集微网推出集成电路微信公共号: '天天IC' , 重大新闻即时发布, 天天IC, 天天集微网, 积微成著! 复制 laoyaoic 微信公共号搜索添加关注.
1.张汝京再创业! 芯恩集成电路制造 (SIMC) 落户广州;
集微网消息, 在今年9月, 集微网曾报道黄埔区政府, 广州开发区管委会就与中国芯片领军人物张汝京博士签署该项目合作备忘录. 张汝京及团队计划联合芯片设计公司, 终端应用企业与芯片制造厂, 共同投资68亿元建设协同式芯片制造 (CIDM) 项目, 投产后预计达产产值为31.6亿元
据悉, 该项目一期总投资约68亿元, 用地面积约20万平方米, 产能设计为8寸芯片每月3万片, 12寸芯片每月1万片, 预计达产产值为31.6亿元. 目前项目已进入公司注册和安排用地阶段.
据集微网了解到, 张汝京原本打算在宁波建厂, 但是由于宁波市政府决策太慢, 就先去广州了. 广州那边的公司目前还没注册好, 宁波这边也不排除二期建设的可能性. 其实早在去年11月, 中芯国际集成电路制造有限公司 '落子' 宁波, 因为宁波是中国半导体特种化学品进口口岸, 也是离中芯总部最近的二线城, 基于物流考虑, 加上宁波具备已经成熟的半导体材料供应链和加工基础, 宁波厂将会建成全大陆最大规模的半导体特种技术研发与制造产业基地.
张汝京号召产业走共有协同式IDM公司 (CIDM, Commune IDM) 道路. 即芯片设计公司, 终端应用企业与芯片制造厂共同参与该项目投资, 通过成立合资公司将多方整合在一起, 使芯片设计公司拥有芯片制造厂的专属产能及技术支持, 同时芯片制造厂得到市场保障. 此次引领协同式芯片 (CIDM) 项目, 是近70岁的张汝京重新回到集成电路制造领域, 但毫无疑问, CIDM模式是否适合中国发展? 推行过程中是否会遇到多重挑战也是必须面临的问题.
2.Cadence落户南京市浦口区,成为继引进台积电后的又一龙头项目;
集微网南京报道 文/茅茅
11月13日, 电子设计自动化 (EDA) 与半导体知识产权 (IP) 的领先供应商美国楷登电子 (Cadence) 与南京市浦口区人民政府正式签署战略合作备忘录以及投资协议. 据悉, Cadence 项目是南京市浦口区继引进台积电之后在集成电路设计领域引进的又一个龙头性项目, 历经两年的洽谈, 在多方的共同努力下, 今天终于签约落地.
南京市江北新区管委会常务副主任, 浦口区区委书记瞿为民先生致辞表示, 此次签约仪式标志着南京市浦口区与 Cadence 双方的战略投资进入实质性阶段. 南京江北新区是江苏省唯一的国家级新区, 浦口是江北新区的重要承载地, 而集成电路已经成为我们重点培育的新兴技术产业. 在发展集成电路产业的实践中, 高端芯片核心 IP 开发与服务一直是中国集成电路产业设计与发展的瓶颈, Cadence 是全球电子设计自动化工具公司的一级 IP, 是全球排名第一的EDA方案服务和设计服务的供应商, 将对南京集成电路全产业链的发展支撑起到非常重要的作用. 因此, Cadence 半导体产业基地区别于一般的投资性项目, 他能代表世界级的技术水平, 将对全国集成电路产业起到激励的战略性作用. 我们将坚决不负众位的期望, 全力协调政策, 资源, 督促项目早开工, 早运营, 推动浦口集成电路产业走出国门, 走向世界.
Cadence 总裁兼首席执行官陈立武先生表示, Cadence 在中国拥有强大的技术支持团队, 提供从系统软硬件仿真验证, 数字前端和后端及低功耗设计, 数模混合 RF 前端仿真与 DFM 以及后端物理验证, SiP 封装以及 PCB 设计等技术支持, 而未来10年, 20年 Cadence 将朝向系统设计方面工艺, 其中 IP 是很重要的一环. 随着设计变得越来越复杂, Cadence 在最尖端的7nm, 5nm, 3nm上面花了很多精力, 可以为国内客户提供更好的服务和支持. 在整个系统设计方面, 国内还需要更多的进步, 所以 Cadence 选择落户南京, 准备把国内的基础建立起来, 在 IP 方面, 系统设计服务方面帮助国内更加的发展. Cadence 之所以选择南京, 可谓是天时地利人和, 其中, 天时指的是大基金, 地利指的是南京方便的交通, 人和指的是人才, 南京有很多的大学, 可以培养很多的人才.
国家集成电路产业投资股份有限公司总裁丁文武先生表示, Cadence 和南京浦口区人民政府合作, 是 Cadence 在前段时间所做的一个战略性选择. Cadence 是全球 EDA 三大供应商之一, 不仅对全球 IC 产业做出了很大贡献, 对中国 IC 产业也做出了很大的贡献. 南京江北新区是江苏省唯一的国家级新区, 它在集成电路产业方面做了很多工作, 先后有台积电, 紫光等落户江北新区, 这次 Cadence 落户到浦口区, 也是我们江北新区浦口区人民政府在发展集成电路产业中的重要工作, 也是 Cadence 明智的选择. 南京市在大力发展 IC 产业, 所以也需要大批的 IC 企业落户到南京. 中国集成电路产业发展不仅有中国企业参与, 也有海外企业参与, 资本的投入也包括中国资本和外国资本. 这次 Cadence 到南京的落户, 实际上也是发展我们产业所需要的工具, IP, 我们也相信 Cadence 落户南京, 江北新区和浦口区都将对其给予更多的政策和人才支持, 也希望 Cadence 能够把好的技术, 产品带到南京来.
东南大学国家 ASIC 工程中心主任时龙兴先生对于 Cadence 终于在南京落户表示了热烈的祝贺. 时龙兴先生表示, 集成电路产业发展的过程中, 应用的拉动, 以及工艺的进步是很重要的, 但更重要的是设计方法学的创新, 而 Cadence 作为全球领先的 EDA 和 IP 的提供商, 本身就是在设计方法学引领的核心. 相信 Cadence 在江北新区浦口区的落地, 一定会对产业生态的提升, 以及产业的发展起到更积极的作用.
江苏省半导体行业协会副秘书长陈向真先生表示, 在国家集成电路产业发展推进纲要的指引下, 江苏省尤其是南京市加快了集成电路产业发展的步伐, 台积电, 格科玛, 华虹, 清华紫光等一批集成电路知名企业纷纷向省内集聚, 明后年将相继建成投产. 同时, 集成电路设计业是集成电路产业链中的重要环节, 江苏省南京市更是把集成电路设计业定位为集成电路产业的重点发展领域, 集成电路设计离不开 EDA 软件工具和 IP 模块, 而 Cadence 公司是世界著名的 EDA 与 IP 的领先供应商, 今天, Cadence 公司在南京建立研发技术支持与服务机构, 为南京市的设计企业, 晶圆制造企业提供更加及时, 高效的技术支持和服务, 无疑将进一步促进江苏省集成电路产业的发展.
3.MLCC单颗物料最大涨幅近10倍 缺货潮于2018年中初步缓解;
集微网消息, MLCC受产能供需吃紧影响, 价格大涨, 已经完全超过预期. 根据近期供应链厂商反馈, 国巨今年来已经开展了3 轮MLCC涨价计划; 潮州三环于10月9日起对MLCC产品价格调整及延长交期, 价格调涨幅度在15%以上; 国内MLCC龙头风华高科已经宣布调价, 0201, 0402, 0603等主流型号全面涨价5%-30%.
那么MLCC涨价幅度究竟有多大, 30%是最高溢价吗? 据业内人士向集微网透露, MLCC这一轮涨价已经完成超过预期, 其中以村田MLCC的NPO物料涨幅最大, 今年初每颗NPO成本价约2毛钱, 如今每颗NPO已经涨到1.85元, 涨幅近10倍.
为什么这颗NPO电容价格涨幅如此之高? 据上述业内人士透露, 主要是受iPhone8系列采用无线充电影响, 苹果为其无线充电器AirPower已经大量采购了村田的NPO电容, 留给国内无线充电厂商的出货量并不多, 产能供不应求, 再加之这颗电容替代料薄膜电容性能不好, 导致村田的NPO电容价格暴涨.
而且每个无线充电器用到的NPO电容远不止一颗, 目前有国内厂商推出支持iPhone X的无线充电器就用到6颗NPO电容, 按现在1.85/PCS, 无线充电器中NPO电容合计要11.1元, 甚至更多.
事实上, 因无线充电的市场需求激增导致NPO电容价格暴涨, 这在MLCC这一轮涨价潮中尚属于个例, 毕竟一部普通的智能手机, 至少需要300-400 颗MLCC, iPhone7 对MLCC 的用量更达到700 颗, iPhone8 则更多. 整体看, MLCC 产品缺货, 市场供不应求, 可从日系大厂释出产能, 供给结构变化调整, 以及市场需求大幅增加 3 个面向考察.
首先从去年 2016 年下半年开始, 日本村田和太阳诱电等大厂, 因应车用, 工业和 iPhone 需求, 计划性逐步停产中低端应用的中高容 MLCC 产品, 释出规模达 20% 的标准型 MLCC 产能, 这也意味日系大厂逐步退出一般标准型 MLCC 市场. 这主要是因为标准型的MLCC市场经过了数年的杀价竞争, 利润空间所剩无几, 而车用和工业需求量更大, 利润更高.
其次, MLCC 供给结构出现变化调整. 被动元件业界高阶财务主管指出, 日系 MLCC 厂商和部分台厂扩充利基型 MLCC 产品, 锁定的是平均销售价格和毛利较高的车用, 工业和高端手机应用. 这使得前段, 中段和后段 MLCC 生产设备遇到扩充瓶颈. 此前日本村田, 京瓷, TDK, 三星, 台湾国巨, 华星科占据绝大多数MLCC市场份额, 随着日本MLCC龙头企业开始专注于做高端汽车MLCC 市场, 放弃中低端MLCC 市场, 使消费类市场对MLCC的产能需求受限, 无法匹配日益增长的市场需求.
第三就是市场需求快速扩大, 目前包括苹果, 三星, 华为, Vivo和 Oppo 等手机品牌厂商, 对 MLCC 被动元件拉货力道扩增; 加上快速充电, 无线充电灯功能需要高品质的电容器技术, 对 MLCC 产品需求量高, 此外车用电子 MLCC 量持续增加, 整体加剧MLCC 供不应求的状况. 三大日本被动元件厂商将全力支持苹果的MLCC产品, 没有多余产能给到其它手机厂商.
当然, 从原材料上看, 上游核心原材料钯金属同比大幅上涨, 也是驱动行业价格持续上涨的重要因素. 目前国巨, 风华高科已经开展扩产, 去年风华高科MLCC月产能90亿只, 今年底有望扩至130亿只, 达产后MLCC产能相当于国巨去年产能的42.73%. 日系太阳诱电也发出扩产计划, 3号厂房计划2019年3月启用生产, 届时产能将可扩充到现在的1.6倍. 此外, 华新科也在启动扩产, 扩产幅度约 10% 到 15%. 风华高科, 韩国 SEMCO 陆续扩充 MLCC 产能, 幅度大约 10% 到 15% 区间, 其中一半比例扩充标准型 MLCC, 另外一半比例扩充高端 MLCC产品.
不过业内人士分析认为, 尽管两岸三地的MLCC 厂商陆续扩产, 但标准型 MLCC 产品依旧供不应求, 新增产能仍无法满足旺盛市场需求, 市场价格仍将趋紧, 涨价行情有望延续至明年第二季度, 部分 MLCC 缺货状况甚至可能会延续到明年年底.
尽管当前被动元件产业第4季步入传统淡季, 但是由于第2季度, 苹果iPhone8系列启动零部件备货旺季, 三大日本被动元件厂商将全力支持苹果的MLCC产品, 没有多余产能给到其它手机厂商, 目前供需缺口仍高达15% , MLCC市场在今年第4季度淡季不淡, 市场需求将会进一步增长. 此外, 因MLCC市场缺货短时间内难以缓解, MLCC市场售价不减反增, MLCC厂商将持续享受缺货红利, 预计这波MLCC缺货潮有望在明年第二度季度缓解.
4.国际大厂力量强势, 中国存储器明年迎 '大战' ;
兆易创新与合肥市产业投资控股(集团)有限公司最近签署《关于存储器研发项目之合作协议》, 约定双方在安徽省合肥市经济技术开发区合作开展工艺制程19nm存储器的12英寸晶圆存储器(含DRAM等)研发项目, 项目预算约为180亿元. 此前, 业界一直有兆易创新将与合肥长鑫合作发展DRAM内存芯片的消息传出. 此协议的签署表明兆易创新正式加入存储竞争格局.
除兆易创新以及合肥长鑫外, 国内投入存储芯片的主要企业还包括长江存储和福建晋华, 目前三大存储芯片企业均在加紧建设存储芯片工厂, 最快的预计将于明年下半年开始投产. 也就是说, 2018年有望成为国产存储器主流化发展元年.
兆易创新正式入局DRAM内存竞争
10月31日晚间, 兆易创新发布重大事项停牌公告, 称拟筹划重大事项, 该事项可能涉及发行股份购买资产. 业界分析此举或与合肥方面签署180亿元存储器项目有关. 根据合作协议, 兆易创新将在合肥市经济技术开发区空港经济示范区内开展工艺制程19nm存储器的12英寸晶圆存储器(含DRAM等)的研发, 目标是在2018年12月31日前研发成功, 即实现产品良率不低于10%. 项目预算达180亿元, 兆易创新与合肥产投将根据1∶4的比例负责筹集, 兆易创新负责筹集约36亿元.
当前, 兆易创新的主导产品为特种存储器NOR Flash, 是全球五大NOR Flash供应商之一, 同时也供应SPI NAND和SLC NAND等. 兆易创新一直希望进入主流存储器DRAM内存市场. 此前, 兆易创新曾计划收购芯成半导体(ISSI), 作为DRAM研发基地. 芯成半导体是国际主要SRAM供应商之一, 也有部分DRAM产品. 该合作案终止后, 兆易创新又转而启动了与合肥的合作研发计划. 作为合肥发展存储器的主要平台, 合肥长鑫计划投资72亿美元建设存储芯片工厂, 以DRAM存储芯片为主.
目前国内主流存储器芯片的参与者主要有三家, 分别是国家集成电路产业投资基金和紫光集团共同投资的长江存储, 福建晋华和合肥长鑫. 长江存储初期定位于3D NAND生产, 后期将进行DRAM产品的开发. 9月28日, 长江存储的一号生产及动力厂房实现提前封顶, 预计将于2018年投入使用, 项目(一期)达产后, 总产能将达到30万片/月, 年产值将超过100亿美元. 长江存储CEO杨士宁表示, 在武汉将产生距世界前沿最近的中国自主生产的存储器芯片产品, 满产后能供应国内存储芯片需求的50%以上.
福建晋华以DRAM存储芯片为主, 投资额达到370亿元, 预计2018年投产. 其与中国台湾地区主要代工厂之一的联电合作, 由后者协助开发DRAM存储芯片技术. 日前, 联电表示将于明年第四季度完成第一阶段技术开发.
国际大厂扩产将形成价格压力
根据三家存储厂的规划, 研发及投产的时间点大多落在2018年. 因此, 明年将成为国产存储器发展的关键一年. 而从市场状况来看, 2017年全球内存芯片价格持续高涨, 集邦咨询数据显示, 2017年全球内存平均销售单价较去年增长35.2%, 全球内存产业营收增长60%~ 65%. 如果这种局面得以延续, 对新投入存储市场的中国企业来说将是一大利好, 对开局是一个有利条件.
然而, 日前有消息称, 三星等国际存储器大厂已有2018年扩产的计划. 集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)研究协理吴雅婷指出, 以主流标准型内存模组(DDR4 4GB)合约价为例, 从去年中开始起涨, 由当时的13美元均价拉升至今年第四季度合约价30.5美元, 报价连续6个季度增长, 合计涨幅超过130%, 带动相关DRAM大厂获利能力大幅提升. 在连续数季内存价格上升的带动下, SK海力士, 美光皆累积许多现金在手. 有了丰沛的资源, SK海力士将在年底展开18nm制程, 无锡二厂也将在明年兴建, 预计2019年产出;美光借着股价水涨船高之际宣布现金增资, 代表未来在盖新厂, 扩张产能与制程升级上做好了准备;三星也有意将其平泽厂二楼原定兴建NAND的产线, 部分转往生产DRAM, 并全数采用18nm制程, 加上原有Line17还有部分空间可以扩产, 预计三星此举最多将2018年DRAM产出量提升80K~100K晶圆, 带动三星明年产出供给量由原本预估的增长18%上升至23%.
三星等国际大厂的扩产势必压抑内存价格上涨幅度, 同时也将提升中国企业的进入门槛.
产业链密切协作推进存储产业
市场对存储芯片的需求在不断增长, 根据IC Insights的数据, 2016年规模最大的细分市场是逻辑电路, 容量为883亿美元;存储芯片市场容量居第二位, 为743亿美元, 两者的差距已缩小到20%以内. 中国是全球最大的服务器, PC和智能手机市场, 对存储芯片的需求也极为庞大. 然而, 面对国际巨头产能技术市场等全方位领先优势, 中国发展存储芯片势必面临巨大挑战.
对此, 兆易创新董事长兼总经理朱一明指出, 目前中国企业在特殊存储器市场已经形成一定基础, 但在主流存储器如NAND Flash, DRAM方面却存在着鸿沟. 国内半导体产业崛起需要上下游产业链之间密切协作互助, 形成合力. 此前, 兆易创新在NOR Flash方面与中芯国际合作, 发挥虚拟IDM的优势. 在DRAM方面, 兆易创新也有可能采取同样策略, 与合肥长鑫形成类似合作模式.
行业专家莫大康也指出, 中国发展存储产业是一个长期的过程, 不可能一蹴而就. 在未来相当长的一段时间内, 中国半导体业必须是一个踏踏实实的 '跟随者' 与 '学习者' , 同样又是一个与产业共同进步的 '贡献者' . 与全球其他地区不同, 此次中国倾全力来发展半导体业, 因此相对实力十分强大, 是全球其他地区与国家无法比拟的, 即便暂时道路有些迂回, 也没有什么可怕的. 中国电子报
5.西安交大Science文章突破相变存储速度极限
集微网消息, 据西安交大新闻网报道, 近日, 美国Science杂志以First Release的形式发表了西安交通大学与上海微系统与信息技术研究所的合作论文——Reducing the stochasticity of crystal nucleation to enable sub-nanosecond memory writing (降低晶体成核随机性以实现亚纳秒数据存储) , 该工作从接收到在线发表仅10天.
处于数字全球化的今天, 爆炸式增长的信息对数据的存储与传输提出了极大的挑战, 而且目前商用计算体系架构内各存储部件, 即缓存 (SRAM) , 内存 (DRAM) 和闪存 (NAND Flash) 之间性能差距日益加大, 其间的数据交换效率也已成为了电子设备发展的瓶颈. 因此研发具备存储密度大, 读写速度快, 能耗低, 非易失 (即断电后数据不丢失) 等特点的新式通用式存储介质势在必行. 基于相变材料的相变存储器 (PCRAM) 是最接近商业化的通用式存储器, 由国际半导体巨头Intel与Mircon联合推出的首款商用相变存储器 '傲腾' 已于今年投入市场. 我国科研人员在国家的大力支持下, 经过十多年的发展, 也已能够初步实现相变存储器的产业化. 但目前所有相变存储器的读写速度仍然无法媲美高速型存储器, 如内存 (纳秒) 和缓存 (亚纳秒) . 除去工业化工艺水平问题, 最为核心的难题是传统相变材料 (锗锑碲) 形核随机性较大, 其结晶化过程通常需要几十至几百纳秒, 而结晶化速度直接对应着写入速度.
为解决写入速度瓶颈问题, 西安交通大学材料学院金属材料强度国家重点实验室微纳中心 (CAMP-Nano) 张伟教授, '千人计划' 学者马恩教授与中国科学院上海微系统与信息技术研究所饶峰副研究员通力合作, 利用材料计算与设计的手段筛选出新型相变材料钪锑碲合金. 该材料利用结构适配且更加稳定的钪碲化学键来加速晶核的孕育过程, 显著降低形核过程的随机性, 大幅加快结晶化即写入操作速度. 与业内性能最好的相变器件相比, 钪锑碲器件的操作速度提升超过10多倍, 达到了0.7纳秒的高速可逆操作, 并且降低操作功耗近10倍. 通过材料模拟计算, 研究人员清晰地揭示了超快结晶化以及超低功耗的微观机理. 这一研究成果对深入理解和调控非晶态材料的形核与生长机制具有重要的指导意义, 并为实现我国自主的通用存储器技术奠定了基础.