近日, 三星電子又宣布了新的11nm FinFET製造工藝 '11LPP' (Low Power Plus), 並確認未來7nm工藝將上EUV極紫外光刻.
三星11LPP工藝不是全新的, 而是14nm, 10nm的融合, 一方面採用10nm BEOL(後端工藝), 可以大大縮小晶片面積, 另一方面則沿用14nm LPP工藝的部分元素.
三星於2016年10月投產10LPE(10nm Low Power Early), 並已準備好即將投產10LPP(10nm Low Power Plus), 主要為智能手機製造晶片, 14nm工藝則針對主流, 低功耗和緊湊型晶片.
下一步, 三星還會增加14LPU, 10LPU版本.
11LPP工藝將填補三星14nm, 10nm之間的空白, 號稱可在同等晶體管數量和功耗下比14LPP工藝提升15%的性能, 或者降低10%的功耗, 另外晶體管密度也有所提高.
三星計劃2018年上半年投產11LPP工藝.
未來, 三星還一路準備了9nm, 8nm, 7nm, 6nm, 5nm工藝, 其中7nm 7LPP版本會全面融合EUV極紫外光刻, 確認2018年下半年試產.
另有報道稱, 在那之前的明年上半年, 三星會首先在8LPP工藝的特定層上使用EUV.
三星表示, 2014年以來, 已經使用EUV技術處理了接近20萬塊晶圓, 取得了豐碩成果, 比如256Mb SRAM的良品率達到了80%.