Imobile мобильный дом, 27 июля сообщение, хотя Samsung ранее объявил спецификации LPDDR5 флэш-памяти, но это не значит, что в настоящее время наиболее популярным LPDDR4X потерял фокус, несколько дней назад, компания Samsung объявила о начале массового производства уровня 10нм частицы LPDDR4X вспышки, конечно, заявление Samsung официальный является уровень 1X нм, что означает 10-19nm находятся в пределах объема этого процесса.
Второе поколение LPDDR4X поддерживается, по существу равномерное формирование и скорость передачи --4266Mb / с, в то же время уменьшая потребление энергии на 10%. Flash-технические характеристики II для каждой части 16Gb (2 Гб), в то время как новое поколение по сравнению с толщиной флэш-памяти также снижена на 20%.
В первой половине 2019 года мы можем увидеть новые машины, оснащенные флэш-памятью второго поколения LPDDR4X. Samsung предлагает различные спецификации упаковки, такие как 4 ГБ, 6 ГБ и 8 ГБ, поэтому OEM-производители также имеют множество спецификаций на выбор.
iMobile mobile home, 27 июля. Несмотря на то, что Samsung уже анонсировала флеш-память LPDDR5, но это не означает, что самый популярный LPDDR4X потерял внимание. Недавно Samsung объявила о начале массового производства. 10 нм уровня флэш-гранулы LPDDR4X, конечно, официальная заявка от Samsung составляет 1X-нм уровень, что означает, что 10-19 нм находятся в пределах диапазона обработки.
Второе поколение LPDDR4X поддерживает скорость передачи, которая в основном такая же, как и у первого поколения - 4266 Мбит / с, при одновременном снижении энергопотребления на 10%. Вспышка второго поколения - 16 ГБ (2 ГБ) каждая, а толщина новой вспышки сравнивается с первым поколением. Также уменьшено на 20%.
В первой половине 2019 года мы можем увидеть новые машины, оснащенные флэш-памятью второго поколения LPDDR4X. Samsung предлагает различные спецификации упаковки, такие как 4 ГБ, 6 ГБ и 8 ГБ, поэтому OEM-производители также имеют множество спецификаций на выбор.
