物事が大幅に（最大20万台、2015を超える54％程度2017日）いくつかのデータをキャプチャするエンドポイントの数を増加させ、したがって、処理するためのメモリとストアデータの多くを必要とするため。そのためには、大規模なサーバーを構築します艦隊は、艦隊は多くの電力を消費します。電力変換器は、熱を発生しますが、最終的に損失があるでしょう。この熱は冷却コストへのリードは、サーバーの艦隊を実行しているの主要なコストになるように、素晴らしいです。これは、PSUの製造業者が絶えず求めているリードよりエネルギー効率の高いPSUの構築。さらに、冷却コストを削減するためのより良いエネルギー効率のために、より多くのサーバーが同じ空間に設置することができるように、PSUのサイズを小さくする必要があります。
そここれらのデータを転送する方法は、多くがされていますが、展開2019年は、次世代無線インターネット5Gである。5G技術を十分に活用することができたら、10倍高速現在の4G LTEネットワークよりも速度を提供することが可能である。この速度の増加は、より多くを必要とし高出力、各5G無線機のパワーMOSFETの数が約5倍に増加します。
このため、オン・セミコンダクターは、クラウドパワー市場のエネルギー効率の高い目標を達成するための高性能ディスクリートソリューションを提供しています。高いエネルギー効率SuperFETIIIテクノロジーには、Easy Drive、FRFET、Fast（FAST）の3つのバージョンがあります。アプリケーションとトポロジーによって、最適なエネルギー効率のためにどのバージョンを使用するかが決まります。 。
二次側については、セミコンダクタは中・低電圧MOSFETのフルレンジを提供しています、MOSFETは、クラウド電源用に最適化されています。T6技術を30V、40Vおよび60Vが最も低いRDSオン産業を提供していますと。新しいT8技術を25V、40V、60VとしてON 80V、同じ超低RDSオンT6を提供し、さらには、スイッチングパラメータを改善する。80 V、100 V、120 Vのために、PTNG技術を使用して、優れたボディダイオードとRDSオン性能を提供する。メーカーより多くのエネルギー効率的課題として凹凸、それらは、力率補正（PFC）ステージ650 1200 V半導体シリコンカーバイド（SiC）ダイオードのようなデバイスを開発しました。
物事のクラウドベースのインターネットの劇的な増加に伴い、クラウドは最もエネルギー効率の高い電源から非常に重要です。オン・セミコンダクタは650業界最先端のMOSFETのV、および次世代半導体SiCの開発に25Vを提供するために最善を行っています。