Récemment, Samsung Electronics a annoncé officiellement la production en série de la première puce DRAM LPDDR4X 10nm de seconde génération.
Samsung prétend être comparé à la puce LPDDR4X actuellement largement utilisée dans le téléphone mobile phare actuel. La deuxième génération a réduit la consommation d'énergie de 10% et a toujours un taux de transfert de données pouvant atteindre 4266 Mb / s.
Samsung vient d'enrichir une fois de plus sa propre ligne de produits DRAM 10nm après que Samsung a commencé la production en série de la première puce DRAM DDR4 8Gb 10nm de l'industrie pour serveurs en novembre de l'année dernière.
Avec la production de masse de cette puce, Samsung a également présenté une nouvelle solution DRAM LPDDR4X de 8 Go La nouvelle solution comprend quatre puces DRAM 16 Go LPDDR4X de 10 nm (16 Go = 2 Go), et la DRAM à 4 canaux qui en résulte a un taux de transfert de données allant jusqu'à 34,1 Go / s, et L'épaisseur peut être réduite de plus de 20% par rapport aux produits de la génération précédente, permettant aux OEM de construire des appareils mobiles plus puissants et plus fins.Bien sûr, Samsung fournira des versions dérivées de 6 Go, 4Go.
Avec le lancement de cette puce, la nouvelle ligne de production de DRAM de Samsung à Pyeongtaek, en Corée du Sud, a également été officiellement lancée pour assurer sa propre capacité de production et répondre à la demande de l'industrie.
«Niveau de la puce 10nm DRAM sera en mesure d'améliorer encore les performances des appareils mobiles de nouvelle génération phare cette année à une libération anticipée de fin d'année 2019, Sewon Chun Samsung Electronics vice-président senior des ventes de mémoire et du marketing, a déclaré: « Nous continuerons d'élargir notre gamme de produits de DRAM haut de gamme Orienter le marché du stockage «haute performance, haute capacité et faible consommation», répondre à la demande du marché et renforcer la compétitivité des entreprises.
