最新65V LDMOS加快设计并提高输出功率

贸泽电子开始供应NXP采用最新LDMOS技术的MRFX1K80H电晶体

贸泽电子(Mouser Electronics)即日起开始供应NXP Semiconductors的MRFX1K80H LDMOS电晶体. MRFX1K80H属MRFX系列的射频(RF) MOSFET电晶体产品之一, 采用最新的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术. MRFX1K80H采用的LDMOS技术有助于提高宽频应用的输出功率, 同时维持适当的输出阻抗.

贸泽电子供应的NXP MRFX1K80H LDMOS电晶体能在65V下提供1800W连续波, 适用于1.8至470MHz的射频应用, 在所有相位角度下提供65:1的电压驻波比(VSWR). 此装置提供50欧姆的阻抗匹配, 有助于缩短整体开发时间.

MRFX1K80H专为30V至65V的延伸功率范围所设计, 具有高崩溃电压, 可靠度更高, 效率更为优异. 系统电压提高, 电流下降, 可限制对DC电源供应器造成的应力, 进而减少磁辐射. 装置提高输出功率, 亦有助于降低合并的电晶体数量, 同时简化功率放大器的复杂度, 并降低整体大小.

MRFX1K80H适用于具有适当偏差的线性应用, 提供整合式静电放电(ESD)防护, 改善C类放大器的运作. MRFX1K80H的目标应用包括工业, 科学与医疗(ISM)应用, 以及广播, 航太与行动无线电设备.

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