Sommario: 30 luglio la quota centrale Hohhot ha firmato il "materiali di silicio circuiti integrati a semiconduttore industria di base dell'accordo di cooperazione", la firma dell'accordo significa che la quota centrale con un atterraggio circuito integrato di base del settore dei semiconduttori materiali di silicio liscia.
Impostare Notizie Micro Network (testo / piccola del Nord) 30 luglio la quota centrale Hohhot ha firmato il "materiali di silicio circuiti integrati a semiconduttore industria di base dell'accordo di cooperazione", la firma dell'accordo significa che la quota Centrale circuito integrato a semiconduttore industria dei materiali di silicio Il progetto base è andato liscio.
È stato riferito che la quota centrale sarà investito nella costruzione del circuito integrato Hohhot semiconduttore con una grande industrializzazione progetti cristallo singolo diametro silicio.
Marzo 2009, la quota Centrale 'Lazi' Mongolia Interna, Mongolia Interna istituito centrale PV Material Co., Ltd., è principalmente impegnata nelle verdi progetti di energia rinnovabile silicio monocristallino solare industria dei materiali da cellule funziona. Azioni centrali continuano a sovrappeso il layout industriale della Mongolia Interna. secondo la rete China Securities ha riferito che quest'anno il 29 gennaio la quota centrale ha detto in domande risposta degli investitori su una piattaforma interattiva, l'azienda in base alle esigenze strategiche di sviluppo e pianificazione aziendale nel settore dei materiali fotovoltaici solari, ad una società interamente controllata della Mongolia interna, centrale limitato materiale fotovoltaico l'azienda è il principale attuazione del 'silicio monocristallino energia rinnovabile celle solari e ingegneria dei materiali dell'industria quattro a quattro progetti di ristrutturazione' investimento totale stimato di 9.852 miliardi di yuan, tutti messi nel progetto, materiale di silicio di grado solare della società uno, due, La capacità produttiva totale annua dei progetti di trasformazione di terza, quarta e quarta fase è di circa 23GW.
azioni centrali hanno più di 60 anni di tecnologia di accumulo e di esperienza di produzione nel campo dei semiconduttori, prodotti di punta di dispositivi elettronici di potenza utilizzando wafer di semiconduttore di silicio zona di fusione, la forza complessiva del monocristallo terzi. silicio FZ del mondo è fatto di vari tipi di dispositivi di potenza elettronico soggetto materiali funzionali, in particolare materiali chiave di risparmio energetico dei dispositivi di potenza -IGBT. dicembre 2017, la quota di centrale a Yixing iniziato con un grande progetto di produzione e produzione integrata di wafer di circuito, il progetto è attualmente in programma l'avanzamento veloce, dopo il completamento dei progetti di investimento si prevede di realizzare nel 2022 otto pollici lucido capacità di produzione di 750.000 / mese, 12 pollici capacità di produzione di lucido scala 600.000 / mese.