17 जुलाई की सुबह, सैमसंग ने आज सुबह घोषणा की, सफलतापूर्वक 10nm प्रक्रिया स्तर (10 ~ 20nm) पर आधारित उद्योग की प्रथम LPDDR5-6400 मेमोरी चिप विकसित.
यह बताया गया है कि LPDDR5 एकल मेमोरी चिप क्षमता 8GB (1GB) प्रोटोटाइप 8GB क्षमता मॉड्यूल और भी पूरा कार्यात्मक सत्यापन बनाते हैं।
अन्य बुनियादी विनिर्देश हैं, 6400 एमबीपीएस तक मेमोरी स्पीड (पिन चौड़ाई) 1.5 गुना सैमसंग की LPDDR4X 4266Mbps कहा, डेटा, 14 1080P फिल्में (3.7GB प्रति) के बराबर (जैसे उच्च अंत हैंडसेट आम 64 बिट बस के रूप में) के दूसरे 51.2GB प्रति प्रेषित किया जा सकता। पीसी: 128 बिट बस, प्रति सेकंड टूट हैं दबाव के बिना 100 जीबी।
एक ही समय में, 30% LPDDR4X की तुलना में कम करने के लिए बिजली की खपत है, मुख्य रूप से गतिशील रूप से अमान्य खपत को रोकने के लिए वोल्टेज समायोजित करने के लिए, कारण, गहरी नींद प्रौद्योगिकी गयी।
सैमसंग की 8Gb LPDDR5 विनिर्देशों उच्च लचीलापन, 6400Mbps को 1.1V अप के निचले ऑपरेटिंग वोल्टेज, 1.05V 5500Mbps अप करने के लिए पर, मोबाइल फोन के लिए, अपनी पसंद के कार मंच।
आंकड़े बताते हैं कि 2014 में, सैमसंग का पहला सफल उत्पादन 8Gb LPDDR4 मेमोरी चिप, जिसके बाद यह LPDDR5 नए मानक के लिए संक्रमण को बढ़ावा देने के लिए शुरू किया।
नई 8Gb LPDDR5 मेमोरी चिप DRAM सैमसंग की उच्च अंत उत्पाद लाइन है, जो पहले से ही 16Gb GDDR6 मेमोरी चिप 10nm स्तरीय (दिसंबर 2017 उत्पादन) और 16GB DDR5 मेमोरी चिप (फरवरी में इस वर्ष में विकसित) भी शामिल है का हिस्सा है।
LPDDR5 मेमोरी चिप, सैमसंग ने कहा, जैसे मोबाइल फोन, टैबलेट, कंप्यूटर और अन्य कॉम्बो के रूप में मोबाइल उपकरणों में इस्तेमाल किया जाएगा 5G और ऐ इसकी मुख्य सेवाओं के दृश्य हो जाएगा।
सैमसंग बड़े पैमाने पर उत्पादन LPDDR5, GDDR6 और DDR5 DRAM चिप्स Pyeongchang Ze कारखाने के शहर में स्थित होगा।
