Cina giornalista agenzia giornalista Zhang Bin foto
È stato riferito che Changjiang Storage ha sviluppato con successo il primo chip di memoria flash 3D NAND a 32 strati della Cina nel 2017 e ha vinto la medaglia d'oro di China Electronic Information Expo (CITE2018).
Il chip, $ 1 miliardo entro il 1000 persone nel corso di un team di ricerca e sviluppo di due anni indipendenti, è lo sviluppo di chip corrente principale della Cina e la produzione di classe mondiale a livello più vicino ai chip di memoria di fascia alta, chip di memoria per ottenere una svolta nella 'zero' Cina è.
DiaoShi Pechino, al momento, essendo l'installazione di chip apparecchiature di produzione e messa in servizio nel quarto trimestre di quest'anno, di 32 piani chip di memoria tridimensionale Flash sarà in produzione in volumi presso il primo impianto di produzione di chip. Inoltre, 64 strati tridimensionali lampo di ricerca e sviluppo di chip di memoria sono in pieno svolgimento, i piani 2019 nella produzione di massa.
Diao Shi Jing ha detto che la tecnologia dei chip cinese dietro il mondo, ma la ricerca indipendente e ritmo di sviluppo non si è fermato, dopo due generazioni di produzione di massa di chip per accorciare il divario con gli Stati Uniti, Giappone, Corea del Sud e altri paesi sul chip di memoria.
È stato riferito che i negozi Yangtze Unisplendour gruppo misto Circuito Nazionale Industria integrato di fondi di investimento, Hubei IC fondi di settore degli investimenti, Hubei Science & Technology Investment Group costruire insieme, è responsabile per il progetto contenitore nazionale.
Secondo il piano, entro il 2023, la capacità di base raggiungerà 300.000 pezzi al mese e forma cluster a monte ea valle per la progettazione, il collaudo, l'imballaggio, la produzione e l'applicazione.