iMobile Mobile Home, 10 августа. Недавно на саммите Flash Memory Summit в Соединенных Штатах SK hynix объяснил разницу между технологическими маршрутами CTF (платный захват) и плавающими воротами (плавающие ворота) и объявил Запустил собственную флеш-память 4D.
Изображение из сети
Согласно техническому демонстрационному документу на месте, 4D NAND на базе CTF размещает периферийные схемы под блоком памяти, что имеет большие преимущества в области чипов и управлении затратами.
С точки зрения производительности, первая модель 4D NAND представляет собой TLC V5 512Gb с площадью чипа 11,5 мм * 13 мм, 96-слойной укладкой и скоростью ввода-вывода 1,2 Гбит / с. Ожидается, что она будет отобрана в четвертом квартале этого года. По сравнению с V4 3D скорость чтения и записи увеличилась на 30% и 25% соответственно при условии снижения на 20% площади.
Изображение из сети
BGA-пакет TLC может достигать 1 Тб (128 ГБ), модуль поддерживает до 2 ТБ, может достичь 64 ТБ в 2,5-дюймовом U.2, как ожидается, будет отбираться в первой половине 2019 года.
iMobile Mobile Home, 10 августа. Недавно на саммите Flash Memory Summit в Соединенных Штатах SK hynix объяснил разницу между технологическими маршрутами CTF (платный захват) и плавающими воротами (плавающие ворота) и объявил Запустил собственную флеш-память 4D.
Изображение из сети
Согласно техническому демонстрационному документу на месте, 4D NAND на базе CTF размещает периферийные схемы под блоком памяти, что имеет большие преимущества в области чипов и управлении затратами.
С точки зрения производительности, первая модель 4D NAND представляет собой TLC V5 512Gb с площадью чипа 11,5 мм * 13 мм, 96-слойной укладкой и скоростью ввода-вывода 1,2 Гбит / с. Ожидается, что она будет отобрана в четвертом квартале этого года. По сравнению с V4 3D скорость чтения и записи увеличилась на 30% и 25% соответственно при условии снижения на 20% площади.
Изображение из сети
BGA-пакет TLC может достигать 1 Тб (128 ГБ), модуль поддерживает до 2 ТБ, может достичь 64 ТБ в 2,5-дюймовом U.2, как ожидается, будет отбираться в первой половине 2019 года.
