Définir les nouvelles du réseau micro, récemment responsable du magasin Yangtze dit, sera publié en Août pour la première fois la nouvelle architecture NAND 3D Xtacking aux États-Unis, a affirmé que la technologie peut améliorer la vitesse de transmission à un niveau considérable NAND DRAM DDR4, alors que le niveau de la densité de stockage de pointe , l'industrie de la mémoire flash pour réaliser saut epoch-making.
Selon l'introduction de stockage Yangtsé, la technologie de mémoire flash NAND Xtacking apportera rythme sans précédent de transmission ultra-haute, ce qui permettra d'améliorer les performances des produits d'application Flash NAND, comme UFS, les consommateurs et les entreprises SSD à un nouveau niveau. Les clients, les partenaires de l'industrie et dans les organismes de normalisation ensemble pour aider, Xtacking pour les téléphones intelligents de haute performance, l'informatique personnelle, centre de données et des applications d'entreprise pour un nouveau chapitre.
Xtacking technologie NAND pour atteindre la matrice de traitement parallèle et les circuits périphériques. Ce développement flash modulaire et les procédés de fabrication réduisent considérablement le délai de commercialisation pour la prochaine génération de mémoire flash NAND 3D, et la personnalisation des produits de mémoire flash NAND possible.
La société a déclaré la technologie a d'abord été annoncé Xtacking Sommet Mémoire Flash (FMS) Dr. PDG de stockage Yangtze Yang Brillante Août aura lieu aux États-Unis, mais n'a pas révélé la technique quand il sera mis en production.
Changjiang Storage a développé avec succès la première puce de mémoire flash 3D NAND en Chine continentale en 2017, et s'efforce de devenir un fournisseur de mémoire flash NAND 3D de classe mondiale avec une force d'innovation.
19 mai de cette année, a mis le micro-réseau a indiqué que la première mémoire de Yangtze de machines de lithographie ont été livrés aux procédures pertinentes Wuhan Tianhe aéroport, les douanes liés au dispositif, inspection des produits de base et les passages frontaliers sont traités après l'achèvement du fleuve Yangtsé peuvent être expédiés au magasin usine, selon un ensemble exclusif de nouvelles micro réseau, c'est la machine de lithographie ASML de la machine de lithographie par immersion 193nm, au prix de 72 millions $ pour 14nm ~ 20nm processus. il a également révélé la puce de mémoire flash NAND Yangtsé 3D du côté la technologie de processus, qui est stocké dans les premières machines de lithographie Changjiang, mais aussi plus d'un après l'autre est arrivé.
Pendant ce temps, Unisplendour président du groupe et président du stockage Yangtze Wei-Guo Zhao a souligné que l'un mois à l'avance plafonnée à l'usine de production en Septembre l'année dernière, 32 couche puces de mémoire flash NAND 3D de recherche et de développement indépendant a fait une percée majeure sur la fondation, et maintenant nous sommes 20 jours à l'avance pour atteindre une puce machines de production se déplacent dans les 10 prochaines années, violet prévoit d'investir au moins 100 milliards $, ce qui équivaut à un investissement moyen de 10 milliards $ par année.
Mondial Unisplendour Groupe Vice-président exécutif et chef de la direction, président du stockage Yangtsé Kau a déclaré la mémoire flash NAND 3D fleuve Yangtsé a reçu sa première commande, un total de 10,776 jetons, sera utilisé pour 8 Go USD produits de carte mémoire.
Fin de cette année, la base atteindra la production à petite échelle de flash 3D domestique, pas longtemps avant de pouvoir voir le flash des téléphones intelligents basés domestiques, SSD état solide disque dur. L'année prochaine, commencera la mémoire flash de la pile de la couche de stockage Yangtsé 64, la capacité unique de 128 Go (16 Go).