Ouverture d'un forum, le Dr modérateur Pegs sur Shenzhen en Chine prolongera un accueil chaleureux au public, vous les experts de la Chine et dans le monde. En tant que l'un des premiers pionniers dans le contrôleur continent mémoire flash Chine, le Dr Pegs sur les actions Microelectronics Lan Shenzhen Hua Co. PDG de l'entreprise, est également professeur de Microélectronique Research Center, Hangzhou Université de science et de la technologie, l'intégration de l'industrie et de l'expérience universitaire et le fond. il sur les lieux a déclaré que les possibilités de développement de la Chine et le marché de la mémoire flash est une des pierres angulaires du développement futur du marché mondial de la mémoire flash. comme le plus grand marché des applications de mémoire flash, l'application des entreprises chinoises du monde en termes d'applications de stockage de mémoire flash peut fournir une référence pour l'orientation internationale des amis, grâce à la participation continue et l'interaction, l'avenir de la mémoire flash de la Chine peut apporter des applications plus nouvelles possibilités de direction et de développement .
Acheter des médias (doIT), fondateur et PDG de Zhengxin Wu a émis une « accélération flash de l'économie numérique de la Chine, » le cas discours. Zhengxin Wu de l'organisation et ont tenu une réunion début professionnelle chinoise d'aujourd'hui avec l'industrie du stockage, a présenté le panorama autour de la technologie Flash Statut de développement Chine marché de la mémoire flash. il a fait remarquer que les fabricants nationaux de la Chine ont représenté un tiers des fabricants de mémoire totale flash, principalement dans les domaines chaîne de l'industrie en aval, tels que des composants SSD et de stockage, les contrôleurs et les systèmes de stockage flash, mais la comptabilité des recettes mais moins de 20%. 2019 sera la première année de production de l'industrie des puces de mémoire en Chine. le fleuve Yangtsé à fabriquer la mémoire NAND flash et Hefei Xin long et Fujian Jinhuagong fabrication de base DRAM, trois entreprises dans l'usine de puce sera achevé et mis en service l'année prochaine La production de masse a un impact majeur sur l'offre mondiale de marché des mémoires flash DRAM et NAND.
invités Heavyweight ce champ le publié CAS académicien Liu « futurs RRAM applications de stockage et de calcul de progrès pour le » discours. Au cours des 60 dernières années, l'informatique augmentation de la performance 1010 fois, académicien Liu a souligné, nous sommes confrontés à la loi de Moore défaillance progressive des limitations de stockage traditionnelles, d'énormes défis posés par les goulots d'étranglement de mémoire d'architecture de von Neumann dans le prochain calcul, NVM jouera un rôle important, l'architecture mémoire S (stockage) simplifie l'intégration par M (mémoire) /, intégré M (mémoire) / C paroi (calcul) autour du problème de mémoire, le cerveau classe de mise en oeuvre de calcul efficace. dispositif de mémoire non volatile dans la génération de la compétitivité, un RRAM comme une nouvelle technologie de stockage est un choix idéal.
La mémoire flash de l'industrie nationale les plus éblouissantes violets haut-parleurs d'envoi violet pour obtenir l'ingénieur suisse Meng Xin, il a apporté un document intitulé « perception structure de l'architecture contrôleur NAND » la parole. Meng Xin a souligné, Flash NAND est aujourd'hui encore face à de grands défis, comment la suppression des erreurs d'adaptation (atténuation d'erreur adaptative) sera la conception du contrôleur de mise au point qui comprend des moyens fixe le bruit (cellules de bruit de réparation), l'unité d'évaluation dynamique (niveaux cellulaires dynamiques), une reconnaissance mauvaise marque signifie structure de bloc flash NAND perçu Et clair, ainsi que la technologie RAID adaptative.
Huawei comme les applications les plus remarquables de l'entreprise de mémoire flash, son architecte en chef stockage Charles Wei a publié un discours « construit sur le système de stockage de lecteur flash clé ». Autour de la définition du disque clé, clé du développement dans l'application du système de stockage de lecteur flash . Evolution de la route, il a également introduit trois innovations techniques basée sur des systèmes de stockage sur disque flash en détail - optimisation de protocole, optimisation FTL, standardisation des interfaces clés.
Civi Technology (Rainure Technology) Chen aider rouge avec « pointe des tendances de stockage informatique » dans le titre, l'informatique bord de description propose ainsi que leurs besoins de stockage, et a souligné au bord de l'informatique tendances SSD qui répondent aux exigences de performance des SSD, d'après la date de fichier Fonctions de gestion et d'IA.
GigaDevice Zhao Yi marketing stratégique innovante VP Michael Wang comme la finale des haut-parleurs, a émis un « Flash NOR de la Grande Chine: de partisans aux dirigeants. » Conférence Michael présente le développement de la technologie de mémoire flash, ainsi que NAND et NOR la différence entre le marché et l'application. il a dit que la mémoire actuelle flash NAND et SSD occupent dans la domination du marché des smartphones, tandis que flash NOR est fermement se positionne pour devenir partie intégrante du code mémoire intégré du système. l'avenir des choses, les téléphones intelligents et tirée par les applications automobiles, flash NOR devrait atteindre à nouveau un développement rapide. le Dr Pegs à Shenzhen a souligné, « le Forum, comme toujours, a été placé au sommet de la mémoire flash première fois, la température rapidement au cours des dernières années grâce à l'industrie du stockage de la Chine, nous sommes voit un grand potentiel pour l'avenir l'industrie des données. en même temps, grâce aux entreprises chinoises de plus en plus des normes mondiales de l'industrie, la valeur de sortie flash ont représenté environ un tiers de l'industrie des semi-conducteurs, comme le principal coût du matériel de stockage mémoire flash grande données / système de nuage, il est une zone très stratégique, non seulement important pour l'industrie de l'information de la Chine, la structure industrielle mondiale Grandement. « Le forum a pleinement confirmé le développement initial de l'industrie de stockage de la Chine, il est devenu le centre de l'attention mondiale.
En plus de l'échange de discours marché chinois et les aspects techniques, mais aussi ad hoc Chine PDG spécial Forum composé de chefs de l'industrie de la mémoire flash, le même forum a été présidé par le Dr Pegs sur Shenzhen, le forum un arrangement spécial pour trois entreprises de la Chine Taiwan flash les plus grands noms et trois invités poids lourds de la Chine continentale.
Dr Pegs sur Shenzhen a parlé de « modèles industriels en Chine et aux États-Unis ont des idées fondées sur l'accumulation culturelle, historique différent, forum PDG de l'industrie en Chine est l'occasion d'exprimer leurs idées face à des professionnels de l'industrie de la mémoire flash mondiale, nous avons aussi d'échanger des vues, à écouter chaque canal et autres Q '.
À cet égard, M. Chuck Sobey président du sommet, a commenté le flash, cette fois pour essayer, parce que les entreprises chinoises du continent d'échanger beaucoup des États-Unis, mais une augmentation progressive, nous espérons que grâce à cette façon, de sorte que nous entendons plus l'industrie chinoise Et la voix du monde universitaire, pas la pensée unilatérale.
De 3: La combinaison de Taiwan Lu des trois peut être vu partout dans l'intégration et la coopération au sein même de la Chine ont également différents modèles de développement et le concept de l'industrie d'autre part, l'espoir que Taiwan et la Chine continentale pour montrer leurs forces, les pairs de l'industrie mondiale. La prise de décision précise, la mise en page et la coopération stratégique constituent la base.
Liu Académicien dans l'étude Académie chinoise des sciences montre ce qui concerne RRAM de progrès au fait que plus d'une décennie pour démontrer la recherche fondamentale et l'accumulation de la Chine continentale en flash de nouvelles technologies. Bien que ces techniques nécessitent également la coopération et de l'industrie, est difficile à réaliser sur de nombreuses directions Le niveau de la concurrence internationale, mais l'accumulation de la technologie est pas à pas, et cela ne signifie pas qu'il n'y a pas de recherche fondamentale en Chine, pas d'accumulation.
Académicien Liu a dit que les Etats-Unis, le Japon et la Corée du Sud valeur de l'apprentissage dans la recherche universitaire et de l'industrie combinée, les entreprises chinoises ont besoin d'avoir un plus grand degré de tolérance et de patience pour la recherche fondamentale, à la hâte et impétuosité, en plus du développement de l'industrie des semi-conducteurs et des marchés financiers, également besoin d'une qualité et l'expérience des personnes. innovation Zhao Yi que l'industrie de la mémoire flash en Chine continentale, en particulier les NOR flash éblouissant étoiles, après l'annonce a gagné la faveur du marché des capitaux, est la mise en page de Hefei, flash NAND dans le champ.
M. Li Shu, d’Alibaba, a déclaré que l’énorme demande du marché en matière de mémoire flash dans les systèmes de réseau et de cloud exigeait une amélioration continue de la technologie du système et de la mémoire flash.
l'application Panélistes est différent des entreprises de Taiwan à partir de périphériques tout-flash, trois invités étaient de la partie continentale de la Chine la recherche fondamentale, les dispositifs de mémoire flash de fabrication et Pegs d'affaires d'application flash sur le professeur spécial Shenzhen a expliqué: « la Chine continentale ont la recherche fondamentale, la fabrication, le marché des applications La chaîne industrielle complète, plutôt que de simplement vider le marché en aval. »
Sur l'attitude de l'intégration internationale de la situation générale dans l'industrie, les trois chefs d'entreprise de la Chine Taiwan M. Pan Jiancheng, conformément Robet Lee et le Dr Li l'attitude Minghua. En plus de Samsung, Toshiba, mémoire flash Micron et d'autres entreprises de premier plan une coopération active, mais aussi attache une grande importance à la partie continentale à Taiwan marché et le développement de l'industrie. en particulier, les avantages de l'industrie du PC traditionnel de Taiwan a créé une industrie des semi-conducteurs en plein essor lui-même, mais a vu aussi le réseau et à l'ère des nuages, de plus grandes opportunités de marché pour les applications industrielles et les applications d'entreprise.
Pendant ce temps, la partie continentale à Wuhan, Jinjiang, Hefei, lignes de production de semi-conducteurs de stockage de construction, dispositif de stockage pour l'évolution future des coûts, les prix et les industries en aval en raison de l'attention accordée à M. Phison PDG Pan Jiancheng, a déclaré que le nombre de personnes dans l'industrie des semi-conducteurs Taiwan , a l'avantage de l'expérience. avec cet avantage à Taiwan sur le marché du continent, c'est un bon moment aux changements techniques et du marché au fil du temps, pour saisir l'occasion d'ouvrir l'attaquant de la route est de survivre, est un conservateur Régression.
expositions FMS et forums simultanément, presque des produits de mémoire flash fabricants dans le monde entier de premier rang ont participé à cet événement. micro-entreprises SinoMekong en tant que représentants remarquables de la Chine, et le violet, l'innovation Zhao Yi, en collaboration avec Huawei, une source de mémoire constante et d'autres entreprises à participer Cette exposition
Dans cette exposition, en plus des micro-Lan Hua afficher la gamme complète de puce de contrôleur de disque dur à l'état solide, le contrôleur de mémoire de la puce de pont et la puce de contrôleur de stockage amovible, présentera également le micro-contrôleur à base de micro entreprise Lan Hua Hua Lan PCIe SSD et SAS d'entreprise et SATA SSD PCIe qui disques SSD de classe entreprise ont IOPS en lecture aléatoire et d'écriture 700K / 390K IOPS aléatoires de SAS classe entreprise et SATA SSD 100K / 50K, et le soutien de la veille Large température et divers environnements complexes pour les exigences SSD.