Fu pulmonar Å BLC2425M10LS250 transistor novo poder semicondutor possuindo uma eficiência energética de 69%

Hoje, Egito Fu pulmonar Semiconductor anunciou um novo produto para a sua linha adequado para aplicações de energia das ondas contínuas de RF de alta potência LDMOS produto transistor RF. BLC2425M10LS250 poder eficiência transistor de até 69%, podem fornecer-se a 2400 na gama de frequências 2,500MHz 250W de potência de saída. acredita-se que operam neste frequência dispositivo LDMOS alcance, o seu melhor na eficiência elevada, para ajudar a minimizar os requisitos de arrefecimento, reduzindo os custos de energia trabalhar.

Robusto Este dispositivo pode suportar alta incompatibilidade carga - tensão permanente onda proporção de até 20: 1; Ele usa uma câmara de ar SOT1270-1 pacote flange de plástico sem orelhas com correspondência interno de entrada / saída e o elemento de protecção de ESD esses recursos oferecem um design sistema de apoio comum e integração, e simplifica a necessidade de dispositivos adicionais de proteção do circuito. além disso, devido às suas características operacionais de banda larga, o dispositivo é fácil de controlar e flexibilidade operacional.

BLC2425M10LS250 amplamente utilizado em aplicações comerciais e de culinária do consumidor, industriais, científicas e médicas.