2017年9月29日, 德国慕尼黑讯 – 英飞凌科技股份公司 (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) 推出第六代650 V CoolSiC™肖特基二极管, 是CoolSiC二极管产品系列的最新成员. 它立足于第五代产品与众不同的特性, 能确保可靠性, 质量并提高效率. CoolSiC G6二极管是对600 V和650V CoolMOS™ 7产品系列的完美补充. 它们面向当前和未来的服务器和PC电源, 电信设备电源和光伏逆变器应用.
第六代650 V CoolSiC肖特基二极管采用全新布局以及全新专有肖特基金属系统, 内部结构也与上代产品完全不同. 其结果就是树立行业标杆VF (1.25V) , 以及比上一代产品低17%的Qc x VF 优质系数 (FOM) . 此外, 新推出的第六代全新二极管充分发挥碳化硅的强大特性——独立于温度的开关性能和没有反向恢复电荷.
该器件的设计有助于在所有负载条件下提高效率, 同时提高系统功率密度. 因此, 第六代650 V CoolSiC肖特基二极管具备降低散热要求, 提高系统可靠性和极快开关速度等诸多优势. 新款器件是具备最佳性价比的新一代碳化硅二极管产品.
供货
第六代650 V CoolSiC肖特基二极管现已开始供货. 了解更多信息敬请访问: www.infineon.com/coolsic-g6.