2017年9月29日, 德國慕尼黑訊 – 英飛淩科技股份公司 (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) 推出第六代650 V CoolSiC™肖特基二極體, 是CoolSiC二極體產品系列的最新成員. 它立足於第五代產品與眾不同的特性, 能確保可靠性, 質量並提高效率. CoolSiC G6二極體是對600 V和650V CoolMOS™ 7產品系列的完美補充. 它們面向當前和未來的伺服器和PC電源, 電信設備電源和光伏逆變器應用.
第六代650 V CoolSiC肖特基二極體採用全新布局以及全新專有肖特基金屬系統, 內部結構也與上代產品完全不同. 其結果就是樹立行業標杆VF (1.25V) , 以及比上一代產品低17%的Qc x VF 優質係數 (FOM) . 此外, 新推出的第六代全新二極體充分發揮碳化矽的強大特性——獨立於溫度的開關性能和沒有反向恢複電荷.
該器件的設計有助於在所有負載條件下提高效率, 同時提高系統功率密度. 因此, 第六代650 V CoolSiC肖特基二極體具備降低散熱要求, 提高系統可靠性和極快開關速度等諸多優勢. 新款器件是具備最佳性價比的新一代碳化矽二極體產品.
供貨
第六代650 V CoolSiC肖特基二極體現已開始供貨. 了解更多資訊敬請訪問: www.infineon.com/coolsic-g6.