iMobile در خانه های تلفن همراه، 10 اوت اخبار به تازگی، در اجلاس سران حافظه فلش در ایالات متحده، اسکی هاینیکس برگزار و همچنین توضیح تفاوت های CTF (نوع اتهام تله) و شناور دروازه (دروازه شناور) دو روش، و همچنین اعلام کرد حافظه فلش 4D خود را راه اندازی کرد.
تصویر از شبکه
با توجه به ارائه فنی در سایت، بر اساس مدارهای محیطی 4D NAND CTF خواهد شد در پایین واحد ذخیره سازی قرار می گیرد، وجود خواهد داشت یک مزیت بیشتر در سطح تراشه و کنترل هزینه.
عملکرد، مدل فعلی اولین 4D NAND V5 512GB TLC، منطقه تراشه از 11.5mm * چکشی 13mm، با استفاده از 96 لایه پشته است، سرعت I / O تا 1.2Gbps، انتظار می رود به نمونه در سه ماهه چهارم سال جاری، عملکرد در مقایسه با V4 3D به طور قابل توجهی بهبود یافته است، در فرض از کاهش مساحت خواندن و نوشتن سرعت 20٪ افزایش 30٪ و 25٪.
تصویر از شبکه
ظرفیت ذرات TLC میتواند به 1Tb (128 گیگابایت) برسد، ماژول پشتیبانی تا 2TB، میتواند 64TB را در 2.5 اینچی U.2 به دست آورد، انتظار میرود در نیمه اول سال 2019 نمونه برداری شود.
iMobile Mobile Home، 10 آگوست اخیرا در نشست حافظه فلش در ایالات متحده، SK hynix تفاوت بین CTF (شارژ شارژ) و دروازه شناور (دروازه شناور) مسیرهای تکنولوژی را توضیح داد و اعلام کرد حافظه فلش 4D خود را راه اندازی کرد.
تصویر از شبکه
طبق سند تظاهرات فنی در محل، 4D NAND مبتنی بر CTF، مدارهای محیطی را تحت واحد حافظه قرار می دهد که دارای مزایای بیشتری در زمینه تراشه و کنترل هزینه است.
عملکرد، مدل فعلی اولین 4D NAND V5 512GB TLC، منطقه تراشه از 11.5mm * چکشی 13mm، با استفاده از 96 لایه پشته است، سرعت I / O تا 1.2Gbps، انتظار می رود به نمونه در سه ماهه چهارم سال جاری، عملکرد در مقایسه با V4 3D به طور قابل توجهی بهبود یافته است، در فرض از کاهش مساحت خواندن و نوشتن سرعت 20٪ افزایش 30٪ و 25٪.
تصویر از شبکه
ظرفیت ذرات TLC میتواند به 1Tb (128 گیگابایت) برسد، ماژول پشتیبانی تا 2TB، میتواند 64TB را در 2.5 اینچی U.2 به دست آورد، انتظار میرود در نیمه اول سال 2019 نمونه برداری شود.
