最近、インテルは、マイクロン、ウェスタンデジタル、東芝は96層スタックフラッシュメモリ、QLCフラッシュメモリ領域内の自分の進捗状況を発表しており、世界最大のフラッシュメモリメーカーのサムスンが負けじとするよう、あらかじめ層96のスタックの量産を発表しました5世代のV-NANDフラッシュメモリを発表し、世界初の32TB超大容量SSDを年内にリリースすると発表しました。
サムスン昨年生産64層スタック第四世代V-NANDが、ウェハ上の物理的なXを減らし、半分に増加した積層、高いYの大きさ、性能と消費電力の最新の第五世代、そして初めての切り替えについてDDR 4.0インターフェイス、最大1.4Gbpsのデータ転送速度、前世代より40％高い
三星のビジョンによると、 3D積層型フラッシュメモリは、将来200層を超えることができる。
サムスンはまた、 既にそれによって4TBの単一の容量を実現し、速度1Tb（128ギガバイト）の容量3D TLCフラッシュ粒子、1.2Gbpsのデータ転送速度の能力を起動し、積層パッケージ32を支持しています。
サムスンの今後のPM1643シリーズSSDは32TB（のみ8チップ）の最大容量を行うことができ、この粒子を使用しますが、ちょうど4Uのスペースには、前の2つのキャビネットのストレージ容量を達成することができるようになります。
この新しいハードドライブが使用されます 2.5インチサイズ、SASインタフェース 知られています 前の世代よりも速く2.5倍にランダム読み出し性能 企業のデータセンター市場を指向。
東芝/ Western Digitalのは、96層の積層QLCフラッシュメモリチップを発表した8の単一のパッケージの2.66TBの容量を行うことができます20TB SSDよりも多くを達成することができます。
また、 サムスンはまた、消費者市場QLC SSD、SATAインタフェース、持続的な読み取りのために起動して、540メガバイト/秒、520メガバイト/秒のパフォーマンスを書きます 、しかし、特定の種類、サイズ、未発表の時間。
理論的には、QLC SSDは簡単にどこにでも行くことができるようになります来年にも5TBは、256ギガバイト、512ギガバイトSSD大容量の10TBですが、確かに消費者の低価格を考慮することは、そんなに、後に全ての出発ではないが、同じ傾向が続け行うことができます。
