650V CoolSiC肖特基二极管G6具备全新配置, 全新单元结构以及全新专有的肖特基材料系统, 因此达成了业界标竿的VF(1.25 V)以及Qc x VF优质系数(FOM)较前代产品低了17%. 另外, 新款二极管运用碳化硅的强大特性, 包括不受温度影响的切换特性以及无逆向回复电荷等.
此装置的设计可在所有负载情况下提供更高的效率, 同时提高系统功率密度, 因此, 该650V CoolSiC肖特基二极管的散热需求降低, 系统可靠性提升, 并提供极快的切换速度, 是最具性价比的SiC二极管产品世代.