ولكن سلطات مكافحة الاحتكار الصينية قد تحقق بالفعل سامسونج، ميكرون، هاينكس ما إذا كان هناك تحديد الأسعار، وإذا كانت النتيجة من احتكار السعر الثلاثة الكبار، قد يكون على ما يرام سيكون بين مليار 800 مليون $ إلى 8 $، وأعتقد أن هذا يمكن أيضا أن تلعب تأثير رادع معين. والآن جاءت الأخبار من ذاكرة DDR4 الصين، ورقائق فلاش 3D إنتاج القادم، إذا كان هذا صحيحا، يعني أن الذاكرة المحلية، ذاكرة فلاش، بدءا من العام المقبل سيكون هناك نتائج ملموسة.
وفقا للصين تايوان الالكترونيات تايمز قالت نقل الموقع عن مصادر في الصناعة، في 2019، والبر الرئيسى الصينى لديه ثلاثة مصنع للرقائق الذاكرة الانتهاء ووضعها في الإنتاج، ويتم تخزينها في نهر اليانغتسى، وفوجيان Jinhuagong IC شركة (المشار إليها فيما يلي باسم شركة جينهوا)، و انهوى خفى Innotro شركة التخزين.
YMTC الأرجواني ويكشف عنها من قبل تخزين اليانغتسى تلقت أول أوامرها لرقائق ذاكرة فلاش المستخدمة في الطاقة الإنتاجية لبطاقة ذاكرة 8GB SD، وحجم الطلب 32 مليون وحدة هو رقائق طبقة 3D ذاكرة فلاش NAND. وبالإضافة إلى ذلك، تواصل نهر اليانغتسى لتطوير تخزين 64 طبقة 3D ذاكرة فلاش NAND، تخطط لإطلاق قبل نهاية 2018 العينات.
وقال المصدر ان في عام 2020، وتخزين اليانغتسى في الطاقة الإنتاجية ذاكرة فلاش رقاقة سيرتفع إلى 100،000 رقائق معالجة الشهرية. مع خطوط الإنتاج الثلاثة المقبلة لتمكين وتعزيز قدرة الشركة الشهرية وميض 350000 حتي 400000 الكريستال الجولة.
يتم تخزين الفرق مع نهر اليانغتسى، وجينهوا وInnotron الشركة المسؤولة عن تصنيع رقائق الذاكرة DRAM. ويقال إن الأولى قد بدأت الانتاج التجريبي 8GB LPDDR4 رقاقات الذاكرة والتي من المتوقع تكنولوجيا الإنتاج 19nm العام المقبل لإنتاج رقائق ذاكرة 8GB DDR4.
وقد أعربت جينهوا سابقا على أمل أن قبل نهاية هذا العام، UMC تايوان سوف Jinhuagong وشارك في تطوير الجيل الأول من تكنولوجيا الإنتاج ذاكرة DRAM وضعها موضع الاستخدام.
ومع ذلك، Jinhuagong شريك UMC مع ميكرون حاليا تخوض حروب براءات الاختراع، على الرغم من محكمة فوتشو أصدرت حظرا ضد ميكرون، طلب يشتبه Jinhuagong براءة اختراع توقف بيع 26 نوعا من المنتجات في السوق الصينية، وUMC Jinhuagong ويمكن اعتباره انتصارا الأساسي، ولكن في النهاية سوف تؤثر سواء Jinhuagong خطة الإنتاج لا تزال مجهولة.
في الآونة الأخيرة ، تم الإبلاغ عن أن Hefei Innotron قد بدأ الإنتاج التجريبي لرقائق الذاكرة LPDDR4 بسعة 8 جيجا ، لكن الشركة لم تصدر الخبر الرسمي.وقد أثبتت Innotron سابقاً عينات هندسة رقاقة 8GB DDR4 التي تنتجها تكنولوجيا 19nm. وسيتم إدراجها في نهاية عام 2018 ومن المقرر أن يتم إنتاجها بكميات كبيرة في النصف الأول من عام 2019.
إذا كان ما سبق هو صحيح، هو في الواقع شيء جيد! دع الجميع يرى اختراق الذاكرة المحلية في تطوير الصناعات التحويلية. لا بد لهذه لكسر احتكار بين عمالقة، سعر ذاكرة فلاش السوق العالمية رقاقة الذاكرة ومن المتوقع أن ينخفض. ومع ذلك، فإننا لا نزال بحاجة إلى معرفة حقيقة واضحة، فهي قادرة على إنتاج قضايا الطاقة مثل القدرة الحالية للطبقة التخزين فلاش نهر اليانغتسى 3D 32، Jinhuagong / UMC معركة براءات الاختراع مع تأثير ميكرون، وشركة خفى Innotron لم تؤكد ما إذا كان أو لم يكن لبدء قضايا الإنتاج وغيرها الرسمية. لكن من ناحية أخرى من وجهة نظر ، لا يزال هناك الكثير من المجال للتحسين لبائعي التخزين المحلي.
على أي حال ، لا يزال يجب أن يكون الحلم ، إذا تم تحقيقه ، على سبيل المثال ، يتوقع بعض الناس في الصناعة أنه من عام 2020 إلى عام 2021 ، سوف تبدأ صناعة التخزين الصينية في اكتساب قوة الخطاب الصناعي العالمي ...