En términos de nuevos productos, Changjiang Storage está desarrollando una memoria flash NAND 3D de 64 capas y planea lanzar muestras para fines de 2018.
La diferencia se almacena con el río Yangtze, Jinhua y Innotron empresa responsable de la fabricación de chips de memoria DRAM. El primero se dice que ha comenzado la producción de prueba de 8 Gb LPDDR4 chips de memoria, que se espera 19nm tecnología de producción el próximo año para producir chips de memoria de 8 GB DDR4.
En general se cree que la compañía de chips de memoria de China poco a poco ampliar la capacidad de producción, se espera que disminuya el precio de mercado de los chips de memoria flash de memoria global.