recentemente, Samsung Electronics ha annunciato di aver avviato ufficialmente la produzione di massa del primo chip DRAM LPDDR4X a 10nm di seconda generazione.
Samsung afferma di essere paragonato al chip LPDDR4X attualmente ampiamente utilizzato nell'attuale telefono di punta. La seconda generazione ha ridotto il consumo energetico del 10% e ha ancora una velocità di trasferimento dati fino a 4266 Mb / s.
Questo è ancora una volta il successo di Samsung, che ha arricchito la propria linea di prodotti DRAM da 10 nm dopo che Samsung ha iniziato la produzione di massa del primo chip DDR4 DRAM da 10 nm a 8 nb per server nel novembre dello scorso anno.
Con la produzione di massa di questo chip, Samsung ha inoltre introdotto una nuova soluzione DRAM LPDDR4X da 8 GB La nuova soluzione include quattro chip DRAM LPDDR4X da 16 GB (16 GB = 2 GB) e la conseguente DRAM a 4 canali ha una velocità di trasferimento dati fino a 34,1 GB / s, e Lo spessore può essere ridotto di oltre il 20% rispetto ai prodotti della generazione precedente, consentendo agli OEM di costruire dispositivi mobili più potenti e più sottili. Ovviamente Samsung fornirà versioni da 4 GB, 6 GB.
Con il lancio di questo chip, anche la nuova linea di produzione DRAM di Samsung a Pyeongtaek, in Corea del Sud, è stata ufficialmente lanciata per garantire la propria capacità produttiva e soddisfare la domanda del settore.
'10nm livello di chip DRAM sarà in grado di migliorare ulteriormente le prestazioni dei dispositivi mobili di nuova generazione di punta di quest'anno ai primi di rilascio di fine anno 2019,' Sewon Chun Samsung Electronics vice presidente senior vendite di memoria e marketing, ha detto, 'Noi continueremo a espandere la nostra linea di prodotti di DRAM di fascia alta Guidare il mercato dello stoccaggio "ad alte prestazioni, alta capacità e bassa potenza" e soddisfare la domanda del mercato e rafforzare la competitività delle imprese ".
