Поскольку Internet of Things значительно увеличил количество конечных точек, которые фиксируют определенный объем данных (около 2 миллиардов устройств, отправленных в 2017 году, на 54% больше, чем в 2015 году), для обработки и хранения данных требуется большая память. Для этого создается большой сервер. Кластеры, эти кластеры будут потреблять много энергии. Преобразование энергии будет генерировать тепло, которое в конечном итоге будет истощено. Это тепло настолько велико, что затраты на охлаждение являются одной из основных затрат на работу серверного кластера. Это привело к тому, что производители блоков питания постоянно искали Создание более энергоэффективного блока питания. Кроме того, чтобы снизить затраты на охлаждение с более высокой энергоэффективностью, необходимо уменьшить размер блока питания, чтобы большее количество серверов могло быть установлено в одном и том же пространстве.
Существует много способов передачи этих данных, но следующее поколение беспроводного межсетевого соединения 5G развернуто в 2019 году. Как только технология 5G будет полностью использована, она сможет обеспечить в 10 раз быстрее, чем текущая сеть 4G LTE. Это увеличение скорости требует больше Высокая мощность, которая увеличит количество силовых МОП-транзисторов в каждом радио 5G примерно в 5 раз.
С этой целью ON Semiconductor предлагает высокопроизводительные дискретные решения для успешной реализации энергоэффективных целей рынка облачной энергии. По сравнению с предыдущими поколениями устройств суперразъема новая энергоэффективная дискретная серия 650F SuperFET III MOSFET позволяет облачным источникам питания достичь этого. Высокая эффективность использования энергии Технология SuperFETIII доступна в трех различных версиях: Easy Drive, Fast Recovery (FRFET) и Fast (FAST). Приложения и топологии будут определять, какая версия должна использоваться для оптимальной эффективности использования энергии. ,
Для вторичной стороны ON Semiconductor предлагает полный спектр низковольтных полевых МОП-транзисторов, оптимизированных для облачных источников питания. Технология T6 предлагает самый низкий в отрасли RDSon для 30 В, 40 В и 60 В. Новая технология T8 - 25 В, 40 В, 60 В И 80V обеспечивает тот же ультранизкий RDSon, что и T6, при дальнейшем улучшении параметров переключения. Для 80 В, 100 В и 120 В, используя технологию PTNG, обеспечивая отличные характеристики RDSon и корпуса. Сильные, они разработали устройства, такие как диоды карбида кремния (SiC) 650 и 1200 В на полупроводниковых полупроводниковых полупроводниках для коррекции коэффициента мощности (PFC).
С резким увеличением облачного IoT важно, чтобы облако питалось от самых энергоэффективных источников питания. ON Semiconductor делает все возможное, чтобы предоставить передовые MOSFET-устройства от 25 до 650 В и разработать полупроводниковый полупроводник SiC следующего поколения.