展望下一个季度, DRAMeXchange研究协理吴雅婷指出, 整体而言, 第四季DRAM价格平均涨幅将落在10%. 其中, PC-OEM厂已议定第四季度合约价格, 就一线大厂定价来看, 均价已正式突破30美元, 落在30.5美元, 较上一季平均涨幅约达7%; 从市场面来观察, 此波涨幅主要受到行动式内存接棒涨价带动, 配合DRAM供给吃紧的状况延续, 以及智能手机旗舰机种的旺季效应, 以三星为首的DRAM厂决定调升行动式内存报价, 而手机客户为了备有足够库存也只能接受, 因此行动式内存在第四季涨幅约有10-20%(取决于不同的容量); 而服务器内存拉货动能亦十分强劲, 第四季度合约价继续上涨6-10%.
两大韩厂第三季合并市占率达74.5%, 美光第四季可望缩小市占差距
综观第三季营收表现, 三星依然稳坐DRAM产业的龙头, 营收来到88亿美元, 较第二季成长15.2%, 再度创下历史新高; 而SK海力士营收金额来到55亿美元, 较前一季成长22.5%, 成长动能显著, 两大韩厂的市占各为45.8%与28.7%, 合计已囊括74.5%的市占率. 美光集团仍旧维持第三, 营收金额为40亿美元, 季增13.0%, 市占21.0%. 由于SK海力士本季平均销售单价高于美光, 导致两者三季的市占差距持续扩张; 展望第四季, 由于美光逆势成为价格领导者, 价格涨幅超越两大韩系厂, 预计将缩减与第二名的市占差距.
受到价格持续上涨以及制程微缩所带来的成本效益, 三星第三季度营业利益率冲破60%大关, 来到62%历史新高; SK海力士亦从第二季度的54%再提升至56%; 美光在17nm良率逐渐稳定下, 营业利益率从44%来到50%, 成长最为显著. 展望第四季, 受惠于DRAM价格持续上涨, 各家获利可望进一步提升.
三星正思索扩产计划, SK海力士与美光专注良率与制程转进
观察各厂技术与产能布局, 三星今年的目标除了专注于18nm制程的持续转进外, 近几季DRAM同业的高获利, 亦刺激三星开始思索可能的DRAM扩产计划, 一方面应对供给吃紧状况, 另一方面则期望提高DRAM产出量, 压抑DRAM价格上涨幅度. 三星此举将可巩固领先地位, 维持与其他DRAM大厂1-2年以上的技术差距.
反观SK海力士今年目标还是着重于21nm的良率提升与该制程占比, 18nm制程产品则预计年底会有小量出货; 至于扩厂计划, SK海力士在中国无锡新建的第二座12英寸厂最快要到2019年才会有产能开出; 而美光方面, 台湾美光内存(原瑞晶)目前仍致力于改善17nm产品的稳定度, 预期到年底良率可达80%以上, 而台湾美光晶圆科技(原华亚科)今年仍以20nm制程良率的提升为主, 明年将可望有一半产能转往17nm生产.
台系厂商部分, 南亚科第三季营收较前一季小幅成长5.3%, 主要因为该公司以利基型产品为主, 价格上扬幅度不及国际大厂较完整的产品线. 展望未来, 由于该公司20nm良率继续提升, 将会持续改善成本结构, 增加南亚科的获利空间. 力晶科技方面, DRAM季营收下滑3.6%, 主因是替晶豪科, 爱普等代工的获利佳, 排挤部分DRAM产能; 华邦方面营收则成长8.7%, 但由于后续制程转进状况不明, 未来获利状况将完全受内存平均销售单价提升的牵动.