1. การทำธุรกรรม Qualcomm NXP ขยายไปจนถึงวันพุธหน้าเพื่อรอการอนุมัติของจีน;
SAN FRANCISCO 20 กรกฎาคมข่าวภาคค่ำ, วอลคอมม์ประกาศในวันนี้มี $ 44 พันล้านซื้อกิจการของการทำธุรกรรม NXP Semiconductors จะขยายผ่านเวลา 17:00 นบน 25 กรกฎาคม
ก่อนหน้านี้วอลคอมม์ได้เลื่อนเวลาการทำธุรกรรมไปถึง 10 ครั้งเพื่อรอการอนุมัติจากกระทรวงพาณิชย์ของประเทศจีน
ในเดือนต. ค. 2016 วอลคอมม์ประกาศซื้อ NXP Semiconductors ประมาณ 38 พันล้านเหรียญสหรัฐหรือประมาณ 110 เหรียญสหรัฐฯต่อหุ้นในเดือนกุมภาพันธ์ปีนี้วอลคอมม์ได้เพิ่มข้อเสนอเป็น 127.50 เหรียญสหรัฐฯต่อหุ้นหรือประมาณ 44 พันล้านเหรียญสหรัฐ
เพื่อให้การทำธุรกรรมเสร็จสมบูรณ์วอลคอมม์ต้องได้รับการอนุมัติจากหน่วยงานกำกับดูแลเก้าแห่งทั่วโลกจนถึงปัจจุบันวอลคอมม์ได้รับการอนุมัติจากแปดประเทศและได้รับอนุมัติจากกระทรวงพาณิชย์ของประเทศจีนเท่านั้น
CEO ของ Qualcomm Steve Mollenkopf เพิ่งกล่าวว่า Qualcomm ยังคงรอให้หน่วยงานกำกับดูแลของจีนอนุมัติซื้อ NXP Semiconductors Morankopf กล่าวว่า "เราหวังว่าจะเสร็จสิ้นการจัดการ
莫伦科普夫ยังกล่าวว่าถ้าก่อน 25 กรกฎาคมไม่สามารถได้รับการอนุมัติจากกระทรวงพาณิชย์จีนจะให้ขึ้นการจัดการ. ในการเพิ่มราคาหุ้นของ บริษัท วอลคอมม์จะเลือกที่จะซื้อกลับไป $ 20 พันล้าน $ 30 พันล้านในสต็อก (Li)
2. สหภาพยุโรปกล่าวหาว่าการแข่งขันที่ไม่เป็นธรรม Qualcomm ต้นทุนต่ำด้านล่างขายค่าใช้จ่ายของผลิตภัณฑ์
สหภาพยุโรปหน่วยงานต่อต้านการผูกขาดบอกว่าเขาจะฟ้องชิปสหรัฐยักษ์วอลคอมม์ในการละเมิดกฎหมายต่อต้านการผูกขาดที่ถูกกล่าวหาว่าขายในราคาที่ต่ำกว่าค่าใช้จ่ายของโมดูลชิปและบีบลงใน Nvidia Icera คู่แข่งอื่น ๆ ในพื้นที่ตลาด
คณะกรรมาธิการยุโรปกล่าวว่าการสอบสวนจะมุ่งเน้นวอลคอมม์ขายโมดูลชิป baseband ต่ำกว่าต้นทุนหากสถานการณ์ที่มีอยู่. สำรวจได้ดำเนินการหลังจากที่คณะกรรมการได้รับการร้องเรียน Icera เริ่มต้นการร้องเรียนเริ่มต้นขึ้นในปี 2015 วอลคอมม์ Icera ถูกกล่าวหาว่าใช้ตำแหน่งทางการตลาดในปี 2009 ถึง 2011 โดยใช้วิธีการที่ไม่เป็นธรรมในการปราบปรามการแข่งขันใน บริษัท
หากพบว่า Qualcomm ละเมิดข้อบังคับต่อต้านการผูกขาดของสหภาพยุโรปอาจต้องเสียค่าปรับสูงสุด 10% ของรายได้ทั่วโลกในปี 2017 รายได้ของ Qualcomm มีมูลค่าประมาณ 23 พันล้านเหรียญสหรัฐในปี 2015 ควอลคอมม์ได้เริ่มขึ้นในไตรมาสที่สองของปี 2015 และรายได้สุทธิลดลงอย่างมีนัยสำคัญ
ก่อนที่จะมีวอลคอมม์ แต่ต้องจ่ายค่าธรรมเนียมให้กับแอปเปิ้ลต้องใช้ iPhone และ iPad สามารถใช้ชิป Qualcomm ถูกตัดสินลงโทษการละเมิดกฎระเบียบป้องกันการผูกขาดปรับ 997,000,000 ยูโรเป็นสหภาพยุโรปปรับการต่อต้านการผูกขาดในประวัติศาสตร์กรณีสูงสุดที่สี่. หาก วอลคอมม์อีกครั้งได้รับการยอมรับการผูกขาดการลงโทษในทางกลับกันอาจตีสูงใหม่. TechNews
3. Broadcom ซื้อวอลล์สตรีท CA ได้ถูกถาม;
ตั้งแต่มากขึ้นกว่าที่นักวิเคราะห์วอลล์สตรีทสอบสวนการเข้าซื้อกิจการของการทำธุรกรรมเทคโนโลยีแคลิฟอร์เนีย Broadcom ส่งผลให้หุ้นของ Broadcom ลดลงมากที่สุดเท่าที่ร้อยละ 16 การสูญเสียเกือบ $ 17 พันล้านมูลค่าตลาด
ชิปยักษ์ Broadcom ได้ประกาศว่าจะใช้จ่าย $ 18.9 พันล้านซื้อของซอฟต์แวร์เมฆและนักพัฒนาซอฟต์แวร์ขององค์กรเทคโนโลยีแคลิฟอร์เนีย. แต่ข้อตกลงที่ได้รับการสอบถามจากนักวิเคราะห์หลายหุ้นชั้นนำของ Broadcom ลดลงอย่างรวดเร็วในการซื้อขาย
ธนาคารเพื่อการลงทุน Wall Street Raymond James นักวิเคราะห์ Chris Caso กล่าวในรายงานว่าพวกเขารู้สึกประหลาดใจกับข้อตกลงที่ Broadcom ประกาศและแสดงความสงสัยเกี่ยวกับเหตุผลในการซื้อกิจการของ Broadcom Caso กล่าวว่า "ในธุรกิจเซมิคอนดักเตอร์ของ Broadcom และ ระหว่างธุรกิจซอฟต์แวร์ของ CA เราไม่เห็นการผนึกกำลังทางธุรกิจที่สำคัญธุรกิจซอฟต์แวร์ของ CA ไม่เข้ากันกับธุรกิจเซมิคอนดักเตอร์ของ Broadcom และข้อตกลงอาจก่อให้เกิดความสับสนในกลยุทธ์ของ Broadcom "
ในเดือนพฤศจิกายนปีที่แล้ว Broadcom ได้เสนอซื้อวอลคอมม์ด้วยเงินสดและหุ้นมูลค่า 70 เหรียญซึ่งขนาดของธุรกรรมมีมูลค่าเกินกว่า 100 พันล้านเหรียญสหรัฐ แต่ในเดือนมีนาคมปีนี้ประธานาธิบดีสหรัฐฯทรัมพ์ได้ออกคำสั่งห้ามซื้อกิจการ Broadcom ในบริเวณความมั่นคงของชาติ วอลคอมม์ต่อจากนั้น Broadcom ได้ประกาศยกเลิกการซื้อวอลคอมม์ People's Post and Telecommunication
4 พระกิตติคุณของคนเหงื่อมืออัลตร้าซาวด์การตรวจสอบลายนิ้วมือหน้าจอหรือผู้ใหญ่ในปีหน้าเชิงพาณิชย์;
บทคัดย่อ: เมื่อเร็ว ๆ นี้สื่อต่างประเทศได้รับประสบการณ์การจดจำลายนิ้วมือบนหน้าจอที่สำนักงานใหญ่ของ Qualcomm เทคโนโลยีนี้จะมีข้อดีของการทำงานที่รวดเร็วปลอดภัยและไม่กลัวสภาพแวดล้อมที่ซับซ้อนเช่นมือเปียกเมื่อเทียบกับลายนิ้วมือ
ตั้งค่าข่าวเครือข่ายขนาดเล็ก (ข้อความ / จิมมี่) แนวคิดแบบเต็มหน้าจอที่เสนอครั้งเดียวทันทีกลายเป็นกระแสหลักของวงการโทรศัพท์มือถือทั้งหมดในขณะนี้ว่าเครื่องเรือธงแบบ low-end หรือ high-end ย่อมจะแขวนจอแบบเต็มหน้าจออัตราส่วนหน้าจอสูงไว้ในการประชุมของตนเอง สองหน้าแรกของ PPT ลักษณะของการดึงดูดความสนใจของผู้บริโภคเป็นที่เข้าใจได้ในสังคมแห่งการให้ความสนใจกับคุณค่าของใบหน้านี้เพื่อให้การออกแบบหน้าจอแบบสมบูรณ์เพื่อนเก่า ๆ จำนวนมากที่แผงด้านหน้าถูกบังคับให้ย้ายหรือเพียงแค่ บอกลาที่คุ้นเคยมากที่สุดคือโมดูลระบุลายนิ้วมือ
หลังจากที่ iPhone X แสดงลายเซ็น Face ID การจดจำลายนิ้วมือหายไปจาก iPhone ในชั่วข้ามคืนอย่างไรก็ตามผู้ใช้ทั้งหมดไม่รู้สึกว่าการจดจำใบหน้าจะสามารถเปลี่ยนสถานะการรับรู้ลายนิ้วมือได้อย่างสมบูรณ์หลังจากหลายชั่วอายุของการออกแบบ หลังจากประสบการณ์การใช้งานของผู้ใช้การจดจำลายนิ้วมือยังคงตรงกันกับความปลอดภัยความเร็วและประสิทธิภาพ แต่ก็ยังไม่เป็นที่พอใจสำหรับผู้ที่มีเหงื่อมากขึ้น
วันนี้วอลคอมม์จะนำข่าวประเสริฐไปยังคนที่มีอาการเหงื่อรุนแรงเมื่อเร็ว ๆ นี้สื่อต่างประเทศได้รับโชคดีที่ได้รับต้นแบบจากลายนิ้วมือของหน้าจออัลตราซาวนด์
จากแผนภูมิการสาธิตด้านซ้ายของหน้าจอเป็นระบบหน้าจอที่เหมาะสมเป็นแผงหน้าจอที่มีลายนิ้วมือแบบบูรณาการปลดล็อคช้ากว่าการรับรู้แสงแบบดั้งเดิมสำหรับช่องว่างยังคงเป็นที่ชัดเจนมากยิ่งขึ้นกว่าหน้าจอร่างกาย NEX ภายใต้ลายนิ้วมือเพื่อปลดล็อกได้ช้า
หลังจากที่นำเสนอชาร์ตเป็นจริงอุปกรณ์ทั้งสองด้วยความสมบูรณ์ของกระบวนการทั้งหมดที่จำเป็นสำหรับการพัฒนาและการแก้จุดบกพร่องความเร็วจะเป็นสิ่งที่ช้าและหลีกเลี่ยงไม่ได้. หลังจากที่ทุกคนยังคงเป็นขั้นตอนการว่าจ้างและเพื่อให้ผู้ใหญ่และเชิงพาณิชย์ในอนาคตเชื่อว่าจะทำให้ผู้ใช้สูงผ่าน คำตอบที่น่าพอใจ
มีรายงานว่าหลักการคือการใช้คลื่นเสียงในการสร้างลายนิ้วมือ, คลื่นความดันสะท้อนจากรูปร่างของผิว. ผู้อำนวยการวอลคอมม์การจัดการผลิตภัณฑ์กอร์ดอนโทมัสกล่าวว่าเทคโนโลยีอัลตราโซนิกมีข้อดีบางแม้ถ้ามือเปียกคุณยังสามารถอ่านลายนิ้วมือ ตั้งแต่อัลตราซาวนด์สามารถเจาะของเหลว. ได้อย่างรวดเร็วสะท้อนให้เห็นในอัตรา 1% ปฏิเสธ 250 ms ล่าช้าที่รู้จักกันและตรงกับลายนิ้วมือ capacitive ธรรมดา. วอลคอมม์ยังเน้นปัญหาลายนิ้วมืออัลตราโซนิกจะไม่ส่งผลกระทบต่อการดำเนินงานความไวของเซ็นเซอร์วัดแสงภายนอก
10 จะใช้สำหรับการระบุลายนิ้วมือเทคโนโลยีพระสิริอัลตราซาวนด์ แต่ที่เซ็นเซอร์จะถูกวางในตำแหน่งที่แก้ว 'คาง' มากกว่าด้านล่างของหน้าจอ
ข้อมูลแสดงให้เห็นว่าการจดจำลายนิ้วมือของหน้าจออัลตราโซนิคของ Qualcomm ได้รับการปล่อยตัวเมื่อเดือนมิถุนายนปีที่แล้วและความหนาของโมดูลมีค่าเพียง 0.15 มม. แต่ต้องใช้ร่วมกับแผง OLED
ตามข้อมูลสถิติของหน่วยงาน HIS Markit จำนวนโทรศัพท์มือถือที่ติดตั้งรอยนิ้วมือบนหน้าจอจะถึง 100 ล้านเครื่องในปีพ. ศ. 2562 และเทคโนโลยีอัลตราซาวด์ของ Qualcomm จะเติบโตเต็มที่ในปีหน้า
เทคโนโลยีนี้มีแนวโน้มที่จะเปิดตัวในต้นปีหน้าใน Samsung Galaxy S10, นักวิเคราะห์การลงทุน Kuo หมิงจีเป็นที่รู้จักกันในรายงานในสัปดาห์นี้ชี้ให้เห็นว่าสื่อ Samsung Galaxy S10 และขนาดที่เล็กของสามกับรุ่น 6.1 นิ้วและ 6.4 นิ้วติดตั้ง ลายนิ้วมือ. ข้อความสื่อที่มีผลผูกพันเกาหลีหน้าจอถัดไปซัมซุงจะได้รับการติดตั้งในลายนิ้วมือและลายนิ้วมือแสงปัจจุบัน Vivo หัวเว่ย Mate RS, ข้าวฟ่างแตกต่างจากที่ใช้ในหน้าจอ แต่ถ้าซัมซุงจริงๆติดซึ่ง S10 บนพื้นฐานของเทคโนโลยีอัลตราโซนิกวอลคอมม์ เทคโนโลยีที่สำคัญสำหรับตลาดที่ระดับ high-end เรือธงของปีถัดไป, ซัมซุงอาจจะได้เปรียบ. (พิสูจน์อักษร / รอบ)
5. Into รู้ชะตากรรมของอินเทล: กฎของมัวร์ไม่สามารถพึ่งพาเพื่อพิชิตโลก;
อินเทลได้ให้การต้อนรับปีใหม่ในการรู้โลกของโลกว่าเป็นไปตามเวลา The Verge Beijing เมื่อวันที่ 20 กรกฎาคมที่ผ่านมาอินเทลกล่าวว่านี่เป็นก้าวสำคัญเมื่อเทียบกับ บริษัท อื่นอินเทลมีความหมายเหมือนกันกับชิป คนที่รู้จักอินเทลควรรู้จักกฎของมัวร์ - ได้ผลักดันการพัฒนาอย่างต่อเนื่องของ Intel ในช่วงครึ่งศตวรรษที่ผ่านมา
กฎหมายมัวร์ - จากมือของผู้ร่วมก่อตั้งของ Gordon Gordon Moore - หมายความว่าจำนวนทรานซิสเตอร์ที่รวมอยู่ในชิปจะเพิ่มขึ้นทุกๆสองปี แต่มัวร์ได้รับการตีพิมพ์ครั้งแรกในวารสาร Electronics ในการคาดการณ์ของเขาคือจำนวนทรานซิสเตอร์ที่รวมอยู่ในชิพจะเพิ่มขึ้นเป็นสองเท่าทุกๆปีระหว่างปีพ. ศ. 2508 ถึงปี 2518 ต่อมาในรายงานฉบับปรับปรุงที่ตีพิมพ์ในปี 2528 มัวร์ได้เปลี่ยนจำนวนทรานซิสเตอร์ เวลาเปลี่ยนเป็น 2 ปี
ชิป Intel Sandy Bridge
ไม่ว่าจะโดยเจตนาหรือไม่ก็ตามกฎหมายของมัวร์และความคืบหน้าของการพัฒนาชิพนั้นถือเป็นส่วนสำคัญของอินเทลแล้วก้าวของการพัฒนาของอินเทล - ในความเป็นจริงทางอุตสาหกรรมคอมพิวเตอร์ - ได้รับการพิจารณาเสมอโดยในปีที่ผ่านมา Intel สร้างกลยุทธ์การปลดปล่อยชิปแบบติ๊กต็อกโดยปล่อยขนาดสถาปัตยกรรมที่เล็กลง (เพิ่มจำนวนทรานซิสเตอร์ในตัว) ต่อปีและได้เปิดตัวชิปรุ่นเดียวกันทุกๆปี
ขนาดของทรานซิสเตอร์ค่อนข้างเล็ก (ขณะนี้ Intel กำลังพัฒนากระบวนการผลิตขนาด 10 นาโนเมตรซึ่งเป็นขนาดอะตอม) และกฎหมายฟิสิกส์ได้เริ่มขัดขวางการพัฒนาชิพ ขนาดของทรานซิสเตอร์ไม่ได้เป็นไปไม่ได้อย่างสมบูรณ์ แต่ความเร็วในการลดขนาดทรานซิสเตอร์ (จำนวนทรานซิสเตอร์จะเพิ่มขึ้นตามมา) จะชะลอตัวลงอย่างมากและค่าใช้จ่ายจะสูงขึ้น
ก้าวของการพัฒนาชิพได้เริ่มชะลอตัวลงแล้วในปี พ.ศ. 2558 ไบรอันคูซนิชิคซีอีโอของอินเทลกล่าวว่า "การอัพเกรดทางเทคนิคล่าสุดสองครั้งนี้แสดงให้เห็นว่าก้าวของเราใกล้เคียงกับระยะเวลาสองปีครึ่งแทนที่จะเป็นสองปี" กระบวนการนาโนนาโนเมตรได้รับการโหวตซ้ำหลายครั้งคาดว่าระยะเวลาการปลดปล่อยชิปกระบวนการนาโนนาโนเมตรจะเป็นปี 2019 ซึ่งบ่งชี้ว่าช่วงการอัพเกรดเทคโนโลยีจะเกิน 3 ปี
ชิป Core รุ่นที่ 8 ของอินเทล
อินเทลได้เปิดตัวชิปรุ่น 14nm + (Kaby Lake R) และชิพรุ่น 14nm ++ (Coffee Lake) ซึ่งใช้สถาปัตยกรรมรุ่นก่อนหน้านี้เพื่อเพิ่มอายุการใช้งานแบตเตอรี่และเพิ่มจำนวนแกนในตัวแทนการเพิ่มทรานซิสเตอร์ จำนวน
แม้ว่าอุตสาหกรรมการหยิบยกความหลากหลายของโซลูชั่นเพื่อแก้ไขปัญหานี้ - รวมทั้งนวัตกรรมทรานซิสเตอร์ใหม่โดยใช้วัสดุใหม่และได้พิจารณาผลงานคอมพิวเตอร์เครื่องใหม่ แต่ในที่สุดก็จะใช้เป็นผนัง
ชอบหรือไม่อินเทลมีการเปลี่ยนแปลง. Intel พลาดการเพิ่มขึ้นของโทรศัพท์สมาร์ทในฐานะตัวแทนของคลื่นลูกใหม่ของคลื่นของคอมพิวเตอร์ที่เราต้องเผชิญกับครอบครัว Qualcomm Snapdragon ของชิปครองสถานการณ์พื้นที่มือถือ, สิ่งที่คุณแทบจะในด้านของโทรศัพท์สมาร์ท ตั้งหลัก
นอกจากนี้ในอีกไม่กี่ปีข้างหน้าผี Meltdown สางของช่องโหว่และจะยังคงอ้อยอิ่ง. เอเอ็มดีและวอลคอมม์คู่แข่งจะทำให้การกลับพยายามที่จะท้าทายอำนาจของอินเทลในพื้นที่สก์ท็อปและเซิร์ฟเวอร์. แม้จะมีข่าวลือว่าแอปเปิ้ลอาจพิจารณาการพัฒนาเครื่องคอมพิวเตอร์ของตัวเอง ชิปในสาขาอื่นภายใต้ความสัมพันธ์เพราะความแปลกและผิดปกติและชั้นนอกจากนี้อินเทลยังจะต้องมีความสามารถที่จะจ้างซีอีโอใหม่ในอนาคต
หนึ่งอาจคิดอย่างนั้นเมื่อมีความจำเป็น Intel, กฎหมายมากที่สุดของมัวร์ลูกลดลง
แต่นี้ไม่จำเป็นต้องเป็นสิ่งที่ไม่ดี. ก้าวช้าลงทำให้อินเทลเวลามากขึ้นเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพของโครงสร้างพื้นฐานที่มีอยู่กลับมาเมื่อเร็ว ๆ นี้เอเอ็มดีและ บริษัท อื่น ๆ จะมีเวลามากขึ้นที่จะจับขึ้นเพื่อส่งเสริมการแข่งขันในตลาด. ท้ายที่สุดนี้จะทำให้ทุก คนที่ได้รับประโยชน์
แต่นั่นหมายความว่าอินเทลต้องเปลี่ยนแปลงและก้าวไปข้างหน้าในอนาคตแทนที่จะใช้รอบการทำซ้ำอย่างต่อเนื่องซึ่งมีอยู่แล้วในชิป Core รุ่นที่ 8 ของ Intel โปรเซสเซอร์ Quad-Core และ 6-Core กลายเป็นเดสก์ท็อป มาตรฐานกับโน้ตบุ๊ค: ด้วยเทคโนโลยีการประมวลผลแบบมัลติคอร์แบบคู่ขนานศักยภาพของเทคโนโลยีที่มีอยู่และจำนวนทรานซิสเตอร์สามารถใช้ประโยชน์ได้เต็มที่แทนที่จะเป็นการเพิ่มประสิทธิภาพการประมวลผลต้นฉบับ
เมื่อต้นปีนี้การทำงานร่วมกันระหว่าง Intel-AMD ได้เกิดชิพไฮบริดซิ่ง CPU-GPU ซึ่งรวมเอาโปรเซสเซอร์ Intel Core กับชิปกราฟิก AMD Radeon แล้วอินเทลใช้ประโยชน์จากเทคโนโลยีโปรเซสเซอร์ที่มีอยู่ในรูปแบบใหม่ในการมอบประสิทธิภาพที่เหนือกว่า ประสิทธิภาพและอายุการใช้งานแบตเตอรี่แล็ปท็อปที่ยาวนานขึ้นโดยไม่จำเป็นต้อง "ตาย" ด้วยกฎของมัวร์และฟิสิกส์ของโมเลกุล
อาจจะไม่เป็นปัจจุบันหรือแม้กระทั่งในอีก 10 ปีข้างหน้า แต่กฎหมายของมัวร์จะหมดอายุเร็ว ๆ นี้ขั้นตอนต่อไปของเทคโนโลยีหรือเทคโนโลยีของ Intel ในอีก 50 ปีข้างหน้า (ไม่ต้องพึ่งกฎของมัวร์) อาจทำให้คอมพิวเตอร์เปลี่ยนไปอีก ใบแข็ง)
6. รับ 10TB ในไม่กี่นาทีหน่วยความจำแฟลช QLC รุ่นที่สองของ Western Digital ที่จัดส่งในปีนี้
บทคัดย่อ: วันนี้, Western Digital และโตชิบาประกาศการพัฒนาที่ประสบความสำเร็จจาก 96 ชั้นสถาปัตยกรรม BiCS4 สองรุ่น 3D QLC NAND ก็คาดว่าจะมีการผลิตจำนวนมากในช่วงครึ่งหลังของ 2018 QLC หลักหน่วยความจำความจุแฟลช Western Digital 1.33Tb กว่าก่อนไมครอน / Intel เปิดตัว QLC 1TB หน่วยความจำแฟลชหนาแน่นจะสูงขึ้น 33% อ้างว่าเป็นความจุสูงสุดของอุตสาหกรรม
ตั้งเครือข่ายข่าวไมโครปีนี้อินเทลและไมครอนเคยได้ยิน QLC แฟลชไดรฟ์ที่มีการพัฒนา แต่ทั้งสอง บริษัท เป้าหมายที่ผู้ใช้ทางธุรกิจจริงๆสำหรับตลาดผู้บริโภคที่จะใช้เวลา
Western Digital รุ่นที่สองของ QLC แฟลชทุกนาทีที่จะได้รับ 10TB
วันนี้ Western Digital ประกาศการพัฒนาที่ประสบความสำเร็จโดยใช้ 96 ชั้นกรอบ BiCS4 ของรุ่นที่สองของ 3D QLC NAND (4bits / มือถือ) ขณะนี้อยู่ในขั้นตอนการจัดส่งสินค้าตัวอย่างของตนคาดว่าจะผลิตมวลในช่วงครึ่งหลังของปี 2018 Western Digital และ Toshiba 96 ชั้น QLC NAND เดี่ยว Die ขนาดความจุสูงสุด 1.33Tb เป็นอยู่ในปัจจุบันของอุตสาหกรรม NAND หนาแน่น 3D สูงสุด
1.33Tb เป็นความจุที่มากหลังจากที่กำลังการผลิตหลักหลักหน่วยความจำแฟลช 3D แอลซีเป็น 256GB, 3D TLC แฟลช 256GB ส่วนที่จะไปถึง 512GB, อินเทลและไมครอนและกำลังการผลิตหลัก QLC ประมาณ 1TB กำลังการผลิตหลักของ Western Digital เป็น 1.33Tb ความจุแปลงนี้เป็นเรื่องเกี่ยวกับ 166GB นี้เป็นเพียงความจุหลัก
โดยทั่วไปขนาด 2.5 นิ้วฮาร์ดไดรฟ์ SSD ทั่วไปนำ 4-8 หลักกล่าวคืออนาคตของ SSD ฮาร์ดไดรฟ์ Western Digital จะสามารถที่จะเข้าถึงความจุ 3-5TB, น้อยกว่าบางส่วนของแกนถึง 10TB ไม่มีปัญหา
เป็นที่เข้าใจว่ารุ่นที่สองหน่วยความจำ QLC แฟลช Western Digital ของใช้ใน BIC ประกอบด้วย 4 เทคโนโลยีซึ่งเป็น Western Digital และ Toshiba ร่วมกันพัฒนาโรงงานผลิตใน Yokkaichi, ญี่ปุ่น, และตอนนี้ 96 ชั้น QLC หน่วยความจำแฟลช Western Digital มีชนิดแล้ว 96 ชั้นของโตชิบา QLC แฟลชเร็วเกินไปและเมื่อเร็ว ๆ นี้นอกจากนี้ยังคาดว่าจะประกาศชนิดจัดส่ง
Western Digital กล่าวว่าใน 96 ชั้นประโยชน์ QLC ของเทคโนโลยีขั้นสูงที่จะตอบสนองความต้องการจัดเก็บข้อมูลของลูกค้าในการค้าปลีกมือถือฝังตัวศูนย์ข้อมูล / องค์กรอื่น ๆ ต่อไป QLC NAND จะครองตำแหน่งหลักในการใช้งานเหล่านี้เช่นเดิม TLC แทน MLC เป็นโปรแกรมประยุกต์หลัก
ซึ่งแตกต่างจาก Micron / Intel จะเปิดตัวแฟลชไดรฟ์ QLC ของ Western Digital ในฮาร์ดไดรฟ์ระดับผู้บริโภคของ SanDisk Western Digital กล่าวว่า QLC flash รุ่นที่สองรุ่นล่าสุดจะจัดส่งในปีนี้และถึงเวลาแล้วที่จะเห็นราคา
Toshiba อยู่ใกล้หลังความสามารถจะน่ากลัวมากขึ้น
ช่วงบ่ายวันนี้โตชิบาซึ่งทันทีตามประกาศหน่วยความจำแฟลช QLC ของตัวเอง. หน่วยความจำแฟลชของโตชิบาด้วย QLC ชั้น 96 และหมายเลขเดียวกันของเทคโนโลยีตะวันตก แต่เพราะเทคโนโลยีบรรจุภัณฑ์ที่ยอดเยี่ยมของโตชิบา, โตชิบากำลังการผลิตชิปหน่วยความจำแฟลชเดียวถึง 2.66 . วัณโรคโตชิบาเป็นนักประดิษฐ์ของหน่วยความจำ NAND แฟลชหรือการพัฒนาที่เก่าแก่ที่สุดของหน่วยความจำแฟลช 3D NAND แต่ยังแฟลชแรก บริษัท ชิปหน่วยความจำกล่าวถึงหน่วยความจำแฟลช QLC เป็นเช่นเดียวกับจำนวน QLC ข้อกำหนดแฟลชของโตชิบาเวสต์ - จำนวนที่แน่นอนคือ QLC ตะวันตก โตชิบาหน่วยความจำแฟลชแบบเดียวกับที่มีการใช้เทคโนโลยีของโตชิบา BICS 4, 96 ชั้นกองหลักของ QLC จุหน่วยความจำแฟลช 1.33Tb ใหญ่ร้อยละ 33 1TB หลักก่อนไมครอน, Intel เปิดตัว
ตาม 1.33Tb หลักหน่วยความจำแฟลช QLC โตชิบาได้มีการพัฒนาหน่วยความจำแฟลชชิปเดียว 16-core ความจุหน่วยความจำแฟลชมี 2.66TB ตอนนี้ด้วยความช่วยเหลือของแพคเกจชิปแฟลชเดียว QLC เพื่อให้บรรลุความจุของ 2.66TB ก่อน 5 ครั้ง
ตอนนี้เวสเทิร์ดิจิตอลสุ่มตัวอย่าง, การผลิตมวลในปีนี้เริ่มต้นในฮาร์ดไดรฟ์ SSD SanDisk แต่โตชิบาช้ากว่า Western Digital กี่เริ่มกันยายนเหมือน SSD ฮาร์ดไดรฟ์และต้นแบบผลิตสำหรับการประเมินผลและการพัฒนาใน 2019 เริ่ม การผลิตมวล
ด้วยการพัฒนาต่อไปของเทคโนโลยีรุ่นเดิมเน้นเทคโนโลยี NAND QLC 3 มิติต่าง ๆ และชั้น 96 การแข่งขันและความสามารถในการปรับปรุงเดียว Die 1TB ข้างต้นเมื่อเทียบกับ 3D NAND ศิลปะความจุสองชั้น 64
ตามที่ตลาดจีนหน่วยความจำแฟลช ChinaFlashMarket ข้อเสนอล่าสุด, 240GB TLC ราคา SSD ได้ลดลงถึง 41 ดอลลาร์สหรัฐภายในปี 2018 ลดลงสะสมกว่า 30% และต่ำกว่าระดับต่ำสุดในประวัติศาสตร์ขณะที่ลดลงอย่างต่อเนื่องในราคาของความจุสูงที่คาดว่าจะกระตุ้นให้เกิดความต้องการของตลาดโดย 128GB หลักเพื่อ 240GB อัพเกรดและกระตุ้นให้เกิดการเพิ่มขึ้นของความต้องการของตลาด
ไมครอนเผยแพร่ก่อนหน้านี้ QLC 7.6TB ฮาร์ดดิสก์ในขณะที่อินเทลจะเปิดตัว 20TB การสัมผัสของฮาร์ดไดรฟ์ SSD แต่ความหนาสูง. แต่เทคโนโลยีไม่ได้เป็นผู้ใหญ่ในขั้นตอนนี้สำหรับผู้บริโภคเฉลี่ยเป็นห่วงคุณต้องการที่จะใช้ระดับวัณโรค SSD ต้นทุนต่ำต้องรอ QLC แฟลชไดรฟ์
ผู้เล่นหลายคนมีความกังวลใจเกี่ยวกับความน่าเชื่อถือของแฟลช QLC เช่นปีที่ผ่านมาไม่ต้องกังวลเกี่ยวกับ TLC แฟลช Naicao เดียวกัน แต่ยืนอยู่บนจุดของผู้ผลิตในมุมมองของพวกเขาไม่ได้มีแนวโน้มที่จะให้ขึ้น QLC หน่วยความจำแฟลชความหนาแน่นของความจุเพราะสิ่งล่อใจที่มากเกินไป - Western Digital ออกชนิดนี้ QLC หลักหน่วยความจำแฟลชความจุ 1.33Tb กว่าก่อนไมครอน / Intel เปิดตัว 1TB QLC แฟลชความหนาแน่นสูงขึ้น 33% อ้างว่าเป็นความจุสูงสุดของอุตสาหกรรม
แน่นอนถึงมีส่วนร่วมในการดังกล่าวเป็นความจุขนาดใหญ่ไม่เป็นจริงไม่ได้เป็นเทคโนโลยีที่ไม่สามารถทำ แต่จะต้องพิจารณาค่าใช้จ่ายให้กับผู้บริโภคที่จะแบกรับในกรณีใดต้องการที่จะใช้สามัญวัณโรคระดับต้นทุนต่ำ SSD ฮาร์ดดิสก์ถัดไปสามารถรอ QLC ฮาร์ดไดรฟ์ Flash