21 يوليو الأخبار، قبل التركيز على الذاكرة الداخلية خفى شين طويلة، كان يلقي رسميا قطعة 8GB LPDDR4 مواصفات رقاقة DRAM. الآن على آخر الأخبار، ابتداء من عام 2019، والبر الرئيسى الصينى سوف يكون ثلاثة رقاقة ذاكرة مصنع الانتهاء ووضعها في انتاج كميات كبيرة من الذاكرة، ذاكرة فلاش.
وفقا لأخبار مفهومة، قبل وقت طويل سيتم إطلاق برنامج خفى شين عينات الهندسة 8GB DDR4 قبل نهاية هذا العام، أطلقت رسميا في 2019 Q3 8GB LPDDR4، لتصل إلى 20،000 بنهاية الطاقة الإنتاجية الشهرية.
من الالكترونيات تايوان ذكرت تايمز أن في 2019، البر الرئيسى الصينى سوف يكون ثلاثة مصنع للرقائق الذاكرة المنجزة ودخلت حيز الإنتاج. وفي الوقت الحاضر، يجري إعداد الدرجة الأولى للتخزين اليانغتسى، وبطاقة إنتاجية تصل إلى بطاقة ذاكرة 8GB SD، وحجم الطلب 32 مليون مجموعات من طبقة 3D NAND رقاقة ذاكرة فلاش.
من بينها ، تعمل Yangtze River Storage على تطوير ذاكرة فلاش NAND ثلاثية الأبعاد 64-layer ، وتخطط لإطلاق العينات بنهاية عام 2018. بدأ الإنتاج التجريبي من رقائق الذاكرة 8GB LPDDR4 تعتبر Jinhua و Innotron مسؤولة بشكل رئيسي عن تصنيع رقائق الذاكرة DRAM ، ومن المتوقع أن تنتج رقائق ذاكرة DDR4 بسعة 8 جيجا تنتجها تكنولوجيا 19 نانومتر في العام المقبل.
وأخيراً ، يعتقد بعض الناس في الصناعة أن الاختراق في البحث والتطوير المحلي والتصنيع هو بلا شك نعمة ، ومما يبعث على مزيد من الارتياح أن المخيمات الثلاثة في صناعة التخزين في الصين تصل بالفعل إلى خطة راسخة تسمح للسوق بمشاهدة قيمة الاستثمارات الضخمة. .
سواء أكان Hefei Changxin أو Yangtze River Storage أو Fujian Jinhua ، يتم تحديد وقت إنتاج شرائح LPDDR4 بشكل أساسي في النصف الأول من عام 2019.
