La mattina del 17 luglio, Samsung ha annunciato questa mattina, sviluppato con successo il primo chip di memoria LPDDR5-6400 del settore in base al livello di processo 10nm (10 ~ 20nm).
È stato riferito che Il chip di memoria LPDDR5 ha una singola capacità di 8 GB (1 GB) Anche il prototipo del modulo da 8 GB ha prodotto e completato la verifica funzionale.
Altre specifiche di base sono, Velocità di memoria (larghezza pin) fino a 6400 Mbps 1,5 volte LPDDR4X 4266Mbps di Samsung detto, possono essere trasmessi al secondo 51.2GB di dati (come terminali di fascia alta bus 64bit comune), equivalenti a 14 1080P film (per 3.7GB). Se il BUS PC 128 bit, rotto al secondo 100 GB senza pressione.
Allo stesso tempo, Il consumo energetico è inferiore del 30% rispetto a LPDDR4X Principalmente a causa della regolazione dinamica della tensione, per evitare un consumo non valido, un sonno profondo e altre tecnologie da unire.
La specifica LPDDR5 8Gb di Samsung ha un'elevata flessibilità, fino a 6400 Mbps a 1,1 V di tensione di lavoro e 5500 Mbps a 1,05 V. È disponibile per i telefoni cellulari e le piattaforme per auto.
Secondo i dati, nel 2014 Samsung ha prodotto con successo chip di memoria LPDDR4 da 8 Gb in serie e ha iniziato a promuovere la transizione verso il nuovo standard LPDDR5.
Il nuovo chip di memoria LPDDR5 da 8 Gb fa parte della linea di prodotti DRAM high-end di Samsung, che include già chip di memoria GDDR6 da 16 Gb a 16 gb (produzione a dicembre 2017) e chip di memoria DDR5 da 16 Gb (sviluppati a febbraio di quest'anno).
I chip di memoria LPDDR5 saranno utilizzati in dispositivi mobili come telefoni cellulari, tablet, computer 2 in 1, ecc. Samsung sostiene che 5G e AI saranno le scene di servizio principali.
Samsung produrrà in serie i chip DRD LPDDR5, GDDR6 e DDR5 nello stabilimento di Pyeongtaek, in Corea del Sud.
