650V CoolSiC肖特基二極體G6具備全新配置, 全新單元結構以及全新專有的肖特基材料系統, 因此達成了業界標竿的VF(1.25 V)以及Qc x VF優質係數(FOM)較前代產品低了17%. 另外, 新款二極體運用碳化矽的強大特性, 包括不受溫度影響的切換特性以及無逆向回複電荷等.
此裝置的設計可在所有負載情況下提供更高的效率, 同時提高系統功率密度, 因此, 該650V CoolSiC肖特基二極體的散熱需求降低, 系統可靠性提升, 並提供極快的切換速度, 是最具性價比的SiC二極體產品世代.