Китайское агентство новостей репортер Чжан Бин фото
Сообщается, что в 2017 году Changjiang Storage успешно разработала первый в мире 32-слойный 3D-флэш-накопитель NAND NAND в мире и выиграла Золотую медаль Китайской электронной информационной выставки (CITE2018).
Этот чип стоимостью 1 млрд. Долл. США был независимо исследован и развит командой из 1000 человек в течение 2 лет. Это ведущий в мире высококачественный чип памяти на мировом рынке чипов и уровне производства в Китае, добившись прорыва в чипе памяти в Китае «ноль».
По словам Ши Шицзина, в настоящее время установлено и введено в эксплуатацию оборудование для производства микросхем. В четвертом квартале этого года на чип-производстве № 1 будут выпущены 32-слойные 3D-чипы флэш-памяти. Кроме того, разработка 64-слойной 3D-флеш-памяти также идет полным ходом, план 2019 Ежегодное массовое производство.
Ян Шицзин сказал, что чип-технология Китая отстает от мира, но темпы независимых исследований и разработок не прекратились. После массового производства двух поколений чипов разрыв между Соединенными Штатами, Японией, Южной Кореей и другими странами будет сокращен.
Сообщается, что Хранение реки Янцзы совместно инвестировано Инвестиционным фондом интеграционной индустрии Объединенной корпорации Зигуан, Инвестиционным фондом интегральной индустрии провинции Хубэй, Инвестиционной группой по науке и технологиям провинции Хубэй и отвечает за проект Национальной базы хранения.
Согласно плану, к 2023 году базовая мощность будет достигать 300 000 штук в месяц и сформировать вверх и вниз по потоку кластеры для проектирования, тестирования, упаковки, изготовления и применения.