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1.台湾封测厂: 两岸竞争不可避免;
谈到中国大陆半导体产业崛起, 日月光营运长吴田玉, 力成总经理洪嘉金俞 , 长华集团总裁黄嘉能及恒劲董事长兼执行长胡竹青等四巨头, 昨 (15) 日在台湾半导体产业协会 (TSIA) 年会上一致认为, 两岸未来激烈竞争不可避免 , 但也不要忽视两岸合作带来庞大的商机.
吴田玉指出, 未来十年电子终端产品将满地开花, 可望是未来半导体业的新机会, 台湾半导体产业链要有信心, 只是大陆本质上商业模式将大幅改变, 台湾产业要更能掌握大陆的改变.
洪嘉金俞认为, 台湾封测业应合并整合, 要打群架并透过差异化, 才有机会与大陆厂商竞争.
黄嘉能呼吁, 台湾要重视材料厂扮演的重要角色, 建构完整生态供应链, 否则一旦被击破, 肯定会面临严重冲击.
胡竹青则认为, 两岸半导体业应朝提升对方附加价值着手, 不要忽视大陆发展一带一路及核电. 经济日报
2.MLCC下月喊涨三成;
市场进入产业淡季, 但被动组件积层陶瓷电容 (MLCC) 缺货态势不变, 因此台系龙头厂国巨昨 (15) 日由旗下通路商国益向客户端发出今年第四度涨价 通知, 特定MLCC产品将于12月1日起涨价二到三成.
法人认为, 从国巨第四度喊涨的动作来看, 代表MLCC缺货到明年的态势相当确立, 对于MLCC的产品售价稳定上扬, 带动相关供应链营收成长; 但对下游客户而言, 成本压力锅续热.
国巨旗下国益向客户发出通知指出, 因多项原物料和人工成本持续上升, 加上NPO MLCC需求持续旺盛, 供需缺口日益扩大, 因此将于12月1日起针对占全体需求15%的全系列NPMLCC 延长交期, 并调整售价.
从国益发出的涨价通知来看, 交期将由原来的一到三个月拉长为六个月, 价格则会调涨二到三成, 甚至更高, 视实际品项而定. 这是国宏团今年发出的第四度涨价通知.
据了解, NPO MLCC价格一直较差, 导致日, 韩退出多数市场, 主力供货商为台厂和陆厂.
但因NPO MLCC今年以来成本持续上扬, 目前已是今年初的十倍, 且因MLCC持续缺货, 制造厂纷纷将产能转到单价高, 毛利好的产品, 导致NPO MLCC缺货更严重.
国巨是在今年4月宣布调高0603以上尺寸MLCC和芯片电阻产品售价, MLCC调幅约8%至10%, 芯片电阻涨幅约5%; 6月底二度宣布调涨; 9月则是第三度针对手机用量较多的MLCC喊涨.
3.因韩国地震影响, LGD部分产线停机三星SK海力士暂未受破坏;
集微网消息, 据彭博, 法新社与韩联社报导, 韩国在当地时间今天下午2时29分于东部海岸发生规模5.5地震, 震央位于韩国浦项市西北西方约 9.3 公里处, 震源深度约 10 公里, 首尔等多地均感受到震撼, 连日本长崎也都有感, 随后又传出 5.4, 3.6 余震, 民众惊慌逃出户外, 有部分建筑受损, 还有坍方状况出现; 报导指出, 韩国水利原子能公社表示, 国内核电站在正常运转.
这场地震在全韩国都感受得到, 不论是距离300多公里外的首尔, 第2大城釜山, 或是最大离岛的济州岛.
综合韩媒报导, 受地震影响, 乐金集团旗下的乐金显示器 (LG Display) 在地震后有部分产线暂时关闭, 并立即重新启动. LG Display计划监测情况, 为未来可能发生的余震做准备.
三星电子和SK海力士表示, 由于庆尚南道浦项地区5.4级的地震, 半导体生产线没有中断或损坏. 三星电子表示, 在地震发生后立即意识到京畿道聚兴和华城半导体工厂的状况, 并表明目前没有受到损害. 但是, 即使发生相对较小的地震, 已知通过向芯片施加光来打印半导体电路的照相设备也可以被自动暂时停止.
SK Hynix还表示, 京畿道, 忠北州的半导体工厂没有造成损坏或生产线中断. 一名公司负责人说: '如果有损坏, 员工应立即向中央防灾办公室报告.
去年9月在庆北发生的最大地震中, 三星电子和SK海力士半导体生产线的部分设备暂时关闭.
4.UltraSoC弱化SoC设计挑战, 加速支持中国本土化芯片开发;
(集微网/文 邓文标) '今天SoC设计的挑战越来越大, 上市周期要短, 系统级复杂性更强, 第三对于安全的防范也越大, 一颗芯片推向市场的成本也随之变高, 之所以产生这个现象的原因, 主要是因为芯片设计的方式还没有改变. ' UltraSoC首席执行官Rupert Baines在深圳媒体沟通会上表示, 目前芯片设计还是采用传统的设计方法很难解决这样的挑战.
UltraSoC首席执行官Rupert Baines
UltraSoC通过嵌入式分析IP, 简化了SoC的开发, 提供嵌入式的分析功能, 可以降低芯片设计成本, 工艺和集成等壁垒来加速新芯片设计的开发过程, 并兼容所有基础架构, 为不同量级的IC公司, 创客等都提供了驾驭客制化芯片的能力, 其竞争对手直指行业霸主Arm.
支持开源RISC-V架构, 改变SoC设计挑战
作为一家IP厂商, 成立于2011年的UltraSoC并不算资深, 但客户群已然不小. Rupert Baines表示, 我们的IP就是去帮助客户解决最难解决的问题, 去发现芯片设计中存在的各种问题.
目前, 已经结合UltraSoC的IP产品的客户有海思 (华为) , inter, Microsemi, Imagination, Movidius和PMC-Sierra等等, 并已经在40nm, 28nm, 16nm和7nm工艺节点上实现芯片成功流片.
UltraSoC的客户群快速成形与其开源的理念密不可分. '开源动向背后的理念是工程师不必去设计草图中的每一个部分, UltraSoC通过DesignShare来提供其IP, 将从根本上改变芯片设计面对的挑战. '
9月份, UltraSoC宣布将为基于RISC-V开源处理器架构规范的SiFive Freedom平台提供调试与追踪技术, 此前UltraSoC已经开发出处理器跟踪技术, 并被英特尔厂商采用. UltraSoC的调试与追踪功能将支持Freedom平台的用户去广泛对接其设计中所用到的各种工具与接口, 同时强化开源的RISC-V架构生态.
11月14日, Rupert Baines宣布, 美高森美公司 (Microsemi Corporation) 已购买了UltraSoC的通用分析与嵌入式智能平台授权, 用于RISC-V开源处理器架构的Microsemi产品. 这项新的合作也进一步推动了两家公司在RISC-V生态中的参与度, UltraSoC目前与六家主要RISC-V处理器提供商合作, 这是在公司稍早承诺支持快速成长的开源生态向前发展之后, 所取得的突破. UltraSoC也在今年六月宣布, 该公司已经推出了业内首个为RISC-V提供的处理器跟踪解决方案.
优化性能降低成本, 加速支持本土化芯片开发
UltraSoC的嵌入式半导体 IP产品支持复杂与高性能器件设计人员去创建一种片上架构, 它可以以非侵入式的方式去监测一款芯片的硬件与软件行为. 在开发过程中, 工程师可以利用该IP去对片上的处理器单元, 定制逻辑电路和系统软件之间的互通获得终极性的了解.
Rupert Baines表示, 采用UltraSoC的嵌入式IP分析技术可以获得的益处非常多, 譬如在做芯片设计时, CPU的速度没有规划的这么快, Ultra SOC 的IP技术就可以解决这种问题; 此外为解决CPU的缓存问题, Ultra SOC 可在软件层面, 优化缓存可使CPU的优化性能提升20%, 并为SoC设计人员提供有价值的嵌入式分析功能. 另据SemiCo Research估算, 芯片制造商通过在其开发流程中使用UltraSoC的IP技术, 可使众多项目的盈利能力翻倍, 而开发成本则可削减四分之一.
而除了在北美与欧洲的领先级客户, 已有多家领先的中国芯片设计机构为其相关项目选用了UltraSoC, 如华为海思等. 这些先进的芯片将有望用于多样化的应用, 包括下一代网络, 5G移动通信, 高性能计算 (HPC) , 人工智能 (AI) 等等. UltraSoC的技术正在强有力地服务这些采用ARM, RISC-V, MIPS及其他架构的伙伴.
'中国市场对于UltraSoC非常重要, 包括很多大客户都在中国, 中国在全球半导体行业中有很多市场激励, 包括新创公司开发新的SoC应用. ' Rupert Baines表示, 中国很多客户正在采用我们的IP技术设计产品, UltraSoC要让更多芯片厂商实现本土化. 基于此, UltraSoC将在北京举办的 '中国集成电路设计业2017年会暨北京集成电路产业创新发展高峰论坛 (ICCAD 2017) ' 上展出其片上监测与分析IP, Rupert Baines先生将带领团队出席该项活动, 并将在于11月17日举办的论坛3上, 发表题为 '系统级复杂性带来的挑战: 对一种用于调试, 安全性与安防措施架构的需求' 的演讲.
5.台积电启动5纳米建厂计划 月产能有望上看9~ 10万片
晶圆代工龙头台积电14日召开季度例行董事会, 会中决议通过资本预算约1,298亿元 (新台币, 下同) , 其中包括将投入逾505亿元兴建厂房的资本支出, 正式启动5纳米新厂的建厂计划.
设备业者指出, 台积电位于台湾地区南科园区内的5纳米新厂总投资金额上看2,000亿元, 要赶在2019年上半年完成建厂, 下半年进入试产, 2020年正式量产.
台积电昨天召开董事会, 会中决议核准资本预算约新台币1298亿元, 包括兴建厂房资本预算约505亿元, 其他项目资本预算约793亿元, 用来扩充及升级先进制程产能, 扩充先进封装制程产能, 扩充特殊制程产能, 转换逻辑制程产能为特殊制程产能, 及包括2018年第一季研发资本预算与经常性资本预算.
另外, 台积电董事会亦核准在额度不超过20亿美元范围内, 对台积电在英属维京群岛设立的百分之百持股子公司TSMC Global Ltd.增资, 以降低外汇避险成本.
此次台积电董事会决议最大的亮点, 在于台积电正式启动5纳米新厂的建厂计划. 台积电的10纳米及7纳米生产线集中在中科的12寸超大型晶圆厂Fab 15, 5纳米则是南科12寸超大型晶圆厂Fab 14的延伸, 预计将兴建第8期至第10期等共3个厂区, 5纳米合计月产能可望上看9~ 10万片.
台积电5纳米新厂今年9月动土, 占地超过40公顷, 由于建厂及设备成本愈来愈高, 5纳米3个厂区的总投资金额将创下新高纪录, 设备业者推估应达2,000亿元.
也因此, 台积电今年资本支出预计达108亿美元已创下历史新高, 明, 后两年资本支出看来会高于今年. 台积电财务长何丽梅在日前法说会中就指出, 台积电未年几年资本支出将维持在100亿美元以上, 资本支出营收占比将维持在30~ 35%.
台积电第四季已开始进行7纳米试产, 预计明年第一季正式量产, 部光罩制程采用极紫外光 (EUV) 技术的7+纳米预计在2019年进入量产. 至于5纳米的部份, 目前规划2019年下半年开始试产, 2020年进入量产.
再者, 台积电已决定选择在南科园区兴建3纳米晶圆厂, 分别是南科Fab 14第11期及第12期, 由于目前台湾缺水缺电问题仍悬而未决, 台积电也持续与政府及主管机关沟通, 3纳米新厂将在2020年开始建厂. 工商时报
6.三星扩产NAND Flash IC Insights估恐过剩
三星(Samsung)今年资本支出将倍增至260亿美元, 其中, 又将以3D NANDFlash为最大宗, 研调机构IC Insights认为, 3D NANDFlash恐将供过于求.
IC Insights预估, 今年全球半导体资本支出金额将达908亿美元, 将成长35%; 其中, 三星今年资本支出将倍增至260亿美元, 比英特尔 (Intel) 与台积电的总和还多.
三星今年的资本支出主要投入3D储存型闪存 (NAND Flash) , 将达140亿美元, IC Insights指出, 三星将斥资70亿美元, 推进动态随机存取内存 (DRAM) 制程技术, 并弥补因制程转换造成的产能损失.
在晶圆代工方面, IC Insights表示, 三星将投入50亿美元扩增10奈米制程产能.
除三星投入巨额资本支出, SK海力士 (Hynix) 与美光 (Micron) 等三星竞争对手资本支出也将显著增加, IC Insights认为, 这恐将引发3D NAND Flash市场供过于求. 中央社