IP供應商力旺電子極力布局車用電子市場, 提出可編寫次數超過50萬次的嵌入式EEPROM(電子抹除式可複寫唯讀存儲器)矽智財(Silicon IP), 來因應車用市場的需求, 且不需要額外加光罩即可應用於現有平台上, 不單是車用電子, 也可用於指紋識別, 電源管理IC, NFC, RFIC等. 力旺這次提出可編寫次數超過50萬次的嵌入式EEPROM, 是強化版IP, 也是力旺NeoEE嵌入式EEPROM家族的最新產品, 而這個新版IP的編寫次數是原版的數十倍, 同時編寫/ 抹除(Program/Erase)時間減少將近50%, 資料保存期限在150°C高溫操作下, 更可以高達10年之久. 力旺分析, 新版的NeoEE與現有邏輯製程和車規常用的BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)製程完全相容, 不需要加光罩即可整合至不同類型的製程平台, 且該IP已經通過晶圓廠0.18微米5V製程平台的驗證, 目前正在著手布建將這項技術轉至其他5V平台. 在應用方面, 力旺指出, 強化版NeoEE非常適合有高編寫需求的應用, 包括指紋識別晶片, 智能卡, NFC, RFID, 電源管理IC和微處理器(MCU)等. 值得注意的是, 這項IP的耐受度(endurance), 高溫操作, 生命周期都是依照AEC-Q100的車規標準設計, 未來也會主打車用市場. NeoEE 矽智財以標準5V MOS製程平台為開發基礎, 容易整合至車用電子常使用的高壓(HV)及BCD等製程平台, 從成本和安全的角度來看, NeoEE最適合取代傳統外掛式EEPROM. 一般可編寫存儲器在經過重複編寫後, 穩定度會遞減, 主要是因為重複編寫會改變存儲器的電子分布, 導致編寫和抹除位元間的訊號差異愈來愈不明顯, 最後會無法分辨. 力旺這次將新IP可以達到重複編寫次數提升至50萬次以上的水準, 主要是透過優化存儲器單元架構及採用新的編寫/ 抹除運演算法, 來減輕重複編寫造成的存儲器損耗. 經過測試, 強化版NeoEE經曆長達2,500個小時150°C的高溫後, 編寫和抹除位元狀態穩定, 並無電流(壓)增加或流失的現象. 再者, NeoEE結構簡單, 抹寫次數可高達1,000至50萬次以上, 最高容量達16K bits, 可操作溫度區間為-40~150°C, 資料保存期限長達10年. 由於與現有邏輯製程完全相容, NeoEE無需外加任何光罩即可整合至不同類型之製程平台, 可以降低半導體廠導入的成本, 並且節省產品開發時間.
