QLC成闪存新主流: 或将终结SSD高价低容量时代

在数据大爆炸的时代, 人们对SSD容量的需求越来越多, 存储的容量面临着前所未有的挑战. 继TLC固态硬盘成为主流之后, 如今, QLC闪存也闪亮登场, 满足了用户高密度容量的需求.

NAND闪存有SLC, MLC及TLC, 现在又多了QLC

很多人都知道NAND闪存有SLC, MLC及TLC, 现在又多了QLC闪存, 那么它们之间到底有多少区别呢?

SLC=Single-Level Cell, 每个Cell单元存储1bit信息, 也就是只有0, 1两种电压变化, 结构简单, 电压控制也快速, 反映出来的特点就是寿命长, 性能强, P/E寿命在1万到10万次之间, 但缺点就是容量低, 成本高, 毕竟一个Cell单元只能存储1bit信息.

MLC=Multi-Level Cell, 它实际上是跟SLC对应的, SLC之外的NAND闪存都是MLC类型, 而我们常说的MLC是指2bit MLC, 每个cell单元存储2bit信息, 电压有000,01,10,11四种变化, 所以它比SLC需要更复杂的的电压控制, 加压过程用时也变长, 意味着写入性能降低了, 同时可靠性也下降了, P/E寿命根据不同制程在3000-5000次不等, 有的还更低.

TLC = Trinary-Level Cell, 即3bit/cell, 每个单元可以存放比MLC多1/2的数据, 共八个充电值, 111, 110, 101, 011, 010, 001, 000.

最大特点就是速度慢寿命短, 约500-1000次擦写寿命, 但价格是三者最低的. 由于价格成本的原因, 目前被广泛运用于消费级SSD中.

QLC = Quad-Level Cell, 我们知道, TLC闪存是每个Cell单元存储3位电荷, 有8种状态, QLC闪存则是存储4位电荷, 有16种状态, 容量增加了33%, 但是写入性能, P/E寿命会再次减少.

从以上的介绍来看, QLC闪存在读写速度上, 可靠性上相比其他三类闪存都有多下降, 那么, 为什么QLC还会受众多厂商青睐呢?

如今随着所要存储的数据越来越多, 也越来越大, 存储盘将会面临大数据前所未有的挑战, 这时候就需要大容量产品来存储. 所以, SSD需要更廉价的闪存解决方案, 让大容量固态硬盘价格成本更低.

虽然目前寿命和性能是QLC闪存必然的缺点, 但是随着固态硬盘工艺的提升和发展, 让其缺点得到了很好的解决. 比如, 英特尔推出的QLC闪存直接使用3D NAND技术, P/E寿命达到了1000次, 完全不输现在的3D TLC闪存.

大容量优势无法忽视, QLC是大势所趋

面对全球闪存供不应求, SSD价格高涨的情况, QLC闪存的出现, 其更便宜的成本和更大容量的优势是厂商和消费者们无法忽视. 总之, 随着技术的不断发展和成熟, QLC被广泛认可也是早晚的事情.

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