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1.張汝京再創業! 芯恩整合電路製造 (SIMC) 落戶廣州;
集微網消息, 在今年9月, 集微網曾報道黃埔區政府, 廣州開發區管委會就與中國晶片領軍人物張汝京博士簽署該項目合作備忘錄. 張汝京及團隊計劃聯合晶片設計公司, 終端應用企業與晶片製造廠, 共同投資68億元建設協同式晶片製造 (CIDM) 項目, 投產後預計達產產值為31.6億元
據悉, 該項目一期總投資約68億元, 用地面積約20萬平方米, 產能設計為8寸晶片每月3萬片, 12寸晶片每月1萬片, 預計達產產值為31.6億元. 目前項目已進入公司註冊和安排用地階段.
據集微網了解到, 張汝京原本打算在寧波建廠, 但是由於寧波市政府決策太慢, 就先去廣州了. 廣州那邊的公司目前還沒註冊好, 寧波這邊也不排除二期建設的可能性. 其實早在去年11月, 中芯國際整合電路製造有限公司 '落子' 寧波, 因為寧波是中國半導體特種化學品進口口岸, 也是離中芯總部最近的二線城, 基於物流考慮, 加上寧波具備已經成熟的半導體材料供應鏈和加工基礎, 寧波廠將會建成全大陸最大規模的半導體特種技術研發與製造產業基地.
張汝京號召產業走共有協同式IDM公司 (CIDM, Commune IDM) 道路. 即晶片設計公司, 終端應用企業與晶片製造廠共同參與該項目投資, 通過成立合資公司將多方整合在一起, 使晶片設計公司擁有晶片製造廠的專屬產能及技術支援, 同時晶片製造廠得到市場保障. 此次引領協同式晶片 (CIDM) 項目, 是近70歲的張汝京重新回到整合電路製造領域, 但毫無疑問, CIDM模式是否適合中國發展? 推行過程中是否會遇到多重挑戰也是必須面臨的問題.
2.Cadence落戶南京市浦口區,成為繼引進台積電後的又一龍頭項目;
集微網南京報道 文/茅茅
11月13日, 電子設計自動化 (EDA) 與半導體智慧財產權 (IP) 的領先供應商美國楷登電子 (Cadence) 與南京市浦口區人民政府正式簽署戰略合作備忘錄以及投資協議. 據悉, Cadence 項目是南京市浦口區繼引進台積電之後在整合電路設計領域引進的又一個龍頭性項目, 曆經兩年的洽談, 在多方的共同努力下, 今天終於簽約落地.
南京市江北新區管委會常務副主任, 浦口區區委書記瞿為民先生致辭表示, 此次簽約儀式標誌著南京市浦口區與 Cadence 雙方的戰略投資進入實質性階段. 南京江北新區是江蘇省唯一的國家級新區, 浦口是江北新區的重要承載地, 而整合電路已經成為我們重點培育的新興技術產業. 在發展整合電路產業的實踐中, 高端晶片核心 IP 開發與服務一直是中國整合電路產業設計與發展的瓶頸, Cadence 是全球電子設計自動化工具公司的一級 IP, 是全球排名第一的EDA方案服務和設計服務的供應商, 將對南京整合電路全產業鏈的發展支撐起到非常重要的作用. 因此, Cadence 半導體產業基地區別於一般的投資性項目, 他能代表世界級的技術水平, 將對全國整合電路產業起到激勵的戰略性作用. 我們將堅決不負眾位的期望, 全力協調政策, 資源, 督促項目早開工, 早運營, 推動浦口整合電路產業走出國門, 走向世界.
Cadence 總裁兼首席執行官陳立武先生表示, Cadence 在中國擁有強大的技術支援團隊, 提供從系統軟硬體模擬驗證, 數字前端和後端及低功耗設計, 數模混合 RF 前端模擬與 DFM 以及後端物理驗證, SiP 封裝以及 PCB 設計等技術支援, 而未來10年, 20年 Cadence 將朝向系統設計方面工藝, 其中 IP 是很重要的一環. 隨著設計變得越來越複雜, Cadence 在最尖端的7nm, 5nm, 3nm上面花了很多精力, 可以為國內客戶提供更好的服務和支援. 在整個系統設計方面, 國內還需要更多的進步, 所以 Cadence 選擇落戶南京, 準備把國內的基礎建立起來, 在 IP 方面, 系統設計服務方面幫助國內更加的發展. Cadence 之所以選擇南京, 可謂是天時地利人和, 其中, 天時指的是大基金, 地利指的是南京方便的交通, 人和指的是人才, 南京有很多的大學, 可以培養很多的人才.
國家整合電路產業投資股份有限公司總裁丁文武先生表示, Cadence 和南京浦口區人民政府合作, 是 Cadence 在前段時間所做的一個戰略性選擇. Cadence 是全球 EDA 三大供應商之一, 不僅對全球 IC 產業做出了很大貢獻, 對中國 IC 產業也做出了很大的貢獻. 南京江北新區是江蘇省唯一的國家級新區, 它在整合電路產業方面做了很多工作, 先後有台積電, 紫光等落戶江北新區, 這次 Cadence 落戶到浦口區, 也是我們江北新區浦口區人民政府在發展整合電路產業中的重要工作, 也是 Cadence 明智的選擇. 南京市在大力發展 IC 產業, 所以也需要大批的 IC 企業落戶到南京. 中國整合電路產業發展不僅有中國企業參與, 也有海外企業參與, 資本的投入也包括中國資本和外國資本. 這次 Cadence 到南京的落戶, 實際上也是發展我們產業所需要的工具, IP, 我們也相信 Cadence 落戶南京, 江北新區和浦口區都將對其給予更多的政策和人才支援, 也希望 Cadence 能夠把好的技術, 產品帶到南京來.
東南大學國家 ASIC 工程中心主任時龍興先生對於 Cadence 終於在南京落戶表示了熱烈的祝賀. 時龍興先生表示, 整合電路產業發展的過程中, 應用的拉動, 以及工藝的進步是很重要的, 但更重要的是設計方法學的創新, 而 Cadence 作為全球領先的 EDA 和 IP 的提供商, 本身就是在設計方法學引領的核心. 相信 Cadence 在江北新區浦口區的落地, 一定會對產業生態的提升, 以及產業的發展起到更積極的作用.
江蘇省半導體行業協會副秘書長陳向真先生表示, 在國家整合電路產業發展推進綱要的指引下, 江蘇省尤其是南京市加快了整合電路產業發展的步伐, 台積電, 格科瑪, 華虹, 清華紫光等一批整合電路知名企業紛紛向省內集聚, 明後年將相繼建成投產. 同時, 整合電路設計業是整合電路產業鏈中的重要環節, 江蘇省南京市更是把整合電路設計業定位為整合電路產業的重點發展領域, 整合電路設計離不開 EDA 軟體工具和 IP 模組, 而 Cadence 公司是世界著名的 EDA 與 IP 的領先供應商, 今天, Cadence 公司在南京建立研發技術支援與服務機構, 為南京市的設計企業, 晶圓製造企業提供更加及時, 高效的技術支援和服務, 無疑將進一步促進江蘇省整合電路產業的發展.
3.MLCC單顆物料最大漲幅近10倍 缺貨潮於2018年中初步緩解;
集微網消息, MLCC受產能供需吃緊影響, 價格大漲, 已經完全超過預期. 根據近期供應鏈廠商反饋, 國巨今年來已經開展了3 輪MLCC漲價計劃; 潮州三環於10月9日起對MLCC產品價格調整及延長交期, 價格調漲幅度在15%以上; 國內MLCC龍頭風華高科已經宣布調價, 0201, 0402, 0603等主流型號全面漲價5%-30%.
那麼MLCC漲價幅度究竟有多大, 30%是最高溢價嗎? 據業內人士向集微網透露, MLCC這一輪漲價已經完成超過預期, 其中以村田MLCC的NPO物料漲幅最大, 今年初每顆NPO成本價約2毛錢, 如今每顆NPO已經漲到1.85元, 漲幅近10倍.
為什麼這顆NPO電容價格漲幅如此之高? 據上述業內人士透露, 主要是受iPhone8系列採用無線充電影響, 蘋果為其無線充電器AirPower已經大量採購了村田的NPO電容, 留給國內無線充電廠商的出貨量並不多, 產能供不應求, 再加之這顆電容替代料薄膜電容性能不好, 導致村田的NPO電容價格暴漲.
而且每個無線充電器用到的NPO電容遠不止一顆, 目前有國內廠商推出支援iPhone X的無線充電器就用到6顆NPO電容, 按現在1.85/PCS, 無線充電器中NPO電容合計要11.1元, 甚至更多.
事實上, 因無線充電的市場需求激增導致NPO電容價格暴漲, 這在MLCC這一輪漲價潮中尚屬於個例, 畢竟一部普通的智能手機, 至少需要300-400 顆MLCC, iPhone7 對MLCC 的用量更達到700 顆, iPhone8 則更多. 整體看, MLCC 產品缺貨, 市場供不應求, 可從日系大廠釋出產能, 供給結構變化調整, 以及市場需求大幅增加 3 個面向考察.
首先從去年 2016 年下半年開始, 日本村田和太陽誘電等大廠, 因應車用, 工業和 iPhone 需求, 計劃性逐步停產中低端應用的中高容 MLCC 產品, 釋出規模達 20% 的標準型 MLCC 產能, 這也意味日系大廠逐步退出一般標準型 MLCC 市場. 這主要是因為標準型的MLCC市場經過了數年的殺價競爭, 利潤空間所剩無幾, 而車用和工業需求量更大, 利潤更高.
其次, MLCC 供給結構出現變化調整. 被動元件業界高階財務主管指出, 日系 MLCC 廠商和部分台廠擴充利基型 MLCC 產品, 鎖定的是平均銷售價格和毛利較高的車用, 工業和高端手機應用. 這使得前段, 中段和後段 MLCC 生產設備遇到擴充瓶頸. 此前日本村田, 京瓷, TDK, 三星, 台灣國巨, 華星科佔據絕大多數MLCC市場份額, 隨著日本MLCC龍頭企業開始專註於做高端汽車MLCC 市場, 放棄中低端MLCC 市場, 使消費類市場對MLCC的產能需求受限, 無法匹配日益增長的市場需求.
第三就是市場需求快速擴大, 目前包括蘋果, 三星, 華為, Vivo和 Oppo 等手機品牌廠商, 對 MLCC 被動元件拉貨力道擴增; 加上快速充電, 無線充電燈功能需要高品質的電容器技術, 對 MLCC 產品需求量高, 此外車用電子 MLCC 量持續增加, 整體加劇MLCC 供不應求的狀況. 三大日本被動元件廠商將全力支援蘋果的MLCC產品, 沒有多餘產能給到其它手機廠商.
當然, 從原材料上看, 上遊核心原材料鈀金屬同比大幅上漲, 也是驅動行業價格持續上漲的重要因素. 目前國巨, 風華高科已經開展擴產, 去年風華高科MLCC月產能90億隻, 今年底有望擴至130億隻, 達產後MLCC產能相當於國巨去年產能的42.73%. 日系太陽誘電也發出擴產計劃, 3號廠房計劃2019年3月啟用生產, 屆時產能將可擴充到現在的1.6倍. 此外, 華新科也在啟動擴產, 擴產幅度約 10% 到 15%. 風華高科, 韓國 SEMCO 陸續擴充 MLCC 產能, 幅度大約 10% 到 15% 區間, 其中一半比例擴充標準型 MLCC, 另外一半比例擴充高端 MLCC產品.
不過業內人士分析認為, 儘管兩岸三地的MLCC 廠商陸續擴產, 但標準型 MLCC 產品依舊供不應求, 新增產能仍無法滿足旺盛市場需求, 市場價格仍將趨緊, 漲價行情有望延續至明年第二季度, 部分 MLCC 缺貨狀況甚至可能會延續到明年年底.
儘管當前被動元件產業第4季步入傳統淡季, 但是由於第2季度, 蘋果iPhone8系列啟動零部件備貨旺季, 三大日本被動元件廠商將全力支援蘋果的MLCC產品, 沒有多餘產能給到其它手機廠商, 目前供需缺口仍高達15% , MLCC市場在今年第4季度淡季不淡, 市場需求將會進一步增長. 此外, 因MLCC市場缺貨短時間內難以緩解, MLCC市場售價不減反增, MLCC廠商將持續享受缺貨紅利, 預計這波MLCC缺貨潮有望在明年第二度季度緩解.
4.國際大廠力量強勢, 中國存儲器明年迎 '大戰' ;
兆易創新與合肥市產業投資控股(集團)有限公司最近簽署《關於存儲器研發項目之合作協議》, 約定雙方在安徽省合肥市經濟技術開發區合作開展工藝製程19nm存儲器的12英寸晶圓存儲器(含DRAM等)研發項目, 項目預算約為180億元. 此前, 業界一直有兆易創新將與合肥長鑫合作發展DRAM記憶體晶片的消息傳出. 此協議的簽署表明兆易創新正式加入存儲競爭格局.
除兆易創新以及合肥長鑫外, 國內投入存儲晶片的主要企業還包括長江存儲和福建晉華, 目前三大存儲晶片企業均在加緊建設存儲晶片工廠, 最快的預計將於明年下半年開始投產. 也就是說, 2018年有望成為國產存儲器主流化發展元年.
兆易創新正式入局DRAM記憶體競爭
10月31日晚間, 兆易創新發布重大事項停牌公告, 稱擬籌劃重大事項, 該事項可能涉及發行股份購買資產. 業界分析此舉或與合肥方面簽署180億元存儲器項目有關. 根據合作協議, 兆易創新將在合肥市經濟技術開發區空港經濟示範區內開展工藝製程19nm存儲器的12英寸晶圓存儲器(含DRAM等)的研發, 目標是在2018年12月31日前研發成功, 即實現產品良率不低於10%. 項目預算達180億元, 兆易創新與合肥產投將根據1∶4的比例負責籌集, 兆易創新負責籌集約36億元.
當前, 兆易創新的主導產品為特種存儲器NOR Flash, 是全球五大NOR Flash供應商之一, 同時也供應SPI NAND和SLC NAND等. 兆易創新一直希望進入主流存儲器DRAM記憶體市場. 此前, 兆易創新曾計劃收購芯成半導體(ISSI), 作為DRAM研發基地. 芯成半導體是國際主要SRAM供應商之一, 也有部分DRAM產品. 該合作案終止後, 兆易創新又轉而啟動了與合肥的合作研發計劃. 作為合肥發展存儲器的主要平台, 合肥長鑫計劃投資72億美元建設存儲晶片工廠, 以DRAM存儲晶片為主.
目前國內主流存儲器晶片的參與者主要有三家, 分別是國家整合電路產業投資基金和紫光集團共同投資的長江存儲, 福建晉華和合肥長鑫. 長江存儲初期定位於3D NAND生產, 後期將進行DRAM產品的開發. 9月28日, 長江存儲的一號生產及動力廠房實現提前封頂, 預計將於2018年投入使用, 項目(一期)達產後, 總產能將達到30萬片/月, 年產值將超過100億美元. 長江存儲CEO楊士寧表示, 在武漢將產生距世界前沿最近的中國自主生產的存儲器晶片產品, 滿產後能供應國記憶體儲晶片需求的50%以上.
福建晉華以DRAM存儲晶片為主, 投資額達到370億元, 預計2018年投產. 其與中國台灣地區主要代工廠之一的聯電合作, 由後者協助開發DRAM存儲晶片技術. 日前, 聯電錶示將於明年第四季度完成第一階段技術開發.
國際大廠擴產將形成價格壓力
根據三家存儲廠的規劃, 研發及投產的時間點大多落在2018年. 因此, 明年將成為國產存儲器發展的關鍵一年. 而從市場狀況來看, 2017年全球記憶體晶片價格持續高漲, 集邦諮詢數據顯示, 2017年全球記憶體平均銷售單價較去年增長35.2%, 全球記憶體產業營收增長60%~ 65%. 如果這種局面得以延續, 對新投入存儲市場的中國企業來說將是一大利好, 對開局是一個有利條件.
然而, 日前有消息稱, 三星等國際存儲器大廠已有2018年擴產的計劃. 集邦諮詢半導體研究中心(DRAMeXchange)研究協理吳雅婷指出, 以主流標準型記憶體模組(DDR4 4GB)合約價為例, 從去年中開始起漲, 由當時的13美元均價拉升至今年第四季度合約價30.5美元, 報價連續6個季度增長, 合計漲幅超過130%, 帶動相關DRAM大廠獲利能力大幅提升. 在連續數季記憶體價格上升的帶動下, SK海力士, 美光皆累積許多現金在手. 有了豐沛的資源, SK海力士將在年底展開18nm製程, 無錫二廠也將在明年興建, 預計2019年產出;美光藉著股價水漲船高之際宣布現金增資, 代表未來在蓋新廠, 擴張產能與製程升級上做好了準備;三星也有意將其平澤廠二樓原定興建NAND的產線, 部分轉往生產DRAM, 並全數採用18nm製程, 加上原有Line17還有部分空間可以擴產, 預計三星此舉最多將2018年DRAM產出量提升80K~100K晶圓, 帶動三星明年產出供給量由原本預估的增長18%上升至23%.
三星等國際大廠的擴產勢必壓抑記憶體價格上漲幅度, 同時也將提升中國企業的進入門檻.
產業鏈密切協作推進存儲產業
市場對存儲晶片的需求在不斷增長, 根據IC Insights的數據, 2016年規模最大的細分市場是邏輯電路, 容量為883億美元;存儲晶片市場容量居第二位, 為743億美元, 兩者的差距已縮小到20%以內. 中國是全球最大的伺服器, PC和智能手機市場, 對存儲晶片的需求也極為龐大. 然而, 面對國際巨頭產能技術市場等全方位領先優勢, 中國發展存儲晶片勢必面臨巨大挑戰.
對此, 兆易創新董事長兼總經理朱一明指出, 目前中國企業在特殊存儲器市場已經形成一定基礎, 但在主流存儲器如NAND Flash, DRAM方面卻存在著鴻溝. 國內半導體產業崛起需要上下遊產業鏈之間密切協作互助, 形成合力. 此前, 兆易創新在NOR Flash方面與中芯國際合作, 發揮虛擬IDM的優勢. 在DRAM方面, 兆易創新也有可能採取同樣策略, 與合肥長鑫形成類似合作模式.
行業專家莫大康也指出, 中國發展存儲產業是一個長期的過程, 不可能一蹴而就. 在未來相當長的一段時間內, 中國半導體業必須是一個踏踏實實的 '跟隨者' 與 '學習者' , 同樣又是一個與產業共同進步的 '貢獻者' . 與全球其他地區不同, 此次中國傾全力來發展半導體業, 因此相對實力十分強大, 是全球其他地區與國家無法比擬的, 即便暫時道路有些迂迴, 也沒有什麼可怕的. 中國電子報
5.西安交大Science文章突破相變存儲速度極限
集微網消息, 據西安交大新聞網報道, 近日, 美國Science雜誌以First Release的形式發表了西安交通大學與上海微系統與資訊技術研究所的合作論文——Reducing the stochasticity of crystal nucleation to enable sub-nanosecond memory writing (降低晶體成核隨機性以實現亞納秒數據存儲) , 該工作從接收到線上發表僅10天.
處於數字全球化的今天, 爆炸式增長的資訊對數據的存儲與傳輸提出了極大的挑戰, 而且目前商用計算體系架構內各存儲部件, 即緩存 (SRAM) , 記憶體 (DRAM) 和快閃記憶體 (NAND Flash) 之間性能差距日益加大, 其間的數據交換效率也已成為了電子設備發展的瓶頸. 因此研發具備存儲密度大, 讀寫速度快, 能耗低, 非易失 (即斷電後數據不丟失) 等特點的新式通用式存儲介質勢在必行. 基於相變材料的相變存儲器 (PCRAM) 是最接近商業化的通用式存儲器, 由國際半導體巨頭Intel與Mircon聯合推出的首款商用相變存儲器 '傲騰' 已於今年投入市場. 我國科研人員在國家的大力支援下, 經過十多年的發展, 也已能夠初步實現相變存儲器的產業化. 但目前所有相變存儲器的讀寫速度仍然無法媲美高速型存儲器, 如記憶體 (納秒) 和緩存 (亞納秒) . 除去工業化工藝水平問題, 最為核心的難題是傳統相變材料 (鍺銻碲) 形核隨機性較大, 其結晶化過程通常需要幾十至幾百納秒, 而結晶化速度直接對應著寫入速度.
為解決寫入速度瓶頸問題, 西安交通大學材料學院金屬材料強度國家重點實驗室微納中心 (CAMP-Nano) 張偉教授, '千人計劃' 學者馬恩教授與中國科學院上海微系統與資訊技術研究所饒峰副研究員通力合作, 利用材料計算與設計的手段篩選出新型相變材料鈧銻碲合金. 該材料利用結構適配且更加穩定的鈧碲化學鍵來加速晶核的孕育過程, 顯著降低形核過程的隨機性, 大幅加快結晶化即寫入操作速度. 與業內性能最好的相變器件相比, 鈧銻碲器件的操作速度提升超過10多倍, 達到了0.7納秒的高速可逆操作, 並且降低操作功耗近10倍. 通過材料類比計算, 研究人員清晰地揭示了超快結晶化以及超低功耗的微觀機理. 這一研究成果對深入理解和調控非晶態材料的形核與生長機制具有重要的指導意義, 並為實現我國自主的通用存儲器技術奠定了基礎.