IP供应商力旺电子极力布局车用电子市场, 提出可编写次数超过50万次的嵌入式EEPROM(电子抹除式可复写唯读存储器)硅智财(Silicon IP), 来因应车用市场的需求, 且不需要额外加光罩即可应用于现有平台上, 不单是车用电子, 也可用于指纹识别, 电源管理IC, NFC, RFIC等. 力旺这次提出可编写次数超过50万次的嵌入式EEPROM, 是强化版IP, 也是力旺NeoEE嵌入式EEPROM家族的最新产品, 而这个新版IP的编写次数是原版的数十倍, 同时编写/ 抹除(Program/Erase)时间减少将近50%, 资料保存期限在150°C高温操作下, 更可以高达10年之久. 力旺分析, 新版的NeoEE与现有逻辑制程和车规常用的BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)制程完全相容, 不需要加光罩即可整合至不同类型的制程平台, 且该IP已经通过晶圆厂0.18微米5V制程平台的验证, 目前正在着手布建将这项技术转至其他5V平台. 在应用方面, 力旺指出, 强化版NeoEE非常适合有高编写需求的应用, 包括指纹识别芯片, 智能卡, NFC, RFID, 电源管理IC和微处理器(MCU)等. 值得注意的是, 这项IP的耐受度(endurance), 高温操作, 生命周期都是依照AEC-Q100的车规标准设计, 未来也会主打车用市场. NeoEE 硅智财以标准5V MOS制程平台为开发基础, 容易整合至车用电子常使用的高压(HV)及BCD等制程平台, 从成本和安全的角度来看, NeoEE最适合取代传统外挂式EEPROM. 一般可编写存储器在经过重复编写后, 稳定度会递减, 主要是因为重复编写会改变存储器的电子分布, 导致编写和抹除位元间的信号差异愈来愈不明显, 最后会无法分辨. 力旺这次将新IP可以达到重复编写次数提升至50万次以上的水准, 主要是透过优化存储器单元架构及采用新的编写/ 抹除运算法, 来减轻重复编写造成的存储器损耗. 经过测试, 强化版NeoEE经历长达2,500个小时150°C的高温后, 编写和抹除位元状态稳定, 并无电流(压)增加或流失的现象. 再者, NeoEE结构简单, 抹写次数可高达1,000至50万次以上, 最高容量达16K bits, 可操作温度区间为-40~150°C, 资料保存期限长达10年. 由于与现有逻辑制程完全相容, NeoEE无需外加任何光罩即可整合至不同类型之制程平台, 可以降低半导体厂导入的成本, 并且节省产品开发时间.
