近日, 三星电子又宣布了新的11nm FinFET制造工艺 '11LPP' (Low Power Plus), 并确认未来7nm工艺将上EUV极紫外光刻.
三星11LPP工艺不是全新的, 而是14nm, 10nm的融合, 一方面采用10nm BEOL(后端工艺), 可以大大缩小芯片面积, 另一方面则沿用14nm LPP工艺的部分元素.
三星于2016年10月投产10LPE(10nm Low Power Early), 并已准备好即将投产10LPP(10nm Low Power Plus), 主要为智能手机制造芯片, 14nm工艺则针对主流, 低功耗和紧凑型芯片.
下一步, 三星还会增加14LPU, 10LPU版本.
11LPP工艺将填补三星14nm, 10nm之间的空白, 号称可在同等晶体管数量和功耗下比14LPP工艺提升15%的性能, 或者降低10%的功耗, 另外晶体管密度也有所提高.
三星计划2018年上半年投产11LPP工艺.
未来, 三星还一路准备了9nm, 8nm, 7nm, 6nm, 5nm工艺, 其中7nm 7LPP版本会全面融合EUV极紫外光刻, 确认2018年下半年试产.
另有报道称, 在那之前的明年上半年, 三星会首先在8LPP工艺的特定层上使用EUV.
三星表示, 2014年以来, 已经使用EUV技术处理了接近20万块晶圆, 取得了丰硕成果, 比如256Mb SRAM的良品率达到了80%.