展望下一個季度, DRAMeXchange研究協理吳雅婷指出, 整體而言, 第四季DRAM價格平均漲幅將落在10%. 其中, PC-OEM廠已議定第四季度合約價格, 就一線大廠定價來看, 均價已正式突破30美元, 落在30.5美元, 較上一季平均漲幅約達7%; 從市場面來觀察, 此波漲幅主要受到行動式記憶體接棒漲價帶動, 配合DRAM供給吃緊的狀況延續, 以及智能手機旗艦機種的旺季效應, 以三星為首的DRAM廠決定調升行動式記憶體報價, 而手機客戶為了備有足夠庫存也只能接受, 因此行動式記憶體在第四季漲幅約有10-20%(取決於不同的容量); 而伺服器記憶體拉貨動能亦十分強勁, 第四季度合約價繼續上漲6-10%.
兩大韓廠第三季合并市佔率達74.5%, 美光第四季可望縮小市佔差距
綜觀第三季營收表現, 三星依然穩坐DRAM產業的龍頭, 營收來到88億美元, 較第二季成長15.2%, 再度創下曆史新高; 而SK海力士營收金額來到55億美元, 較前一季成長22.5%, 成長動能顯著, 兩大韓廠的市佔各為45.8%與28.7%, 合計已囊括74.5%的市佔率. 美光集團仍舊維持第三, 營收金額為40億美元, 季增13.0%, 市佔21.0%. 由於SK海力士本季平均銷售單價高於美光, 導致兩者三季的市佔差距持續擴張; 展望第四季, 由於美光逆勢成為價格領導者, 價格漲幅超越兩大韓系廠, 預計將縮減與第二名的市佔差距.
受到價格持續上漲以及製程微縮所帶來的成本效益, 三星第三季度營業利益率衝破60%大關, 來到62%曆史新高; SK海力士亦從第二季度的54%再提升至56%; 美光在17nm良率逐漸穩定下, 營業利益率從44%來到50%, 成長最為顯著. 展望第四季, 受惠於DRAM價格持續上漲, 各家獲利可望進一步提升.
三星正思索擴產計劃, SK海力士與美光專註良率與製程轉進
觀察各廠技術與產能布局, 三星今年的目標除了專註於18nm製程的持續轉進外, 近幾季DRAM同業的高獲利, 亦刺激三星開始思索可能的DRAM擴產計劃, 一方面應對供給吃緊狀況, 另一方面則期望提高DRAM產出量, 壓抑DRAM價格上漲幅度. 三星此舉將可鞏固領先地位, 維持與其他DRAM大廠1-2年以上的技術差距.
反觀SK海力士今年目標還是著重於21nm的良率提升與該製程佔比, 18nm製程產品則預計年底會有小量出貨; 至於擴廠計劃, SK海力士在中國無錫新建的第二座12英寸廠最快要到2019年才會有產能開出; 而美光方面, 台灣美光記憶體(原瑞晶)目前仍致力於改善17nm產品的穩定度, 預期到年底良率可達80%以上, 而台灣美光晶圓科技(原華亞科)今年仍以20nm製程良率的提升為主, 明年將可望有一半產能轉往17nm生產.
台系廠商部分, 南亞科第三季營收較前一季小幅成長5.3%, 主要因為該公司以利基型產品為主, 價格上揚幅度不及國際大廠較完整的產品線. 展望未來, 由於該公司20nm良率繼續提升, 將會持續改善成本結構, 增加南亞科的獲利空間. 力晶科技方面, DRAM季營收下滑3.6%, 主因是替晶豪科, 愛普等代工的獲利佳, 排擠部分DRAM產能; 華邦方面營收則成長8.7%, 但由於後續製程轉進狀況不明, 未來獲利狀況將完全受記憶體平均銷售單價提升的牽動.