氮化镓又被称作第三代半导体, 是当今世界上最具潜力的半导体材料之一, 并被预言将会在不久的未来改变世界. 硅基氮化镓产业早在20年前就开始在欧洲和美国等地发展, 如今在产品和技术方面已经取得了重大进展. 然后, 在中国该产业才刚起步, 中国在这一产品领域尚属空白.
英诺赛科 (珠海) 科技有限公司拥有世界领先的8英寸硅基氮化镓外延技术, 突破了低翘曲度, 低缺陷及位错密度, 低漏电晶圆制造的全球性挑战, 将碎片率大幅降至1%以下领先水平. 经过两年的努力, 该公司已建成中国首条完整8英寸硅基氮化镓外延与芯片量产生产线, 主要产品包括100V-650V氮化镓功率器件, 设计及性能均达到国际最先进水平, 将广泛应用于电力电子, 新能源, 电动汽车, 信息与通信和智能工业等领域.
'建设一个自主可控, 安全的生产体系, 这是半导体行业, 信息产业的责任. 企业只有建立起自己的研发体系, 人才体系, 这样才能不断进步, 不断领先. ' 中国半导体行业协会执行副理事长兼秘书长徐小田当天在现场表示, 作为半导体行业协会, 政策上将着重在科研体系的建立, 人才培养等方面给予关注, 与所有企业一起改善环境, 参与国际竞争, 国际交流, 推动产业发展.
当天, 多名业内专家在随后举行的研讨会上谈到, 氮化镓产业已经到了爆发前夜, 在8英寸硅基氮化镓晶圆产业化上取得重大突破, 为今后该领域的发展奠定了良好基础, 必将为中国在半导体领域实现 '换道超车' 作出重要贡献.