消费者对于产品的要求已经不满足于现状, 在行动运算装置上, 不断追求功能更多且更轻薄的产品. 从前需要在笔电上作业的工作, 现在早已经可以在智能手机上完成. 更不用说现在的智能手表还能透过跟智能手机连结而做到以前想像不到的事情.
在许多非常在意微小化电路空间的设计中, 随着数据量的增加, 存储器占用的空间对于微型化设计来说非常关键. 快闪存储器的NOR通常用来储存开机程序, 而NAND通常用来储存大量数据. 在电路板设计时, 都必须为这些快闪存储器IC预留焊接空间.
串列式NOR和NAND快闪存储器因为脚位少, 更有利于微小型系统的设计. 而华邦电子所生产的串列式NOR和NAND快闪存储器约占全世界出货量的30%, 在串列式快闪存储器的出货量更是世界第一. 华邦电所发明的 Quad Serial Peripheral Interface (QSPI)是频宽更高, 更高速的传输介面, 可用来取代传统多脚位并列式快闪存储器的应用, 譬如, 用于微控制器和主芯片之间的连接.
为了符合微型化趋势的设计理念, 华邦电子提出了创新的应用方法, 把串列式快闪存储器NOR和NAND芯片堆叠在同一个芯片封装中. 这个方法取代了在电路设计中, 必须要使用两个单独芯片, 进而能节省电路设计的空间.
在这篇文章当中, 主要说明了在传统上使用上, 两个或多个堆叠芯片的应用情境中所会遭遇到的瓶颈与难题, 并说明如何借由华邦电所提出的堆叠芯片解决方案来解决这些问题, 来进一步提高产品的效能!
使用堆叠存储器芯片的好处
通常在一个小型的装置会使用一个16Mbit的NOR快闪存储器来储存开机程序,, 另外会用一个1Gbit的NAND快闪存储器来储存数据或作业系统. NOR快闪存储器具有快速读取的优势, 可让系统进行随机存取, 适用于需要经常快速读取数据的应用. 而NAND快闪存储器具有较快的写入速度, 价格上也较512Mbit以上的NOR快闪存储器来的便宜.
现行一般的设计大都是使用个别的NOR和NAND快闪存储器来和主芯片连接.
然而现行分别使用两个存储器的设计能透过华邦提供的SpiStackTM系列堆叠产品(如下图1)来达成相同的设计结果. 好处是能使电路板设计上减少一个存储器元件, 让电路设计更有弹性进而减少电路板的大小.
应用上除了NOR加上NAND的堆叠, 还可以是NOR加NOR或是NAND加NAND的堆叠组合. 例如原来设计是用512Mbit的NAND需要扩增到1Gbit, 但有可能1Gbit NAND的封装尺寸可能与原先使用的512Mbit不一样, 导致需要更改电路板设计. 而使用华邦这样有弹性的堆叠芯片组合, 用两个512Mbit NAND加NAND的芯片堆叠在原来的封装中, 不但可以让存储器容量增大为两倍, 还省去重新设计板子的问题.
堆叠芯片的主要概念是要减少芯片脚位, 让电路设计简化和减少重新设计所需的工作. 不过华邦推出的堆叠芯片方案不但能够完全不增加芯片脚位来维持电路设计的弹性, 还能进一步改善读写效能.
低脚位数的堆叠芯片方案
堆叠芯片一个主要的挑战在于: 如何让主芯片或微控制器跟堆叠在同一个封装里面的快闪存储器作沟通. 为了避免在SPI通讯介面上的冲突, 主芯片会透过芯片选择(CS)的硬体讯号来选择要存取的SPI介面快闪存储器.
在其它厂家的堆叠芯片作法, 芯片选择(CS)是透过硬体讯号来实现, 所以若是两个芯片的堆叠就需要两个芯片选择(CS)的脚位, 若是三个芯片的堆叠就需要三个芯片选择(CS)的脚位, 依此类推.
显然地这样的堆叠芯片作法, 增加了很多芯片选择(CS)的脚位, 当然在电路板上也需要较多的空间给这些讯号线.
然而透过华邦最新推出的W25M SpiStackTM系列快闪存储器, 可以解决这个问题, 主芯片借由使用软件的方式透过一个芯片选择(CS)的指令来选择要存取的快闪存储器芯片(如图2). 在堆叠芯片里的每一个芯片都有独立不冲突的识别码(ID), 透过识别码(ID)可让软件执行芯片选择(CS)并知道现在正在存取的芯片是哪一个.
因为是透过软件的方式由一个芯片选择(CS)的指令来选择要存取的快闪存储器芯片, 可让2~4个芯片封装在标准的8-pin SOP或8-pad SON封装中(如图3). 然而其他厂商堆叠芯片的作法必须多出相对应的芯片选择脚位(CS), 因而通常需要使用16-pin SOP或24-ball BGA相对尺寸较大的封装而增加电路设计的复杂度.
对于开发者而言, 要实现华邦SpiStackTM的多芯片选择(CS)指令相当容易. 'C2h' 指令可用于选择任一堆叠芯片来存取(如图4), 不管现在芯片状态为何, 都可在任一时间作切换去选择芯片.
如何达到较快速的读取和写入操作效能
相较于SRAM和DRAM而言, 写入速度慢是快闪存储器本质的特性. 系统常遇到的一个情况是当要读取快闪存储器时, 若刚好先前有执行过写入的指令, 这时若要读取快闪存储器则需要等待写入程序的完成, 如此一来就浪费系统在等待的时间. 另一个作法是执行指令让写入程序先暂停, 等待读取完所需的数据后, 再执行回覆写入指令让先前未完成的写入程序继续执行, 但这样的作法不但让执行上变的复杂, 也拖慢真正要读取与写入的时间.
华邦推出的堆叠芯片可以透过同时操作避免掉前述的问题. 也就是当一个芯片正在进行写入或擦除的程序时, 可以同时间地读取另外一个芯片(如图5).
图5: 在华邦快闪存储器的两个堆叠芯片中, 当一个芯片在执行写入或抹除时, 主芯片可以对另外一个芯片同时进行读取, 写入或抹除的程序.
如同先前的叙述, 在SPI介面上同一时间一次只能选取到一个芯片, 但是华邦SpiStackTM技术是可以让两个芯片同时进行操作. 例如, 当一个芯片在进行写入或抹除程序时可同时对另一个芯片作读取, 或是当一个芯片在进行写入或抹除程序时也可对另一个芯片同时下达写入或抹除的指令.
在很多的应用中, 若能够使用同时操作的程序就能够大幅提升存储器操作的效能. 这代表华邦SpiStackTM在操作上能够比其他只能单一执行一个程序的操作方式更快更有效率.
提供同质与异质的快闪存储器堆叠搭配组合
华邦的SpiStackTM堆叠芯片解决方案提供客户多种的快闪存储器容量与封装组合, 包含同质性的存储器堆叠(例如NOR+NOR或NAND+NAND)或是异质性的存储器堆叠(例如 NOR+NAND)等组合. 华邦作为世界级的存储器设计和制造商, 能够提供最多样化的产品组合来满足客户对存储器容量和封装的需求.
有弹性的设计和使用普遍的封装是开发设计者对于选用存储器的重要考量, 这样目的是可以让之后的设计可以直接更换不同容量的存储器而不需要作电路的变更.
目前已经可以供货的SpiStackTM堆叠芯片产品包含:
a 16Mbit NOR + 1Gbit NANDa 32Mbit NOR + 1Gbit NANDa 64Mbit NOR + 1Gbit NANDa 128Mbit NOR + 1Gbit NANDa 512Mbit NOR consisting of two 256Mbit NOR diesa 2Gbit NAND consisting of two 1Gbit NAND dies更多在2018年即将供货的产品组合在华邦电子的SpiStackTM产品型录当中, 其中也可透过客户提出的需求来计划供货.