Outro marco na memória interna! Hefei Zhaoxin colocou em produção 8Gb LPDDR4

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anunciou Samsung hoje produção em massa de uma nova geração de chips de memória de 8GB LPDDR5, juntamente com a 16Gb GDDR6 anterior, chips de memória de 16 Gb DDR5, Samsung completou o layout da nova geração de memória padrão, agora estão acelerando a produção em massa.

Em comparação com a Samsung, Micron, Hynix, a empresa nacional na produção de chips de memória DRAM ainda é 0, ainda em fase de desenvolvimento. Enquanto o Xi'an roxo Guoxin de violeta tem DDR3, DDR4 produção de partículas de memória, mas fontes técnicas ou falência Qimonda

E agora é uma empresa nacional começou a produzir chips de memória, e Hefei Xin foi colocado em longo chip de 8Gb LPDDR4.

2017 a China importou US $ 89,6 bilhões de chips de memória, quase 100% dependente de importações, o chip de memória é atualmente a prioridade ao desenvolvimento da indústria de semicondutores doméstica.

China tem atualmente base de chip de três memória, roxo dominou o rio Yangtze, em Wuhan como uma base de armazenamento, a principal produção de memória flash 3D NAND, no próximo ano é esperado para colocar formalmente em operação 32 pilha de camadas de memória flash 64Gb, chips de memória DRAM selecionados como o foco são dois campos, Fujian Jinhuagong UMC Group, uma construção fab joint DRAM em Jinjiang, após a ocorrência de uma disputa de patentes com chips Micron Micron são levados a tribunal proibiu Fuzhou é com UMC, Jinjiang investimento Grupo relacionados.

Outra base de DRAM em Hefei Xin longa, o projeto foi originalmente relatado que o Japão Elpida está na frente das empresas presidente estabelecida, mas que é agora quase desapareceu, Hefei longo Xin Zhao Yi é agora uma inovação parceiro, em outubro do ano passado, trilhões inovação fácil anunciou a gastar 18 bilhões de yuans no mercado de DRAM, Co., Ltd. e Hefei Holdings de investimento industrial, visa desenvolver processo de 19nm de memória DRAM, o sucesso da investigação e desenvolvimento é esperada antes de dezembro de 2018 31 de alcançar o rendimento do produto (teste elétrico uma boa proporção de toda a bolacha de chip) não menos do que 10%.

Hefei longa investimento Xin DRAM de mais de US $ 7,2 bilhões (49,5 bilhões de yuans), a construção do projeto de Fase III, está actualmente a construir um projeto de 12 polegadas fab, após a conclusão de uma capacidade mensal de 125.000 wafers, Anhui diário isso representa uma capacidade de produção representou 8% da capacidade de memória DRAM global.

De acordo com as notícias da indústria de semicondutores, Hefei Zhao Xin tem sido filmes lançados oficialmente, a produção de especificações para 8Gb LPDDR4, este é um marco na indústria de DRAM doméstica.

Além disso, CEO Dr. Wang Xin Hefei trilhões em abril deste ano para participar da Hefei organizada pelos 'grandes projectos nas actividades Nacional Integrado Circuito Anhui' sobre disse Hefei Xin longo sido uma planta de fábrica em janeiro 2018 para concluir a construção, instalação de equipamentos começou .

De acordo com o plano, Longo Xin será lançado até o final de 2018 amostras de engenharia 8Gb DDR4 no terceiro trimestre 2019 lançamento 8Gb LPDDR4, até o final de 2019, a capacidade de produção atingirá 20.000 por mês a partir do início de 2020, a empresa começou a planejar Planta, em 2021 a completar 17nn pesquisa e desenvolvimento.

A produção do ponto de vista do tempo, Zhao Yi inovação / Hefei Xin desenvolvimento a longo memória, a produção está sendo realizado passo a passo, a introdução de 8Gb LPDDR4 única cronograma planejado apenas, mas do ponto de vista dos avanços tecnológicos Esta deve ser a primeira memória LPDDR4 produção interna da empresa, DDR4 só tinha partículas roxo plano Guoxin fornece.

Mas, novamente, seja em grânulos DDR4 ou LPDDR 4, as empresas domésticas são gratificantes pela sua produção, mas ainda há um longo caminho a percorrer antes de passarem da produção experimental à cotação em grande escala para a competitividade. 20.000 wafers por mês, mesmo que o mainstream internacional seja a lacuna de tecnologia do LPDDR4 no próximo ano, a capacidade de 20.000 wafers por mês não será significativa para a capacidade de milhões de wafers por mês globalmente. Influência

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