В последнее время, Samsung Electronics объявила о том, что она официально начала массовое производство первого в мире второго поколения чипов LPDDR4X DRAM второго поколения.
Samsung утверждает, что ее сравнивают с чипом LPDDR4X, который в настоящее время широко используется в текущем флагманском мобильном телефоне. Второе поколение снизило энергопотребление на 10% и имеет скорость передачи данных до 4266 Мбит / с.
Это Samsung снова обогащает свою собственную линейку продуктов DRAM 10 нм, после того как Samsung начала массовое производство первого в мире 10-нм 8-гигабайтного чипа DDR4 DRAM для серверов в ноябре прошлого года.
При массовом производстве этого чипа, Samsung также представила новое решение для AMD DRDR4X на 8 ГБ Новое решение включает в себя четыре таких 10-нм 16-гигагерцовых чипа LPDDR4X DRAM (16 Гбит = 2 ГБ), а результирующая 4-канальная DRAM имеет скорость передачи данных до 34,1 ГБ / с и Толщина может быть уменьшена более чем на 20% по сравнению с продуктами предыдущего поколения, что позволяет OEM-производителям создавать более мощные и более тонкие мобильные устройства. Разумеется, Samsung предоставит 4 ГБ, 6 ГБ производные версии.
С выпуском этого чипа новая производственная линия Samsung по производству DRAM в Пхентаке, Южная Корея также официально начала свою собственную производственную мощность и отвечала промышленному спросу.
«10-нм чипы DRAM могут еще больше повысить производительность флагманских мобильных устройств следующего поколения, которые будут выпущены с конца этого года до начала 2019 года», - сказал старший вице-президент Samsung Electronics по продажам и маркетингу компании Sewon Chun: «Мы продолжим расширять линейку продуктов DRAM высокого класса. Для руководства рынком хранения «высокой производительности, высокой емкости и низкой мощности», а также для удовлетворения рыночного спроса и повышения конкурентоспособности бизнеса ».
