貿澤電子(Mouser Electronics)即日起開始供應NXP Semiconductors的MRFX1K80H LDMOS電晶體. MRFX1K80H屬MRFX系列的射頻(RF) MOSFET電晶體產品之一, 採用最新的橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術. MRFX1K80H採用的LDMOS技術有助於提高寬頻應用的輸出功率, 同時維持適當的輸出阻抗.
貿澤電子供應的NXP MRFX1K80H LDMOS電晶體能在65V下提供1800W連續波, 適用於1.8至470MHz的射頻應用, 在所有相位角度下提供65:1的電壓駐波比(VSWR). 此裝置提供50歐姆的阻抗匹配, 有助於縮短整體開發時間.
MRFX1K80H專為30V至65V的延伸功率範圍所設計, 具有高崩潰電壓, 可靠度更高, 效率更為優異. 系統電壓提高, 電流下降, 可限制對DC電源供應器造成的應力, 進而減少磁輻射. 裝置提高輸出功率, 亦有助於降低合并的電晶體數量, 同時簡化功率放大器的複雜度, 並降低整體大小.
MRFX1K80H適用於具有適當偏差的線性應用, 提供整合式靜電放電(ESD)防護, 改善C類放大器的運作. MRFX1K80H的目標應用包括工業, 科學與醫療(ISM)應用, 以及廣播, 航太與行動無線電設備.