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1.台積電3nm廠確認落腳南科,張忠謀:2nm後很難;
集微網消息, 根據台積電的公告表示, 經過公司內部的評估, 3 納米建廠將再繼續落腳台灣, 並選擇台南作為建廠地點. 而這次的公布, 較早先台積電所說, 將在2018 年決定建廠地點的時間有所提早.
台灣積體電路製造股份有限公司今29日表示, 經審慎評估後, 本公司擬投資興建的三納米先進位程新廠, 將擇定於南部科學工業園區台南園區, 以持續充分發揮本公司在該園區既有的完整聚落與供應鏈優勢. 台積公司並對於政府明確承諾解決包含土地, 用水, 供電, 環保等相關議題表示肯定與感謝.
根據業界人士指出, 台積電決定3 納米留在台灣, 事先已經透露出跡象. 包括之前多家全球的半導體設備及材料廠商, 包括材料大廠默克將宣布在南科高雄路竹基地設立 「亞洲區IC 材料應用研發中心」. 全球半導體蝕刻設備擁有 50% 市佔率, 薄膜設備 40% 市佔率的科林研發, 則首次將組裝線移往海外, 落腳台灣. 還有, 先進半導體汙染控制設備商英特格也在台灣舉辦相關產品的發表活動. 這些狀況, 其實都是為了搶食台積電先進位程訂單而來.
台積電3nm新廠估計於2022年開始量產, 雖然未對外宣布相關投資額, 但外界估計將達160億美元.
目前台積電的12寸晶圓十四廠, 八寸晶圓六廠, 以及先進封測二廠都坐落台南, 其他據點包括新竹, 桃園, 台中等地, 並前往南京設廠. 台南現階段是台積電20nm與16nm製程的生產重鎮, 未來5nm與3nm製程預期也會加入.
台積電指出, 對於政府明確承諾解決包含土地, 用水, 供電, 環保等相關議題, 表示肯定與感謝. 外界預期, 除了土地, 水, 電等基礎建設問題, 後續台積電3nm新廠進行環評, 政府也會協助排除不必要的投資障礙.
台積電原規劃最遲於明年上半年決定3nm新廠地址, 雖然先前一度傳出不排除前往美國設廠, 但最後仍選擇落腳台灣的南科台南園區, 該公司主要是希望持續充分發揮在該園區既有的完整聚落與供應鏈優勢.
對於台積電來說, 該公司在後續的先進位程布局領先競爭對手, 10nm製程已經量產, 7nm製程試產後, 預計明年可量產挹注營收, 另外, 7nm強化版配置極紫外光 (EUV) 解決方案, 也規劃於2019年下半年量產. 後續5nm製程規劃於2020年量產, 接下來3nm製程則將於2022年量產, 整體五年內的技術進程藍圖已可見.
台積電董事長張忠謀之前曾表示, 摩爾定律可能還可再延續10年, 3nm製程應該會出來, 2nm則有不確定性, 2nm之後就很難了.
張忠謀表示, 台積電明年將生產7nm製程, 5nm已研發差不多, 一定會出來, 3nm也已經做2至3年, 看來也是會出來.
張忠謀指出, 先進位程設計很貴, 設計後做成晶片, 市場會很小的確是個疑慮, 他認為, 儘管不保證市場會很大, 但還是會有市場.
張忠謀解釋, 他預測摩爾定律可能再有10年, 是包含了3nm製程, 2nm做的成還是做不成, 還要幾年才會知道, 有不確定性, 2nm之後很難了.
2.摩根大通: 晶片製造熱潮將導致應用材料價格上漲;
摩根大通重新對半導體設備製造商的股票投資給予 '增持' 的評級, 並且預估應用材料公司明年的收益將會超過華爾街的預期.
'我們相信未來幾年由於更廣泛的產品組合與需求, 半導體製造和記憶存儲媒介等產品市場會快速增長. 同時未來的兩到三年裡, 顯示屏製造領域也會呈現快速增長的態勢. ' 分析師Harlan Sur在一份報告中指出. (編譯/音希)
3.格芯推出面向下一代移動和5G應用的8SW RF-SOI技術;
集微網消息, 格芯(GLOBALFOUNDRIES)今天宣布推出業內首個基於300毫米晶圓的RF SOI代工解決方案. 8SW SOI技術是格芯最先進的RF SOI技術, 可以為4G LTE以及6GHz以下5G移動和無線通信應用的前端模組 (FEM) 帶來顯著的性能, 整合和面積優勢.
格芯全新的低成本, 低功耗, 高度靈活8SW的解決方案可以在300毫米生產線上製造具有出色開關性能, 低雜訊放大器 (LNA) 和邏輯處理能力的產品. 與上一代產品相比, 該技術可以將功耗降低至70%, 實現更高的電壓處理能力, 並實現同類最佳的開啟電阻 (Ron) 和關閉電容 (Coff) , 從而通過高隔離減少插入損耗, 同時藉助全銅互連提升功耗處理能力.
'Skyworks繼續藉助我們全面的專業系統知識, 為全球客戶提供高度定製的解決方案. ' Skyworks先進移動解決方案副總裁兼總經理Joel King 表示, '通過與格芯合作, Skyworks能夠儘早使用同類最佳的開關和低雜訊放大器技術, 從而進一步為下一代移動設備和不斷髮展的物聯網應用推動射頻前端技術的發展. '
'我們現在生活在一個智能互聯的時代, 人們希望並且需要通過無縫, 可靠的方式實現隨時隨地的數據連通. ' 格芯射頻業務部門高級副總裁Bami Bastani表示, '不過要實現這個目標的難度越來越大, 因為前端設備必須能夠處理越來越多的頻段和射頻訊號類型, 並具備整合數字處理和控制功能. 作為射頻行業的領軍者, 我們專門開發了新型8SW工藝, 以滿足客戶最迫切的需求. '
基於300毫米RF-SOI的技術可以為設計人員提供一個成本優化的平台, 實現性能, 整合和功耗的最佳組合方案, 並擁有強大的數字整合能力. 格芯的8SW技術採用了專門的襯底優化方案, 能夠最大限度增加無源器件的品質因數, 減少有源電路的寄生電容, 並最小化在千兆頻段以下運行的器件相位差異和電壓擺幅. 該技術可以使優化後的低雜訊放大器達到一流的雜訊屬性以及高特徵頻率與最高振蕩頻率, 從而幫助目前採用4G頻率以及未來採用6GHz以下頻率的5G前端模組實現多樣的接收和主天線路徑低雜訊放大器應用.
先進的8SW技術產品在位於紐約州東菲什基爾的300毫米晶圓廠生產線生產, 其產能可以較低的成本滿足業界預期的市場需求. 工藝設計工具包現已發布.
4.格芯CEO: FD-SOI是中國需要的技術
集微網消息, 5G時代將對半導體的移動性與對物聯網時代的適應性有著越來越高的要求. 此時, FD-SOI與RF-SOI技術的優勢日漸凸顯, 人們對SOI技術的關注也與日俱增.
9月26日, 第五屆上海FD-SOI論壇成功舉辦. 格芯CEO 桑傑·賈 (Sanjay Jha) 親臨現場, 發表主題為「以SOI技術制勝 (Winning with SOI) 」的演講, 闡述了格芯如何利用FDX®平台推進SOI技術的發展, 介紹公司最新技術成果的同時也總結了SOI技術的現狀, 並暢想了產業的未來.
關於FD-SOI技術, 目前業界普遍的疑問在於是否有足夠的市場, 是否能夠建立一個生態系統, 技術本身的特點, 以及5G時代的市場增長點在哪裡. 桑傑的演講一一回答了這些問題, 堅定了行業對FD-SOI技術的信心.
中國市場對於FD-SOI技術而言潛力巨大, 格芯對此十分重視. 目前正在與格芯進行22FDX®技術的35個客戶中, 有10家來自中國. 2017年2月, 格芯十二英寸晶圓廠在成都正式動工. 9月, 晶圓廠剛剛舉行了上樑儀式. 晶圓廠的建造速度與未來產量都令人驚歎, 明年上半年即可完工. 2017年5月, 格芯與成都市正式簽署了《FD-SOI產業生態圈行動計劃》, 格芯將與成都市合作, 雙方共同在成都建立多個專註於IP開發, 整合電路設計的中心, 並孵化成都本地的無晶圓廠企業, 幫助他們僱傭超過500位工程師, 以支援半導體和系統公司開發基於22FDX的面向移動, 互聯, 5G, 物聯網和汽車市場的產品.
關於需要FD-SOI技術的行業, 桑傑認為主要集中在: 移動; 物聯網, 包括NB-IoT, GPS, NFC; 射頻, 毫米波應用, 包括5G, LTE和WiFi; 以及汽車電子, 包括微控制器, 雷達及ADAS系統等. 就格芯22FDX平台而言, 能夠迎合5G時代的需求是其目標. 格芯22FDX技術具備在22GHz層面上的整合功能, 包括ADAS雷達等技術系統, 都能夠相容汽車應用. 這一切都預示著格芯FDX技術廣泛的應用領域, 不僅體現了市場對FD-SOI技術的需求, 也能夠推動FD-SOI技術自身的優化與升級.
格芯22FDX®提供了一個高性能, 低功耗, 低成本物聯網, 主流移動設備, 無線通信互聯以及網路的整合解決方案. 桑傑強調了格芯22FDX®技術相比其他類似技術, 掩膜更少, 功耗更低, 密度更高, 性能也更高. 同時, 22FDX®的體偏壓技術能夠簡化設計, 縮短上市時間, 同時可以實現短時峰值性能的應用需求. 這為22FDX®技術提供強大優勢, 降低開發成本的同時, 也為客戶提供了性能優異的解決方案.
論壇上, 桑傑介紹了格芯基於22FDX®平台的可微縮嵌入式磁性隨機存儲器 (eMRAM) 技術: FDX®和eMRAM的高能效連同差異化的射頻和毫米波IP, 使得22FDX成為電池驅動的物聯網和自動駕駛汽車雷達片上系統(SoCs)的理想平台.
一直以來, 格芯不斷推進FD-SOI技術的突破, 目前正在進行大規模IP的物理驗證. 演講中, 桑傑公布了基於22FDX的ARM Cortex-A53和Mali-T820上的設計結果, 面積的減少與功耗的降低證明了22FDX的性能.
為了推動FD-SOI技術從設計到量產的發展, 格芯在2016年宣布推出了FDXcelerator™合作項目. FDXcelerator是專註於22FDX®技術的合作生態系統, 該系統可以為客戶減少產品進入市場的時間. 在格芯和FDXcelerator合作方案的幫助下, 客戶可以從諸如40nm和28nm的節點快速遷移至FD-SOI技術, 打造創新的22FDX方案. 截至今年9月, 格芯該項目的合作夥伴數量從去年的7個增長到33個, 可見業界對格芯趨勢判斷的肯定與對FD-SOI技術的支援.
除了22FDX®, 桑傑也提到了RF SOI技術, 他認為前者是以整合為中心, RF SOI則更注重前端模組的設計. 格芯在射頻領域的市場份額位居第一, 迄今為止, RF SOI晶片交付量達到了320億片. 在介紹格芯RF SOI最新微縮技術時, 桑傑表示: '我們未來不僅僅是從工藝尺寸上的不斷演化, 而且進一步研發我們的技術, 滿足我們客戶的需求, 適應不同的應用. '
最後, 桑傑隆重介紹了12FDX®技術. 12FDX技術建立於12納米FD-SOI平台, 性能堪比10納米FinFET的同時又能比14/16納米FinFET有更好的功耗表現與更低的成本. 格芯的12 FDX半導體技術將使得未來的系統能夠跨越包括移動計算, 5G網路, 人工智慧, 以及無人駕駛等各個領域的應用.
'我們具備了所有的應用, 技術, 我們的行業獲得了強大的動力. 我們正享受著巨大的市場, ' 桑傑在結語中欣慰地表示, '我們將會有經過矽驗證的IP, 在中國建立了我們的工廠, 並且為我們的FD-SOI產業打造生態系統. 這一切都表明: FD-SOI正是中國需要的技術! ' 作為SOI 聯盟的成員以及本屆上海FD-SOI論壇的贊助商, 格芯很高興看到行業的發展, 格芯也將成為中國FD-SOI技術的中堅力量, 發揮其創造力與領導力完善基礎設施, 推動產業升級.