產品. 這項新的合作也進一步推動了兩家公司在RISC-V生態中的參與度, UltraSoC目前與六家主要RISC-V處理器提供商合作, 這是在公司稍早承諾支援快速成長的開源生態向前發展之後, 所取得的突破. UltraSoC也在今年六月宣布, 該公司已經推出了業內首個為RISC-V提供的處理器跟蹤解決方案.
優化性能降低成本, 加速支援本土化晶片開發
UltraSoC的嵌入式半導體 IP產品支援複雜與高性能器件設計人員去建立一種片上架構, 它可以以非侵入式的方式去監測一款晶片的硬體與軟體行為. 在開發過程中, 工程師可以利用該IP去對片上的處理器單元, 定製邏輯電路和系統軟體之間的互通獲得終極性的了解.
Rupert Baines表示, 採用UltraSoC的嵌入式IP分析技術可以獲得的益處非常多, 譬如在做晶片設計時, CPU的速度沒有規劃的這麼快, Ultra SOC 的IP技術就可以解決這種問題; 此外為解決CPU的緩存問題, Ultra SOC 可在軟體層面, 優化緩存可使CPU的優化性能提升20%, 並為SoC設計人員提供有價值的嵌入式分析功能. 另據SemiCo Research估算, 晶片製造商通過在其開發流程中使用UltraSoC的IP技術, 可使眾多項目的盈利能力翻倍, 而開發成本則可削減四分之一.
而除了在北美與歐洲的領先級客戶, 已有多家領先的中國晶片設計機構為其相關項目選用了UltraSoC, 如華為海思等. 這些先進的晶片將有望用於多樣化的應用, 包括下一代網路, 5G移動通信, 高性能計算 (HPC) , 人工智慧 (AI) 等等. UltraSoC的技術正在強有力地服務這些採用ARM, RISC-V, MIPS及其他架構的夥伴.
'中國市場對於UltraSoC非常重要, 包括很多大客戶都在中國, 中國在全球半導體行業中有很多市場激勵, 包括新創公司開發新的SoC應用. ' Rupert Baines表示, 中國很多客戶正在採用我們的IP技術設計產品, UltraSoC要讓更多晶片廠商實現本土化. 基於此, UltraSoC將在北京舉辦的 '中國整合電路設計業2017年會暨北京整合電路產業創新發展高峰論壇 (ICCAD 2017) ' 上展出其片上監測與分析IP, Rupert Baines先生將帶領團隊出席該項活動, 並將在於11月17日舉辦的論壇3上, 發表題為 '系統級複雜性帶來的挑戰: 對一種用於調試, 安全性與安防措施架構的需求' 的演講.
5.台積電啟動5納米建廠計劃 月產能有望上看9~ 10萬片
晶圓代工龍頭台積電14日召開季度例行董事會, 會中決議通過資本預算約1,298億元 (新台幣, 下同) , 其中包括將投入逾505億元興建廠房的資本支出, 正式啟動5納米新廠的建廠計劃.
設備業者指出, 台積電位於台灣地區南科園區內的5納米新廠總投資金額上看2,000億元, 要趕在2019年上半年完成建廠, 下半年進入試產, 2020年正式量產.
台積電昨天召開董事會, 會中決議核准資本預算約新台幣1298億元, 包括興建廠房資本預算約505億元, 其他項目資本預算約793億元, 用來擴充及升級先進位程產能, 擴充先進封裝製程產能, 擴充特殊製程產能, 轉換邏輯製程產能為特殊製程產能, 及包括2018年第一季研發資本預算與經常性資本預算.
另外, 台積電董事會亦核准在額度不超過20億美元範圍內, 對台積電在英屬維京群島設立的百分之百持股子公司TSMC Global Ltd.增資, 以降低外匯避險成本.
此次台積電董事會決議最大的亮點, 在於台積電正式啟動5納米新廠的建廠計劃. 台積電的10納米及7納米生產線集中在中科的12寸超大型晶圓廠Fab 15, 5納米則是南科12寸超大型晶圓廠Fab 14的延伸, 預計將興建第8期至第10期等共3個廠區, 5納米合計月產能可望上看9~ 10萬片.
台積電5納米新廠今年9月動土, 佔地超過40公頃, 由於建廠及設備成本愈來愈高, 5納米3個廠區的總投資金額將創下新高紀錄, 設備業者推估應達2,000億元.
也因此, 台積電今年資本支出預計達108億美元已創下曆史新高, 明, 後兩年資本支出看來會高於今年. 台積電財務長何麗梅在日前法說會中就指出, 台積電未年幾年資本支出將維持在100億美元以上, 資本支出營收佔比將維持在30~ 35%.
台積電第四季已開始進行7納米試產, 預計明年第一季正式量產, 部光罩製程採用極紫外光 (EUV) 技術的7+納米預計在2019年進入量產. 至於5納米的部份, 目前規劃2019年下半年開始試產, 2020年進入量產.
再者, 台積電已決定選擇在南科園區興建3納米晶圓廠, 分別是南科Fab 14第11期及第12期, 由於目前台灣缺水缺電問題仍懸而未決, 台積電也持續與政府及主管機關溝通, 3納米新廠將在2020年開始建廠. 工商時報
6.三星擴產NAND Flash IC Insights估恐過剩
三星(Samsung)今年資本支出將倍增至260億美元, 其中, 又將以3D NANDFlash為最大宗, 研調機構IC Insights認為, 3D NANDFlash恐將供過於求.
IC Insights預估, 今年全球半導體資本支出金額將達908億美元, 將成長35%; 其中, 三星今年資本支出將倍增至260億美元, 比英特爾 (Intel) 與台積電的總和還多.
三星今年的資本支出主要投入3D儲存型快閃記憶體 (NAND Flash) , 將達140億美元, IC Insights指出, 三星將斥資70億美元, 推進動態隨機存取記憶體 (DRAM) 製程技術, 並彌補因製程轉換造成的產能損失.
在晶圓代工方面, IC Insights表示, 三星將投入50億美元擴增10奈米製程產能.
除三星投入巨額資本支出, SK海力士 (Hynix) 與美光 (Micron) 等三星競爭對手資本支出也將顯著增加, IC Insights認為, 這恐將引發3D NAND Flash市場供過於求. 中央社