氮化鎵又被稱作第三代半導體, 是當今世界上最具潛力的半導體材料之一, 並被預言將會在不久的未來改變世界. 矽基氮化鎵產業早在20年前就開始在歐洲和美國等地發展, 如今在產品和技術方面已經取得了重大進展. 然後, 在中國該產業才剛起步, 中國在這一產品領域尚屬空白.
英諾賽科 (珠海) 科技有限公司擁有世界領先的8英寸矽基氮化鎵外延技術, 突破了低翹曲度, 低缺陷及位錯密度, 低漏電晶圓製造的全球性挑戰, 將碎片率大幅降至1%以下領先水平. 經過兩年的努力, 該公司已建成中國首條完整8英寸矽基氮化鎵外延與晶片量產生產線, 主要產品包括100V-650V氮化鎵功率器件, 設計及性能均達到國際最先進水平, 將廣泛應用於電力電子, 新能源, 電動汽車, 資訊與通信和智能工業等領域.
'建設一個自主可控, 安全的生產體系, 這是半導體行業, 資訊產業的責任. 企業只有建立起自己的研發體系, 人才體系, 這樣才能不斷進步, 不斷領先. ' 中國半導體行業協會執行副理事長兼秘書長徐小田當天在現場表示, 作為半導體行業協會, 政策上將著重在科研體系的建立, 人才培養等方面給予關注, 與所有企業一起改善環境, 參與國際競爭, 國際交流, 推動產業發展.
當天, 多名業內專家在隨後舉行的研討會上談到, 氮化鎵產業已經到了爆發前夜, 在8英寸矽基氮化鎵晶圓產業化上取得重大突破, 為今後該領域的發展奠定了良好基礎, 必將為中國在半導體領域實現 '換道超車' 作出重要貢獻.